1.一种输入上电防冲击预充电电路，其特征在于：具有预充电电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、限流电阻R4、限流电阻R5、延时电容E1、稳压管Z1、稳压管Z2、NMOS管Q1、三极管Q2；
所述预充电电阻R1一端连接DC-DC转换器的负极输入端，所述预充电电阻R1的另一端连接外部电源的负极输入端；外部电源的负极输入端接地，外部电源的正极输入端接DC-DC转换器的正极输入端；
所述NMOS管Q1的D极接DC-DC转换器的负极输入端，所述NMOS管Q1的S极接地，所述NMOS管Q1的G极接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的另一端接稳压管Z2的负极，稳压管Z2的正极接限流电阻R5的一端，限流电阻R5的另一端接三极管Q2的B极，三极管Q2的C极接DC-DC转换器的控制端，三极管Q2的E极接地；
所述延时电容E1的正极接NMOS管Q1的G极，所述延时电容E1的负极接地；
所述稳压管Z1的负极接稳压管Z2的负极，所述稳压管Z1的正极接地；
所述分压电阻R3一端接外部电源的正极输入端，所述分压电阻R3的另一端接稳压管Z2的负极，所述分压电阻R2一端接稳压管Z2的负极，所述分压电阻R2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的输入上电防冲击预充电电路，其特征在于：具有电容C1，所述电容C1一端接NMOS管Q1的G极，所述电容C1的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的输入上电防冲击预充电电路，其特征在于：具有电容C2，所述电容C2一端接接三极管Q2的B极，所述电容C2的另一端接地。
4.根据权利要求1所述的输入上电防冲击预充电电路，其特征在于：所述NMOS管Q1的D极接寄生二极管的负极，所述NMOS管Q1的S极接寄生二极管的正极。