专利名称：Slic芯片保护电路及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及到SLIC(Subscriber Line Interface Circuit，用户线接口电路芯片)保护技术，特别涉及到一种SLIC芯片保护电路及装置。
背景技术：
SLIC芯片可提供支持话机的模拟接口，通常为RJ11，可以直接连接电话机等设备。SLIC芯片以其高度集成化及灵活的可配置性，同时伴随价格的不断下降，在市场上得到广泛应用。但是，SLIC芯片的模拟接口是通常的两线电话线，而且线路基本都会出现在室外，可能由于雷击或交流电的感应等可使得电话线上容易出现浪涌，并且由于SLIC芯片本身的一些特性，对外界的干扰比较敏感，因此对SLIC芯片进行相应的保护是必不可少的。参照图1和图2所述，现有技术中通常是使用Bourns公司提供的保护芯片对SLIC 芯片进行可编程电压保护。该保护芯片保护两种，一种为保护长线型SLIC芯片的TISP9110 系列，另一种为保护短线型SLIC芯片的TISP61089系列。该TISP9110系列可在有正向过电压时，由TIP和RING引入过电压，当过电压高于 +VBAT时，将过电压能量转换为过电流，经TISP9110系列内部将过电流导入大地；还可在有负向过电压时，由大地引入过电压，当过电压低于-VBAT时，将过电压能量转换为过电流， 经TISP9110系列内部将过电流导入大地。该TISP61089系列可在有正向过电压时，由TIP和RING引入过电压，将过电压能量转换为过电流，经TISP61089系列内部将过电流导入大地；还可在有负向过电压时，由大地引入过电压，当过电压低于-VBAT时，将过电压能量转换为过电流，经TISP61089内部将过电流导入大地。上述两种保护芯片的通流量以及耐压能力有限，而且成本高。
发明内容
本发明的主要目的为提供一种SLIC芯片保护电路及装置，降低了生产成本以及提供更低残压和更高可靠性。本发明提出一种SLIC芯片保护电路，其特征在于，连接于信号线与SLIC芯片之间，包括全桥整流器、退耦元器件以及过压防护器件；所述过压防护器件与信号线并联对地，且两端分别通过退耦元器件连接至全桥整流器的交流输入端；所述全桥整流器的直流输出端连接SLIC芯片的供电电压；所述全桥整流器交流输入端还与SLIC芯片连接。优选地，所述SLIC芯片保护电路还包括前端固有的防护电路，与所述过压防护器件连接。优选地，所述过压防护器件包括半导体放电管、瞬态抑制二极管、压敏电阻、陶瓷气体放电管以及放电间隙中的其中之一。优选地，所述半导体放电管为非对称性的半导体放电管。
优选地，所述的退耦元器件包括电阻和/或PTC。本发明还提出一种SLIC芯片保护装置，连接于信号线与SLIC芯片之间，包括用于将装置接地的地线、接口端、全桥整流器、退耦元器件以及过压防护器件；所述过压防护器件通过所述接口端与信号线并联对地，且两端分别通过退耦元器件连接至全桥整流器的交流输入端；所述全桥整流器的直流输出端通过所述接口端连接SLIC芯片的供电电压；所述全桥整流器交流输入端通过所述接口端还与SLIC芯片连接。优选地，所述SLIC芯片保护装置还包括过前端固有的防护电路，与所述过压防护器件连接。优选地，所述过压防护器件包括半导体放电管、瞬态抑制二极管、压敏电阻、陶瓷气体放电管以及放电间隙中的其中之一。优选地，所述半导体放电管为非对称性的半导体放电管。优选地，所述的退耦元器件包括电阻和/或PTC。本发明的SLIC芯片保护电路及装置，通过简单的结构，为SLIC芯片提供可编程式的浪涌保护，降低了生产成本；而且，可提供更低残压和更高可靠性。
图1是现有技术中对长线型SLIC芯片的保护结构示意图；图2是现有技术中对短线型SLIC芯片的保护结构示意图；图3是本发明SLIC芯片保护电路一实施例中的框架结构示意图；图4是本发明SLIC芯片保护电路一实施例中的电路结构示意图；图5是本发明SLIC芯片保护电路一实施例中的另一电路结构示意图；图6是本发明SLIC芯片保护装置一实施例中的框架结构示意图。本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施例方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。参照图3，提出本发明一种SLIC芯片保护电路30的一实施例。该电路连接于信号线10与SLIC芯片20之间，包括全桥整流器31、退耦元器件32以及过压防护器件33 ；所述过压防护器件33与信号线10并联对地，且两端分别通过退耦元器件32连接至全桥整流器31的交流输入端；所述全桥整流器31的直流输出端连接SLIC芯片20的供电电压；所述全桥整流器31交流输入端还与SLIC芯片20连接。本实施例中上述上述信号线10为电话线，其包括Tip端以及Ring端；该退耦元件以及过压防护器件33分别至少为两个，此处都以两个为例，则该两个过压防护器件33串接对地，且余下两端分别通过一退耦元器件32连接至全桥整流器31的交流输入端，同时，该余下两端还分别与Tip端以及Ring端连接；所述全桥整流器31的直流输出端连接SLIC芯片20的供电电压；所述全桥整流器31交流输入端还与SLIC芯片20连接。该全桥整流器31的具体组成并不局限，可实现全桥整流即可。上述SLIC芯片保护电路30，还包括前端固有的防护电路34，其为前端固有的保护器件，与所述过压防护器件33连接，防过流。该前端固有的防护电路34设置有PTC (热敏元件)。上述过压防护器件33可包括但不限于半导体放电管(TSS)、瞬态抑制二极管 (TVS)、压敏电阻(MOV)、陶瓷气体放电管(GDT)以及放电间隙等的其中之一。该半导体放电管可为非对称性的半导体放电管。上述的退耦元器件32可包括但不限于电阻和/或PTC (热敏元件)。参照图4，针对长线型SLIC芯片20的保护，以下举出具体实例进行详细说明。上述过压防护器件33可为非对称性的半导体放电管，该非对称性的半导体放电管设置为两个，可使用BS0709M，且该SLIC芯片20的供电电压分别可接+Vbat (比如+75V)以及-Vbat (比如-48V)；上述退耦元器件32电阻R，该电阻R设置为两个，阻值各为20 Ω ；该信号线10可为电话线，包括Tip端以及Ring端，分别通过固有的前端固有的防护电路34连接至过压防护器件33的两端。在出现正向过电压时，该过电压由TIP和RING引入；当正向过电压大于+Vbat时， 两电阻R上会有过电流流过，当电阻R上积累的电压加上+Vbat的总电压达到放电管的开启电压后，放电管开始导通放电；此时，过电流就从放电管内部导入大地。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。在出现负向过电压时，该过电压由大地引入；当负向过电压低于-Vbat时，两电阻R 上会有过电流流过，当电阻R上积累的电压加上-Vbat的总电压达到放电管的开启电压后， 放电管开始导通放电；此时，过电流就可从放电管内部导向TIP和RING。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。参照图5，针对短线型SLIC芯片20的保护，以下举出具体实例进行详细说明。上述过压防护器件33可为非对称性的半导体放电管，该非对称性的半导体放电管设置为两个， 可使用BSl 100N-A1，且该SLIC芯片20的供电电压分别为0 (接地)以及-Vbat (比如-48V)； 上述退耦元器件32电阻R，该电阻R设置为两个，阻值各位20 Ω ；该信号线10可为电话线， 包括Tip端以及Ring端，分别通过前端固有的防护电路34连接至过压防护器件33的两端。在出现正向过电压时，该过电压由TIP和RING引入；当正向过电压到来时，两放电管直接导通放电，将过电压能量转换为过电流，经两放电管内部将过电流导入大地。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。在出现负向过电压时，该过电压由大地引入；当负向过电压低于-Vbat时，两电阻R 上会有过电流流过，当电阻R上积累的电压加上-Vbat的总电压达到放电管的开启电压后， 该放电管开始导通放电；此时，过电流就从放电管内部导向TIP和RING。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。上述放电管与全桥整流器31之间的电阻R的个数可灵活设置，只需保证阻值为预设值即可，比如20 Ω ；则该20 Ω的阻值可由一个电阻的阻值，也可是多个电阻的阻值叠加。上述SLIC芯片保护电路，通过简单的结构，为SLIC芯片20提供可编程式的浪涌保护，降低了生产成本；而且，可提供更低残压和更高可靠性。参照图6，提出本发明一种SLIC芯片保护装置40的一实施例。该装置连接于信号线10与SLIC芯片20之间，包括用于将装置接地的地线46、接口端45、全桥整流器41、退耦元器件42以及过压防护器件43 ；所述过压防护器件43通过所述接口端45与信号线10 并联对地，且两端分别通过退耦元器件42连接至全桥整流器41的交流输入端；所述全桥整流器41的直流输出端通过所述接口端45连接SLIC芯片20的供电电压；所述全桥整流器 41交流输入端通过所述接口端45还与SLIC芯片20连接。本实施例中上述上述信号线10为电话线，其包括Tip端以及Ring端；该退耦元件以及过压防护器件43分别至少为两个，此处都以两个为例，则该两个过压防护器件43串接对地，且余下两端分别通过一退耦元器件42连接至全桥整流器41的交流输入端，同时，该余下两端还分别通过接口端45与Tip端以及Ring端连接；所述全桥整流器41的直流输出端通过接口端45连接SLIC芯片20的供电电压；所述全桥整流器41交流输入端通过接口端45还与SLIC芯片20连接。该全桥整流器41的具体组成并不局限，可实现全桥整流即可。上述SLIC芯片保护装置40，还包括前端固有的防护电路44，其为前端固有的电路保护器件，与所述过压防护器件43连接，防过流。该前端固有的防护电路44设置有PTC (热敏元件)。上述过压防护器件43可包括但不限于半导体放电管(TSS)、瞬态抑制二极管 (TVS)、压敏电阻(MOV)、陶瓷气体放电管(GDT)以及放电间隙等的其中之一。该半导体放电管可为非对称性的半导体放电管。上述的退耦元器件42可包括但不限于电阻和/或PTC (热敏元件)。参照图4，针对长线型SLIC芯片20的保护，以下举出具体实例进行详细说明。上述过压防护器件43可为非对称性的半导体放电管，该非对称性的半导体放电管设置为两个，可使用BS0709M，且该SLIC芯片20的供电电压分别可接+Vbat (比如+75V)以及-Vbat (比如-48V)；上述退耦元器件42电阻R，该电阻R设置为两个，阻值各为20 Ω ；该信号线10可为电话线，包括Tip端以及Ring端，分别通过固有的前端固有的防护电路44连接至过压防护器件43的两端。在出现正向过电压时，该过电压由TIP和RING引入；当正向过电压大于+Vbat时， 两电阻R上会有过电流流过，当电阻R上积累的电压加上+Vbat的总电压达到放电管的开启电压后，放电管开始导通放电；此时，过电流就从放电管内部导入大地。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。在出现负向过电压时，该过电压由大地引入；当负向过电压低于-Vbat时，两电阻R 上会有过电流流过，当电阻R上积累的电压加上-Vbat的总电压达到放电管的开启电压后， 放电管开始导通放电；此时，过电流就可从放电管内部导向TIP和RING。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。参照图5，针对短线型SLIC芯片20的保护，以下举出具体实例进行详细说明。上述过压防护器件43可为非对称性的半导体放电管，该非对称性的半导体放电管设置为两个， 可使用BSl 100N-A1，且该SLIC芯片20的供电电压分别为0 (接地)以及-Vbat (比如-48V)； 上述退耦元器件42电阻R，该电阻R设置为两个，阻值各位20 Ω ；该信号线10可为电话线， 包括Tip端以及Ring端，分别通过固有的前端固有的防护电路44连接至过压防护器件43 的两端。
在出现正向过电压时，该过电压由TIP和RING引入；当正向过电压到来时，两放电管直接导通放电，将过电压能量转换为过电流，经两放电管内部将过电流导入大地。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。在出现负向过电压时，该过电压由大地引入；当负向过电压低于-Vbat时，两电阻R 上会有过电流流过，当电阻R上积累的电压加上-Vbat的总电压达到放电管的开启电压后， 该放电管开始导通放电；此时，过电流就从放电管内部导向TIP和RING。由此释放掉浪涌电流，保护SLIC芯片20不被损坏。上述放电管与全桥整流器41之间的电阻R的个数可灵活设置，只需保证阻值为预设值即可，比如20 Ω ；则该20 Ω的阻值可由一个电阻的阻值，也可是多个电阻的阻值叠加。上述SLIC芯片保护装置40，通过简单的结构，为SLIC芯片20提供可编程式的浪涌保护，降低了生产成本；而且，可提供更低残压和更高可靠性。以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种SLIC芯片保护电路，其特征在于，连接于信号线与SLIC芯片之间，包括全桥整流器、退耦元器件以及过压防护器件；所述过压防护器件与信号线并联对地，且两端分别通过退耦元器件连接至全桥整流器的交流输入端；所述全桥整流器的直流输出端连接 SLIC芯片的供电电压；所述全桥整流器交流输入端还与SLIC芯片连接。
2.根据权利要求1所述的SLIC芯片保护电路，其特征在于，还包括前端固有的防护电路，与所述过压防护器件连接。
3.根据权利要求1所述的SLIC芯片保护电路，其特征在于，所述过压防护器件包括半导体放电管、瞬态抑制二极管、压敏电阻、陶瓷气体放电管以及放电间隙中的其中之ο
4.根据权利要求3所述的SLIC芯片保护电路，其特征在于，所述半导体放电管为非对称性的半导体放电管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的SLIC芯片保护电路，其特征在于，所述的退耦元器件包括电阻和/或PTC。
6.一种SLIC芯片保护装置，其特征在于，连接于信号线与SLIC芯片之间，包括用于将装置接地的地线、接口端、全桥整流器、退耦元器件以及过压防护器件；所述过压防护器件通过所述接口端与信号线并联对地，且两端分别通过退耦元器件连接至全桥整流器的交流输入端；所述全桥整流器的直流输出端通过所述接口端连接SLIC芯片的供电电压；所述全桥整流器交流输入端通过所述接口端还与SLIC芯片连接。
7.根据权利要求6所述的SLIC芯片保护装置，其特征在于，还包括前端固有的防护电路，与所述过压防护器件连接。
8.根据权利要求6所述的SLIC芯片保护装置，其特征在于，所述过压防护器件包括半导体放电管、瞬态抑制二极管、压敏电阻、陶瓷气体放电管以及放电间隙中的其中之ο
9.根据权利要求8所述的SLIC芯片保护装置，其特征在于，所述半导体放电管为非对称性的半导体放电管。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的SLIC芯片保护装置，其特征在于，所述的退耦元器件包括电阻和/或PTC。
全文摘要
本发明揭示了一种SLIC芯片保护电路及装置。该电路连接于信号线与SLIC芯片之间，包括全桥整流器、退耦元器件以及过压防护器件；所述过压防护器件与信号线并联对地，且两端分别通过退耦元器件连接至全桥整流器的交流输入端；所述全桥整流器的直流输出端连接SLIC芯片的供电电压；所述全桥整流器交流输入端还与SLIC芯片连接。本发明的SLIC芯片保护装置，为SLIC芯片提供可编程式的浪涌保护，降低了生产成本；而且，可提供更低残压和更高可靠性。
文档编号H02H9/04GK102255303SQ201110184039
公开日2011年11月23日 申请日期2011年7月1日 优先权日2011年7月1日
发明者叶毓明, 张以警, 雷斌 申请人:深圳市槟城电子有限公司