射频转接器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种射频转接器，它包括：外导体；绝缘子，所述绝缘子安装在外导体内；内导体，所述内导体支承在绝缘子上，所述内导体与绝缘子的接触部位设置有至少一组凸台凹槽配合结构，所述凸台凹槽配合结构包括插接配合在一起的凹槽和凸台，在一组凸台凹槽配合结构的凹槽和凸台中，其中一个设置在内导体上，另外一个设置在绝缘子上。本实用新型能够很好地实现阻抗匹配，从而提高其射频性能。
【专利说明】
射频转接器
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种射频转接器，属于通讯技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，现有技术的射频转接器，内导体与绝缘子的接触部位只有一个连接台阶，其余为圆柱面接触，这种结构的射频转接器结构不合理，不能很好地实现阻抗匹配，导致射频不佳。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种射频转接器，它能够很好地实现阻抗匹配，从而提高其射频性能。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:一种射频转接器，它包括:
[0005]外导体；
[0006]绝缘子，所述绝缘子安装在外导体内；
[0007]内导体，所述内导体支承在绝缘子上，所述内导体与绝缘子的接触部位设置有至少一组凸台凹槽配合结构，所述凸台凹槽配合结构包括插接配合在一起的凹槽和凸台，在一组凸台凹槽配合结构的凹槽和凸台中，其中一个设置在内导体上，另外一个设置在绝缘子上。
[0008]进一步，所述内导体与绝缘子的接触部位设置有三组凸台凹槽配合结构，分别为第一凸台凹槽配合结构、第二凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构，所述第二凸台凹槽配合结构设置在第一凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构之间；在第一凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构中，凹槽设置在内导体上，凸台设置在绝缘子上;在第二凸台凹槽配合机构中，凹槽设置在绝缘子上，凸台设置在内导体上。
[0009]所述第一凸台凹槽配合结构的凹槽的深度比第三凸台凹槽配合机构的凹槽的深度深。
[0010]所述绝缘子和外导体的接触部位上设置有由钩和钩槽组成的配合卡接结构。
[0011]所述内导体的端部均设置有插针孔，所述外导体的端部和内导体相应的端部分别组成端部插接部。
[0012]所述内导体的端部在围成插针孔的壁上开有沿着内导体轴向设置的收缩槽。
[0013]采用了上述技术方案后，本实用新型在内导体和绝缘子的接触部位设置有凸台凹槽配合结构，这种结构能够很好地改变内导体的结构，能够很好地实现阻抗匹配，从而提高其射频性能，另一方面，由于本实用新型的绝缘子和内导体之间设置有凸台凹槽配合结构，绝缘子和内导体之间的连接更加牢固，避免了内导体脱离的现象。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的射频转接器的结构示意图；
[0015]图2为图1的右视图；
[0016]图3为图1中的A部放大图。
【具体实施方式】
[0017]为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，组本实用新型作进一步详细的说明。
[0018]如图1?3所示，一种射频转接器，它包括:
[0019]外导体I;
[0020]绝缘子2，所述绝缘子2安装在外导体I内；
[0021 ]内导体3，所述内导体3支承在绝缘子2上，所述内导体3与绝缘子2的接触部位设置有至少一组凸台凹槽配合结构，所述凸台凹槽配合结构包括插接配合在一起的凹槽10和凸台20，在一组凸台凹槽配合结构的凹槽10和凸台20中，其中一个设置在内导体3上，另外一个设置在绝缘子2上。
[0022]如图3所示，所述内导体3与绝缘子2的接触部位设置有三组凸台凹槽配合结构，分别为第一凸台凹槽配合结构、第二凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构，所述第二凸台凹槽配合结构设置在第一凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构之间；在第一凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构中，凹槽10设置在内导体3上，凸台20设置在绝缘子2上;在第二凸台凹槽配合机构中，凹槽10设置在绝缘子2上，凸台20设置在内导体3上。
[0023]如图3所示，所述第一凸台凹槽配合结构的凹槽10的深度比第三凸台凹槽配合机构的凹槽10的深度深。
[0024]如图3所示，所述绝缘子2和外导体I的接触部位上设置有由钩30和钩槽40组成的配合卡接结构。
[0025]如图1所示，所述内导体3的端部均设置有插针孔31，所述外导体I的端部和内导体I相应的端部分别组成端部插接部。
[0026]如图1所示，所述内导体3的端部在围成插针孔31的壁上开有沿着内导体3轴向设置的收缩槽32。
[0027]本实用新型的工作原理如下:
[0028]本实用新型在内导体3和绝缘子2的接触部位设置有凸台凹槽配合结构，这种结构能够很好地改变内导体的结构，能够很好地实现阻抗匹配，从而提高其射频性能，另一方面，由于本实用新型的绝缘子2和内导体3之间设置有凸台凹槽配合结构，绝缘子2和内导体3之间的连接更加牢固，避免了内导体3脱离的现象。
[0029]以上所述的具体实施例，组本实用新型解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种射频转接器，其特征在于，它包括: 外导体(I); 绝缘子(2)，所述绝缘子(2)安装在外导体(I)内； 内导体(3)，所述内导体(3)支承在绝缘子(2)上，所述内导体(3)与绝缘子(2)的接触部位设置有至少一组凸台凹槽配合结构，所述凸台凹槽配合结构包括插接配合在一起的凹槽(10)和凸台(20)，在一组凸台凹槽配合结构的凹槽(10)和凸台(20)中，其中一个设置在内导体(3)上，另外一个设置在绝缘子(2)上。2.根据权利要求1所述的射频转接器，其特征在于:所述内导体(3)与绝缘子(2)的接触部位设置有三组凸台凹槽配合结构，分别为第一凸台凹槽配合结构、第二凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构，所述第二凸台凹槽配合结构设置在第一凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构之间；在第一凸台凹槽配合结构和第三凸台凹槽配合结构中，凹槽(10)设置在内导体(3)上，凸台(20)设置在绝缘子(2)上;在第二凸台凹槽配合机构中，凹槽(10)设置在绝缘子(2)上，凸台(20)设置在内导体(3)上。3.根据权利要求2所述的射频转接器，其特征在于:所述第一凸台凹槽配合结构的凹槽(10)的深度比第三凸台凹槽配合机构的凹槽(10)的深度深。4.根据权利要求1所述的射频转接器，其特征在于:所述绝缘子(2)和外导体(I)的接触部位上设置有由钩(30)和钩槽(40)组成的配合卡接结构。5.根据权利要求1所述的射频转接器，其特征在于:所述内导体(3)的端部均设置有插针孔(31)，所述外导体(I)的端部和内导体(I)相应的端部分别组成端部插接部。6.根据权利要求5所述的射频转接器，其特征在于:所述内导体(3)的端部在围成插针孔(31)的壁上开有沿着内导体(3)轴向设置的收缩槽(32)。
【文档编号】H01R13/6474GK205509178SQ201620142384
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月25日
【发明人】张飞, 刘泽民
【申请人】常州易泽科通信科技有限公司