1.一种医疗芯片的体内电源模块，其特征在于，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块；所述整流模块包括：第一电容C1的第一端连接输入电压VIN，第一二极管D1的正极连接第一电容C1的第二端，第二二极管D2的正极连接第一电容C1的第二端、负极接地电压，第二电容C2的第一端连接第一二极管D1的负极、第二端接地电压，所述稳压模块包括：第三电容C3的一端连接第一二极管D1的负极，第三电容C3的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地电压，第一NMOS管N1的栅极连接第一PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的源极，第一PMOS管P2的源极连接第一二极管D1的负极，第一PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地电压；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源极连接第一二极管D1的负极，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的栅极连接第一运算放大器OP1的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第二PMOS管P3的漏极连接第一运算放大器OP1的正向输入端、第一PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地电压，第一电阻R1的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地电压；第三PMOS管P4的漏极连接第一运算放大器OP1的反向输入端以及第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地电压，电阻第三电阻R3的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地电压；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源极均连接第一二极管D1的负极，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第四PMOS管P5的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第三NMOS管N3的栅极和漏极，第三NMOS管N3的源极接地电压，第五PMOS管P6的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第四NMOS管N4的漏极，第四NMOS管N4的栅极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第四NMOS管N4的源极接地电压；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源极连接第一二极管D1的负极，第六PMOS管P7的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第六PMOS管P7的漏极连接第七PMOS管P8的漏极，第七PMOS管P8的源极连接第一二极管D1的负极，第七PMOS管P8的栅极连接第一NMOS管N1的漏极，第七PMOS管P8的漏极连接输出端VOUT，第六电阻R6的第一端连接第七PMOS管P8的漏极，第六电阻R6的第二端接地电压。
2.如权利要求1所述的一种医疗芯片的体内电源模块，其特征在于，所述第一三极管Q1和所述第二三极管Q2均为PNP管。
3.一种包括权利要求1所述的医疗芯片的体内电源模块的芯片系统，其特征在于，所述芯片系统还包括压电陶瓷、传感器、数据存储装置和数据读取装置。