1.一种控制电动助力转向(EPS)系统的方法，该系统包括一个或多个逆变器桥，每个逆变器桥连接到被配置为向车辆转向提供电力辅助的多相马达，其中每个逆变器包括多个开关元件，每个开关元件与马达的一相相关联，该方法包括：
响应于检测到影响所述逆变器桥中的一个或多个逆变器桥中的电流流动的预定义事件，通过将栅极-源极电压施加到一个或多个受影响的逆变器桥的开关元件中的一个或多个来阻止在所述一个或多个受影响的逆变器中的电流流动。
2.如权利要求1所述的方法，其中检测预定义事件包括检测逆变器桥内的所述开关元件之一处或所述开关元件之一内部的故障事件。
3.如权利要求1所述的方法，其中检测预定义事件包括检测EPS装置的电力中断。
4.如权利要求1所述的方法，其中开关元件被配置为在反向偏置超过反向导通阈值电压时在关断状态下导通，并且其中施加栅极-源极电压包括施加负栅极-源极电压，以控制处于关断状态的开关元件的反向导通阈值电压。
5.如权利要求1所述的方法，其中施加栅极-源极电压还包括使用栅极驱动器施加栅极-源极电压。
6.如权利要求5所述的方法，其中施加栅极-源极电压还包括：
(i)打开开关，从而断开栅极驱动器使其无法驱动开关元件，并使用由马达生成的相电压来施加栅极-源极电压；或者
(ii)打开开关并使用栅极驱动器施加栅极-源极电压。
7.如权利要求6所述的方法，其中在(i)中，打开开关还包括允许栅极电压跟随漏极电压。
8.如权利要求2所述的方法，还包括确定开关元件两端的反向偏置，并且控制处于关断状态的反向导通阈值电压大于施加在开关元件两端的反向偏置，以阻止电流流动。
9.如权利要求2所述的方法，其中响应于检测到受影响的逆变器桥内所述开关元件之一处或所述开关元件之一内部的故障事件而阻止受影响的逆变器中的电流流动还包括切断受影响的逆变器中的其它开关元件。
10.如权利要求3所述的方法，其中响应于检测到EPS装置的电力中断而阻止受影响的逆变器内的电流流动还包括切断每个逆变器中的每个开关元件。
11.如权利要求1所述的方法，其中施加栅极-源极电压还包括当在每一相中流动的电流低于预定义的阈值电流值时施加栅极-源极电压。
12.如权利要求1所述的方法，其中检测故障事件包括监视以下中的一个或多个：
所述/每个开关元件的源极-漏极电压；
所述/每个开关元件内的电流方向；
马达的相的电流或电压；以及
该方法还包括将这些确定的参数中的一个或多个与对应的预定阈值进行比较。
13.如权利要求1所述的方法，其中阻止受影响的逆变器中的电流流动发生，而无需在马达和逆变器之间使用附加的电流阻断开关元件。
14.如权利要求1所述的方法，其中所施加的栅极-源极电压小于开关设备的最大源极-栅极电压额定值。
15.一种用于电动助力转向(EPS)装置的控制系统，包括：
一个或多个逆变器桥，每个逆变器桥连接到被配置为向车辆转向提供电力辅助的多相马达，每个逆变器桥具有多个开关元件，每个开关元件与马达的一相相关联；以及
控制装置，被配置为控制开关元件以在正常操作下控制到马达的相的电流，并且响应于检测到影响所述逆变器桥中的一个或多个逆变器桥的电流流动的预定义事件，根据权利要求1至14中任一项所述的方法，通过向受影响的逆变器桥的开关元件中的一个或多个施加栅极-源极电压来控制开关元件处于阻断模式，以阻止在受影响的所述一个或多个逆变器桥中的电流流动。
16.如权利要求15所述的系统，其中控制装置包括连接在开关元件的源极电极和栅极电极之间的栅极驱动器。
17.如权利要求16所述的系统，其中控制装置还包括：
电阻器，将栅极电极连接到开关元件的漏极电极；
开关，连接在栅极驱动器和源极电极之间，或连接在栅极驱动器和栅极电极之间，其中开关被配置为在正常操作下闭合并且在阻断模式下打开；以及
二极管，与所述开关并联连接。
18.如权利要求17所述的系统，其中，在阻断模式下，(i)控制装置被配置为当开关元件被反向偏置时断开栅极驱动器使其无法驱动开关设备，使得栅极电极上的电压跟随漏极电压并且栅极-源极电压由从马达生成的相电压施加；或(ii)控制装置被配置为当开关元件正向偏置时维持栅极驱动器连接。
19.如权利要求15所述的系统，其中预定义的事件是逆变器桥内的所述多个开关元件之一处或所述多个开关元件之一内部的故障事件，并且该系统还包括故障事件检测装置。
20.如权利要求19所述的系统，其中故障检测装置包括用于监视以下中的一个或多个的监视设备：
所述/每个开关元件的源极-漏极电压；
所述/每个开关元件内的电流方向；
马达的相的电流或电压。
21.如权利要求15所述的系统，其中开关元件被配置为当反向偏置超过反向导通阈值电压时在关断状态下导通，并且其中，当处于阻断模式时，控制装置被配置为通过向处于关断状态的开关元件施加栅极-源极电压来控制反向导通阈值电压。
22.如权利要求15所述的系统，其中开关元件是氮化镓场效应晶体管(FET)，并且可选地或优选地是n型增强模式氮化镓FET。