1.一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：包括有桥式模块、功率因数电感Lp、变压器T、隔直电容Cp、谐振电感Lr、阻尼模块、第一钳位模块、开关管Q1以及输出模块；
所述桥式模块的输入端与交流电连接；所述桥式模块的一个输出端通过功率因数电感Lp与变压器T初级线圈的一端连接；所述桥式模块的一个输出端通过阻尼模块与谐振电感Lr的一端连接；所述谐振电感Lr的另一端与变压器T初级线圈的另一端连接；
所述隔直电容Cp的一端与谐振电感Lr的一端连接，隔直电容Cp的另一端与桥式模块的另一个输出端连接；
所述开关管Q1的漏极与变压器T初级线圈的一端连接，开关管Q1的源极与桥式模块的另一个输出端连接；
所述第一钳位模块的一端与变压器T初级线圈的一端连接，第一钳位模块的另一端与桥式模块的另一个输出端连接；
所述输出模块与变压器T次级线圈连接。
2.根据权利要求1所述的一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：第一钳位模块包括有二极管D1、MOS管Q2以及钳位电容C2；所述MOS管Q2的源极与变压器T初级线圈的一端连接，MOS管Q2的漏极通过钳位电容C2与桥式模块的另一个输出端连接；所述二极管D1的正极与MOS管Q2的源极连接，二极管D1的负极与MOS管Q2的漏极连接。
3.一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：包括有功率因数电感Lp、变压器T、隔直电容Cp、谐振电感Lr、阻尼模块、第二钳位模块、开关管Q3、开关管Q4以及输出模块；
所述功率因数电感Lp的一端与交流电输入源的一端连接，功率因数电感Lp的另一端与变压器T初级线圈的一端连接；所述功率因数电感Lp的一端通过阻尼模块与谐振电感Lr的一端连接；所述谐振电感Lr的另一端与变压器T初级线圈的另一端连接；
所述隔直电容Cp的一端与谐振电感Lr的一端连接，隔直电容Cp的另一端与交流电输入源的另一端连接；
所述开关管Q3的漏极与变压器T初级线圈的一端连接，开关管Q3的源极与开关管Q4的源极连接；所述开关管Q4的漏极与交流电输入源的另一端连接；
所述第二钳位模块的一端与变压器T初级线圈的一端连接，第二钳位模块的另一端与交流电输入源的另一端连接；
所述输出模块与变压器T次级线圈连接。
4.根据权利要求3所述的一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：所述第二钳位模块包括有MOS管Q5、MOS管Q6以及钳位电容C2；所述MOS管Q5的源极与变压器T初级线圈的一端连接，MOS管Q5的漏极与MOS管Q6的源极连接；所述MOS管Q6的漏极通过钳位电容C2与交流电输入源的另一端连接。
5.根据权利要求4所述的一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：所述钳位电容C2并联有翻转模块；所述翻转模块包括有电感L1、三极管D2以及三极管D3；所述电感L1的一端与钳位电容C2的一端连接；所述电感L1的另一端与三极管D2的集电极连接；所述三极管D2的发射极与三极管D3的发射极连接；所述三极管D3的集电极与钳位电容C2的另一端连接。
6.根据权利要求1或3所述的一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：所述阻尼模块包括有电阻Rd以及电感Ld；所述电感Ld的一端与功率因数电感Lp的一端连接；所述电感Ld的另一端与电阻Rd的一端连接；所述电阻Rd的另一端与谐振电感Lr的一端连接。
7.根据权利要求1或3所述的一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：所述输出模块包括有电感L2、电容CL1、电容CL2、电容C2、电阻R1以及由二极管Ds1、二极管Ds2、二极管Ds3、二极管Ds4组成的整流桥；所述变压器T的次级线圈的两个端口分别与整流桥的两个输入端连接；所述整流桥的一个输出端通过电容CL1与整流桥的另一个输出端连接；所述整流桥的一个输出端与电感L2的一端连接；所述电感L2的另一端通过电阻R1与整流桥的另一个输出端连接；所述电感L2的另一端通过电容CL2与整流桥的另一个输出端连接；所述电感L2的一端通过电容C2与电阻R1连接。