低压电动汽车的功率集成装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种低压电动汽车的功率集成装置，属于电机驱动【技术领域】。所述低压电动汽车的集成装置包括一个铝基板，该铝基板由电路层、绝缘导热层和金属基层组成。电路层由MOSFET模块构成，且MOSFET模块贴装在电路层中，由三组驱动全桥组成，每组驱动全桥由上下两个桥臂构成，每组驱动全桥的上下桥臂分别由数量相同的MOSFET元件并联组成，三组驱动全桥与驱动永磁电动机的三相相连，可驱动电动机输出。当电路层工作产生热量之后，电路层将产生的热量通过绝缘导热层传导到金属基层，由金属基层将产生的热量扩散到功率集成装置的外部。本发明采用三层结构的铝基板简化了功率集成装置装配的复杂度，降低了成本，提高了功率模块的使用率。
【专利说明】低压电动汽车的功率集成装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及电机驱动【技术领域】，特别涉及一种低压电动汽车的功率集成装置。
【背景技术】
[0002]随着能源和环境问题的日益突出，以低压电动汽车为代表的新能源电动汽车得到了人们的广泛关注。如果将低压电动汽车的电源供给装置称为低压电动汽车的功率集成装置，由于低压电动汽车的功率集成装置具有电压低、功率高等要求，导致低压电动汽车领域可供选择的功率集成装置较少:一方面选用IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)兀件或高功率的MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金属-氧化层半导体场效晶体管)元件的成本较高,另一方面选用单一的低功率的MOSFET又难以满足电动汽车的动力系统需求，因此，为了推动新能源电动汽车的发展，需要开发更多满足要求的低压电动汽车的功率集成装置。
[0003]目前所使用的低压电动汽车的功率集成装置主要由多个MOSFET元件通过复杂的连接关系构成。另外，目前所使用的低压电动汽车的功率集成装置一般未安装有相应的散热装置。
[0004]由于目前使用的低压电动汽车的功率集成装置装配复杂，导致现有的低压电动汽车的功率装置的成本较高，且由于现有的低压电动汽车的功率装置缺乏散热装置，使得低压电动汽车的功率装置的散热速度较慢，导致现有的低压电动汽车的功率集成装置损耗较大、使用率较低，因此，现有的低压电动汽车的功率装置仍然不能满足新能源电动汽车的发展需求。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种低压电动汽车的功率集成装置。
[0006]一方面提供了一种低压电动汽车的功率集成装置，所述装置包括一个铝基板，所述铝基板包括电路层、绝缘导热层和金属基层；
[0007]所述电路层至少包括贴装的MOSFET模块，所述MOSFET模块由三组驱动全桥组成，所述三组驱动全桥分别与驱动永磁电机的三相相连，每组驱动全桥由上桥臂和下桥臂组成，且每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂均由数量相同的MOSFET元件并联组成；
[0008]所述绝缘导热层内填充陶瓷聚合物，且置于所述电路层的下方；
[0009]所述金属基层置于所述绝缘导热层的下方。
[0010]结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述三组驱动全桥为W相驱动全桥、U相驱动全桥和V相驱动全桥，所述W相驱动全桥与驱动永磁电机的W相相连，所述U相驱动全桥与驱动永磁电机的U相相连，所述V相驱动全桥与驱动永磁电机的V相相连。
[0011]结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件对峙排列。
[0012]结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述W相驱动全桥的下桥臂一端与第一 B-裸露铜箔相连,另一端与W相裸露铜箔相连；所述W相驱动全桥的上桥臂一端与所述W相裸露铜箔相连，另一端与第一 B+裸露铜箔相连；
[0013]所述V相驱动全桥的上桥臂一端与所述第一 B+裸露铜箔相连，另一端与V相裸露铜箔相连；所述V相驱动全桥的下桥臂一端与所述V相裸露铜箔相连，另一端与第二 B-裸露铜箔相连；
[0014]所述U相驱动全桥的下桥臂一端与所述第二 B-裸露铜箔相连，另一端与U相裸露铜箔相连；所述U相驱动全桥的上桥臂一端所述U相裸露铜箔相连，另一端与第二 B+裸露铜箔相连；
[0015]其中，所述第一 B-裸露铜箔和所述第二 B-裸露铜箔与电源负极相连，所述第一 B+裸露铜箔和所述第二 B+裸露铜箔与电源正极相连。
[0016]结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一 B-裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述W相裸露铜箔相连；
[0017]构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述W相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第一 B+裸露铜箔相连。
[0018]结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一 B+裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述V相裸露铜箔相连；
[0019]构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述V相裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第二 B-裸露铜箔相连。
[0020]结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第二 B-裸露铜箔相连，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述U相裸露铜箔相连；
[0021]构成U相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述U相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第二 B+裸露铜箔相连。
[0022]结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的是实现方式中，所述电路层还包括固定螺钉孔；
[0023]所述固定螺钉孔位于所述第一 B-裸露铜箔、所述W相裸露铜箔、所述第一 B+裸露铜箔、所述V相裸露铜箔、所述第二 B-裸露铜箔、所述U相裸露铜箔和第二 B+裸露铜箔的中间位置，且每个裸露铜箔上的固定螺钉孔的数量不少于一个。
[0024]结合第一方面，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述电路层还包括一层铜箔、驱动信号连接端子和保护电路；
[0025]所述电路层还包括一层铜箔、驱动信号连接端子、驱动电路和保护电路；
[0026]所述铜箔连接所述驱动信号连接端子、所述MOSFET模块的三组驱动全桥和所述保护电路。
[0027]结合第一方面，在第一方面的第九种可能的实现方式中，所述电路层还包括铝基板固定螺钉孔、防错孔和定位孔；
[0028]所述铝基板固定螺钉孔位于铝基板两侧，且所述铝基板固定螺钉孔的数量至少为一个；
[0029]所述防错孔位于电路层的边缘，且所述防错孔的数量至少为一个；
[0030]所述定位孔与金属基层的金属散热片定位捎对应，且所述定位孔的数量至少为一个。
[0031]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0032]由于本发明实施例提供的低压电动汽车的集成装置包括一个铝基板，该铝基板由电路层、绝缘导热层和金属基层组成。当电路层工作产生热量之后，电路层将产生的热量通过绝缘导热层传导到金属基层，由金属基层将产生的热量扩散到功率集成装置的外部。因此，简化了功率集成装置装配的复杂度，降低了成本，提高了功率模块的使用率。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本发明一个实施例提供的低压电动汽车的功率模块集成装置的结构示意图；
[0035]图2是本发明另一个实施例提供的MOSFET模块并联电路的示意图；
[0036]图3是本发明另一个实施例提供的低压电动汽车功率集成装置的电路层铝基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0037]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0038]由于现有的低压电动汽车的功率集成装置由各个MOSFET元件通过复杂的连接关系构成，导致现有的低压电动汽车的功率集成装置的成本较高，且由于现有的低压电动汽车的功率集成装置缺乏散热装置，导致现有的低压电动汽车的功率集成装置损耗较大，使用率较低。
[0039]为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种低压电动汽车的功率集成装置。参见图1，该装置包括一个铝基板，该铝基板包括电路层101、绝缘导热层102和金属基层103。
[0040]其中，电路层101至少包括贴装的MOSFET模块，且MOSFET模块由三组驱动全桥组成，三组驱动全桥分别与驱动永磁电机的三相相连，每组驱动全桥由上桥臂和下桥臂组成，且每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂均由数量相同的MOSFET元件并联组成；
[0041]绝缘导热层102内填充陶瓷聚合物，且置于电路层101的下方；
[0042]金属基层103置于绝缘导热层102的下方。
[0043]本发明实施例提供的低压电动汽车的集成装置包括一个铝基板，该铝基板由电路层、绝缘导热层和金属基层组成。当电路层工作产生热量之后，电路层将产生的热量通过绝缘导热层传导到金属基层，由金属基层将产生的热量扩散到功率集成装置的外部。因此，简化了功率集成装置装配的复杂度，降低了成本，提高了功率模块的使用率。
[0044]如图1所示，本发明的另一个实施例提供了一种低压电动机车的功率集成装置，该装置包括一个铝基板，该铝基板包括电路层101、绝缘导热层102和金属基层103。
[0045]电路层101由MOSFET模块组成，且MOSFET模块贴装在电路层中，由三组驱动全桥组成，三组驱动全桥分别与驱动永磁电机的三相相连，用于驱动电机输出。其中，驱动永磁电机的三相包括但不限于W相、V相和U相,本实施例不对驱动永磁电动器的三相作作具体的限定。
[0046]具体地，每组驱动全桥由上桥臂和下桥臂组成，且每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂均由数量相同的MOSFET元件并联组成。其中，组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件的个数可以为3个、4个、5个等，本实施例不对组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件的个数作具体的限定。
[0047]为了直观的展现上述介绍的MOSFET元件的结构，下面将一个具体的例子进行介绍。
[0048]参见图2，图2为一种MOSFET模块的并联电路图。由图2可知，该MOSFET模块由24 个 MOSFET 元件组成，分别为 Ql、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Qll、Q12、Q13、Q14、Q15、Q16、Q17、Q18、Q19、Q20、Q21、Q22、Q23、Q24。其中，Ql 至 Q8 构成 W 相驱动全桥，Q9 至Q16构成V相驱动全桥，Q17至Q24构成U相驱动全桥。具体地，W相驱动全桥的上桥臂由Ql至Q4这四个MOSFET元件并联组成，W相驱动全桥的下桥臂由Q5至Q8这四个MOSFET元件并联组成相驱动全桥的上桥臂由Q9至Q12这四个MOSFET元件并联组成，V相驱动全桥的下桥臂由Q13至Q16这四个MOSFET元件并联组成；U相驱动全桥的上桥臂由Q17至Q20这四个MOSFET元件并联组成，U相驱动全桥的下桥臂由Q21至Q24这四个MOSFET元件并联组成。
[0049]另外，图2中的I为MOSFET元件的栅极，2为MOSFET元件的漏极，3为MOSFET元件的源极。其中，源极为起发射作用的电极，漏极为起集电作用的电极。
[0050]绝缘导热层102置于电路层101的下方，绝缘导热层内填充陶瓷聚合物，用于传导电路层产生的热量。其中，陶瓷聚合物包括但不限于氮化硅等，本实施例不对陶瓷聚合物作具体的限定。
[0051]金属基层103置于绝缘导热层102的下方，金属基层103用于将电路层101传导到绝缘导热层102的热量扩散到低压电动汽车的功率集成装置的外部。其中，金属基层的厚度为2毫米、3毫米、5毫米等，本实施例不对金属基层作具体的限定。金属基层103可以为铝基层等，本实施例不对金属基层作具体的限定。
[0052]需要说明的是，本实施中MOSFET模块贴装在电路层中，最大限度地增加了 MOSFET模块与电路层铝基板的接触面积，减小了接触热阻，提高了 MOSFET模块的散热性能，降低了损耗，提高了驱动功率。
[0053]作为一种可选的实施例，三组驱动全桥包括但不限于W相驱动全桥、U相驱动全桥和V相驱动全桥等，本实施例不对三组驱动全桥作具体的限定。其中，W相驱动全桥与驱动永磁电机的W相相连，U相驱动全桥与驱动永磁电机的U相相连，V相驱动全桥与驱动永磁电机的V相相连。三组驱动全桥通过与驱动永磁电机的三相相连可驱动电机输出电流，为低压电动汽车提供电能。具体地，三组驱动全桥中的每组驱动全桥可输出的最大电流为720安。
[0054]进一步地，由于本发明的MOSFET模块中可同时集成了 U、V和W三相驱动全桥，当低压电动汽车需要更大的输出电流时，可将集成了 U、V和W三相驱动全桥的多个铝基板并联，而无需在一个铝基板上集成多个MOSFET元件，因此，简化了低压电动汽车的功率集成装置的装配的复杂度，降低了低压电动汽车的成本。
[0055]作为一种可选的实施例，组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件为对峙排列。
[0056]作为一种可选的实施例，W相驱动全桥的下桥臂一端与第一 B-裸露铜箔相连,另一端与W相裸露铜箔相连;W相驱动全桥的上桥臂一端与W相裸露铜箔相连,另一端与第一B+裸露铜箔相连；
[0057]V相驱动全桥的上桥臂一端与第一 B+裸露铜箔相连,另一端与V相裸露铜箔相连；V相驱动全桥的下桥臂一端与V相裸露铜箔相连,另一端与第二 B-裸露铜箔相连；
[0058]U相驱动全桥的下桥臂一端与第二 B-裸露铜箔相连，另一端与U相裸露铜箔相连；U相驱动全桥的上桥臂一端U相裸露铜箔相连,另一端与第二 B+裸露铜箔相连。
[0059]其中，第一 B-裸露铜箔和第二 B-裸露铜箔与电源负极相连，第一 B+裸露铜箔和第二 B+裸露铜箔与电源正极相连，
[0060]由上述分析可知，三组驱动全桥的上桥臂与电源正极相连，三组驱动全桥的下桥臂与电源负极相连。仍以上述图2为例，由图2可知，组成W相驱动全桥的上桥臂的四个MOSFET元件Ql至Q4并联后与电源负极B-相连，组成W相驱动全桥的下桥臂的四个MOSFET元件Q5至Q8并联后与电源正极B+相连；组成V相驱动全桥的上桥臂的四个MOSFET元件Q9至Q12并联后与电源负极B-相连，组成V相驱动全桥的下桥臂的四个MOSFET元件Q13至Q16并联后与电源正极B+相连；组成U相驱动全桥的上桥臂的四个MOSFET元件Q17至Q120并联后与电源负极B-相连，组成U相驱动全桥的下桥臂的四个MOSFET元件Q21至Q24并联后与电源正极B+相连。
[0061]基于上述图2，本发明实施例提供了一种低压电动汽车功率集成装置的电路层铝基板的结构示意图。参见图3，电路层铝基板按照U相区、V相区和W相区被分为三个区域，其中，电路层铝基板的左侧区域为W相区，电路层铝基板的中间区域为V相区，电路层铝基板的中间区域为V相区，即Ql至Q8分布在铝基板左侧区域，Q9至Q16分布在铝基板中间区域，Q17至Q24分布在铝基板右侧区域。除了 MOSFET元件外，电路层铝基板上还集成了B-裸露铜箔2、12，W相裸露铜箔5，B+裸露铜箔6、11，V相裸露铜箔7，U相裸露铜箔9。其中，W相裸露铜箔5为W相区内的裸露铜箔，V相裸露铜箔7为V相区内的裸露铜箔，U相裸露铜箔9为U相区内的裸露铜箔。
[0062]结合图2和图3, W相驱动全桥的下桥臂左侧为第一 B-裸露铜箔2,右侧为W相裸露铜箔5，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件Ql至Q4的源极3并联后与第一 B-裸露铜箔相连2，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件Ql至Q4的漏极2并联后与W相裸露铜箔5相连;W相驱动全桥的上桥臂左侧为W相裸露铜箔5,右侧为第一 B+裸露铜箔6,构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件Q5至Q8的源极2并联后与W相裸露铜箔5相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件Q5至Q8的漏极3并联后与第一 B+裸露铜箔6相连。
[0063]以上述图2和图3为例，作为一种可选的实施例，V相驱动全桥的上桥臂的左侧为第一 B+裸露铜箔6，右侧为V相裸露铜箔7，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件Q13至Q16的源极3并联后与第一 B+裸露铜箔相连6，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件Q13至Q16的漏极2并联后与V相裸露铜箔7相连；V相驱动全桥的下桥臂左侧为V相裸露铜箔7，右侧为第二 B-裸露铜箔12，构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件Q9至Q12的源极3并联后与V相裸露铜箔7相连，构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件Q9至Q12的漏极2并联后与第二 B-裸露铜箔12相连。
[0064]以上述图2和图3为例，作为一种可选的实施例，U相驱动全桥的下桥臂左侧为第二 B-裸露铜箔11，右侧为U相裸露铜箔9，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件Q17至Q20的源极2并联后与第二 B-裸露铜箔11相连，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件Q17至Q20的漏极2并联后与U相裸露铜箔相连9 ；
[0065]U相驱动全桥的上桥臂的左侧为U相裸露铜箔9，右侧为第二 B+裸露铜箔11，构成U相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件Q21至Q24的源极3并联后与U相裸露铜箔9相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件Q21至Q24的漏极2并联后与第二 B+裸露铜箔11相连。
[0066]作为一种可选的实施例，参见图3，为了简化对低压电动汽车的功率集成装置中的各个MOSFET并联的复杂度，本实施例提供的方法还在第一 B-裸露铜箔2、W相裸露铜箔5、第一 B+裸露铜箔6、第二 B-裸露铜箔12、V相裸露铜箔7、U相裸露铜箔9和第二 B+裸露铜箔11的中间位置设置固定螺钉孔3，通过固定螺钉孔3可在每个裸露铜箔上压接一个铜牌，从而将各个裸露铜箔固定在电路层101上。其中，每个裸露铜箔上的固定螺钉孔的数量可以为I个、2个、3个等，本实施例不对每个裸露铜箔上的固定螺钉孔的数量作具体的限定。
[0067]作为一种可选的实施例，参见图3，电路层101还包括一层铜箔、驱动信号连接端子8和保护电路。
[0068]其中，铜箔的厚度可以为4oz (盎司)、5OZ、6OZ等，本实施例不对铜箔的厚度作具体的限定。铜箔用于连接驱动信号连接端子8、M0SFET模块的三组驱动全桥和保护电路。驱动信号连接端子8用于输入MOSFET模块的栅极控制信号，使MOSFET模块的三组驱动全桥导通和截止于同一时间，从而便于对各个并联的MOSFET元件进行控制。保护电路用于减少MOSFET模块与电路层铝基板101的杂散电感，以提高MOSFET模块的稳定性、减小损坏率。
[0069]作为一种可选的实施例，参见图3，电路层101还包括铝基板固定螺钉孔1、防错孔10和定位孔4。其中，铝基板固定螺钉孔I位于铝基板的两侧，用于将铝基板固定在金属散热外壳上。铝基板固定螺钉孔的数量可以为I个、2个、5个等，本实施例不对铝基板固定螺钉孔的数量作具体的限定。防错孔10位于电路层101的边缘，用于防止将电路层101的W相驱动全桥、U相驱动全桥和V相驱动全桥装配反向。对于防错孔的数量可以为I个、2个、3个等，本实施例不对防错孔的数量作具体的限定。定位孔4与金属基层103的金属散热片定位捎对应，用于防止装配金属基层103时金属基层103发生位移。对于定位孔4的数量可以为I个、2个、3个等，本实施例不对定位孔的数量作具体的限定。
[0070]本发明提供的低压电动汽车的集成装置包括一个铝基板，该铝基板由电路层、绝缘导热层和金属基层组成。当电路层工作产生热量之后，电路层将产生的热量通过绝缘导热层传导到金属基层，由金属基层将产生的热量扩散到功率集成装置的外部。因此，简化了功率集成装置装配的复杂度，降低了成本，提高了功率模块的使用率。
[0071]需要说明的是:上述实施例提供的低压电动汽车的功率模块，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将低压电动汽车的功率模块的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的低压电动汽车的功率模块实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
[0072]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0073]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0074]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述装置包括一个铝基板，所述铝基板包括电路层、绝缘导热层和金属基层； 所述电路层至少包括贴装的金属-氧化层半导体场效晶体管MOSFET模块，所述MOSFET模块由三组驱动全桥组成，所述三组驱动全桥分别与驱动永磁电机的三相相连，每组驱动全桥由上桥臂和下桥臂组成，且每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂均由数量相同的MOSFET元件并联组成； 所述绝缘导热层内填充有陶瓷聚合物，且置于所述电路层的下方； 所述金属基层置于所述绝缘导热层的下方。
2.根据权利要求1所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述三组驱动全桥为W相驱动全桥、U相驱动全桥和V相驱动全桥，所述W相驱动全桥与驱动永磁电机的W相相连，所述U相驱动全桥与驱动永磁电机的U相相连，所述V相驱动全桥与驱动永磁电机的V相相连。
3.根据权利要求1或2所述的低压电动地车的功率集成装置，其特征在于，组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件对峙排列。
4.根据权利要求2所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述W相驱动全桥的下桥臂一端与第一 B-裸露铜箔相连,另一端与W相裸露铜箔相连；所述W相驱动全桥的上桥臂一端与所述W相裸露铜箔相连,另一端与第一 B+裸露铜箔相连； 所述V相驱动全桥的上桥臂一端与所述第一 B+裸露铜箔相连，另一端与V相裸露铜箔相连；所述V相驱动全桥的下桥臂一端与所述V相裸露铜箔相连，另一端与第二 B-裸露铜箔相连； 所述U相驱动全桥的下桥臂一端与所述第二 B-裸露铜箔相连，另一端与U相裸露铜箔相连；所述U相驱动全桥的上桥臂一端所述U相裸露铜箔相连，另一端与第二 B+裸露铜箔相连； 其中，所述第一 B-裸露铜箔和所述第二 B-裸露铜箔与电源负极相连，所述第一 B+裸露铜箔和所述第二 B+裸露铜箔与电源正极相连。
5.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一 B-裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述W相裸露铜箔相连； 构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述W相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第一 B+裸露铜箔相连。
6.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一 B+裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述V相裸露铜箔相连； 构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述V相裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第二 B-裸露铜箔相连。
7.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第二 B-裸露铜箔相连，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述U相裸露铜箔相连； 构成U相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述U相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第二 B+裸露铜箔相连。
8.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述电路层还包括固定螺钉孔； 所述固定螺钉孔位于所述第一 B-裸露铜箔、所述W相裸露铜箔、所述第一 B+裸露铜箔、所述V相裸露铜箔、所述第二 B-裸露铜箔、所述U相裸露铜箔和第二 B+裸露铜箔的中间位置，且每个裸露铜箔上的固定螺钉孔的数量不少于一个。
9.根据权利要求1所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述电路层还包括一层铜箔、驱动信号连接端子和保护电路； 所述铜箔连接所述驱动信号连接端子、所述MOSFET模块的三组驱动全桥和所述保护电路。
10.根据权利要求1所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述电路层还包括铝基板固定螺钉孔、防错孔和定位孔； 所述铝基板固定螺钉孔位于铝基板两侧，且所述铝基板固定螺钉孔的数量至少为一个； 所述防错孔位于电路层的边缘，且所述防错孔的数量至少为一个； 所述定位孔与金属基层的金属散热片定位捎对应，且所述定位孔的数量至少为一个。
【文档编号】H02M7/00GK104167931SQ201410364516
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】凌欢, 吴瑞, 杭孟荀, 邵平 申请人:奇瑞汽车股份有限公司