专利名称：用于电容性负载的esd防护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于电容性负载的ESD防护电路，例如，用于MEMSV0A等电容性负载的ESD防护。
背景技术：
静电放电ESD是英文electrostatic discharge的缩写，是通过一非传导表面瞬间所泄放的静态电流，静电放电会造成电路中电子元器件的损坏和性能的下降，其产生根源是多方面的，很多产品莫名其妙的损坏就与静电放电有关，因此，对静电放电的防护越来越受到各企业的重视。尤其当电子器件本身具有储电能力，即具有电容的特性时，例如光通讯领域里的MEMS VOA, MEMS TF等器件，则常规的ESD防护电路会存有放电不充分，电路结构复杂所导致的成本增加或排版难度增加等问题。
发明内容为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种用于电容性负载的ESD防护电路。本实用新型的技术方案具体为用于电容性负载的ESD防护电路包含一瞬态电压抑制器和一与所述瞬态电压抑制器并联的电阻，所述瞬态电压抑制器和所述电阻与所述电容性负载并联连接。其中，所述电容性负载可以为MEMS VOA, MEMS TF等，所述瞬态电压抑制器可以采用一稳压二极管或一齐纳二极管或一 TVS 二极管来实现，也可以采用一压敏电阻来实现。与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果是当有静电放电时，瞬时高电压、大电流通过所述瞬时电压抑制器被引开释放掉，而残余的静电电压、电流则通过与所述瞬时电压抑制器并联的电阻而得到彻底释放，最终，使得负载器件避免了静电影响。因此， 本实用新型所提供的ESD电路具体放电充分的优点，而且，本实用新型的电路结构简单，成本也较低些。
图1是本实用新型所述ESD防护电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型做更进一步详细说明。如图1所示，瞬时电压抑制器采用的是稳压二极管，将稳压二极管Dl和电阻Rl与负载器件VOA并联连接，其中，稳压二极管Dl的负极与负载器件VOA的正极VOA+相连，其正极与负载器件VOA的负极VOA-相连，而且，从稳压二极管Dl两端引出有两电极A和B。当电极A点有瞬间高压涌入时，稳压二极管D5将A、B两点电压抑制在稳压二极管 Dl的反向击穿电压附近，同时，通过电阻Rl将一部分电流引向电极B点。[0011]而当电极B点有瞬间高压涌入时，稳压二极管Dl则处于正向导通状态，其将大部分电荷从电极B点引向电极A点，同时，通过电阻Rl将一部分电流引向电极A点。当瞬间高压放电结束时，负载器件VOA两端的残余的电势差将通过Rl逐渐释放掉，使负载器件VOA两极板最终达到平衡。从而，使负载器件VOA两极板免受因电压差过高而损毁的结果。由于齐纳二极管和TVS 二极管与稳压二极管一样，都具有在反向高压状态下产生齐纳雪崩的特性，压敏电阻也具有稳压管的伏安特性，因此，当稳压二极管改由齐纳二极管或者TVS 二极管或压敏电阻时，也能对负载器件起到相同的保护作用，其工作过程与上述稳压二极管近似。以上所述，仅为本实用新型最佳实施例而已，并非用于限制本实用新型的范围，凡依本实用新型申请专利范围所作的等效变化或修饰，皆为本实用新型所涵盖。
权利要求1.用于电容性负载的ESD防护电路，其特征在于，包含一瞬态电压抑制器和一与所述瞬态电压抑制器并联的电阻，所述瞬态电压抑制器，所述电阻与所述电容性负载并联连接。
2.如权利要求1所述的ESD防护电路，其特征在于，所述电容性负载为MEMSV0A。
3.如权利要求1所述的ESD防护电路，其特征在于，所述瞬态电压抑制器为一稳压二极管或一齐纳二极管或一 TVS 二极管。
4.如权利要求1所述的ESD防护电路，其特征在于，所述瞬态电压抑制器为一压敏电阻。
专利摘要本实用新型公开了一种用于电容性负载的ESD防护电路，包含一瞬态电压抑制器和一与所述瞬态电压抑制器并联的电阻，所述瞬态电压抑制器和所述电阻与所述电容性负载并联连接，所述电容性负载可以为MEMS VOA等器件，所述瞬态电压抑制器可以是稳压二极管或齐纳二极管或TVS二极管或压敏电阻。当有静电放电时，利用所述瞬态电压抑制器的开关功能，能将大部分静电释放掉，同时，利用所述电阻能将残余静电释放彻底，充分保护了负载器件，提高了系统工作的可靠性，而且，本实用新型所提供的ESD防护电路，结构简单，成本低廉。
文档编号H02H9/02GK202034777SQ20112015119
公开日2011年11月9日 申请日期2011年5月12日 优先权日2011年5月12日
发明者罗科 申请人:昂纳信息技术(深圳)有限公司