本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种逆变电路。
背景技术：
在医疗领域普遍采用IGBT模块来进行驱动，设计简便，方案成熟，但是无法达到更高的逆变频率也就将X射线的稳定性限制住，无法再做进一步的提升。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种逆变电路，以解决现有技术中的不足。
为了达到上述目的，本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的：
提供一种逆变电路，包括第一互感器、全波整流器、第二互感器、第一极性电容、第二极性电容、无极性电容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一稳压管、第二稳压管、第三稳压管和第四稳压管，所述第一互感器、所述全波整流器和所述第二互感器依次连接，所述第二互感器的两端分别连接所述第一极性电容的两端，所述第一极性电容的正极分别连接所述第一MOS管的D端、所述第二MOS管的D端、所述第三MOS管的D端、所述第四MOS管的D端、所述第九MOS管的D端、所述第十MOS管的D端、所述第十一MOS管的D端、所述第十二MOS管的D端、所述第二极性电容的正极和所述无极性电容的一端，所述第一极性电容的负极分别连接所述第五MOS管的S端、所述第六MOS管的S端、所述第七MOS管的S端、所述第八MOS管的S端、所述第十三MOS管的S端、所述第十四MOS管的S端、所述第十五MOS管的S端、所述第十六MOS管的S端、所述第二极性电容的负极和所述无极性电容的另一端，所述第一MOS管的G端分别连接所述第一电阻的一端和所述第一稳压管的负极，所述第一电阻的另一端分别连接所述第一稳压管的正极、所述第一MOS管的S端、所述第二MOS管的S端、所述第三MOS管的S端、所述第四MOS管的S端、所述第五MOS管的D端、所述第六MOS管的D端、所述第七MOS管的D端和所述第八MOS管的D端，所述第九MOS管的G端分别连接所述第二电阻的一端和所述第二稳压管的负极，所述第二电阻的另一端分别连接所述第二稳压管的正极、所述第九MOS管的S端、所述第十MOS管的S端、所述第十一MOS管的S端和所述第十二MOS管的S端，所述第十三MOS管的G端分别连接所述第三电阻的一端和所述第三稳压管的负极，所述第三电阻的另一端分别连接所述第三稳压管的正极、所述第十三MOS管的S端、所述第十四MOS管的S端、所述第十五MOS管的S端和所述第十六MOS管的S端，所述第九MOS管的S端连接所述第十三MOS管的D端，所述第五MOS管的G端分别连接所述第四电阻的一端和所述第四稳压管的负极，所述第四电阻的另一端分别连接所述第四稳压管的正极、所述第五MOS管的S端、所述第六MOS管的S端、所述第七MOS管的S端和所述第八MOS管的S端。
上述逆变电路，其中，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管、所述第五MOS管、所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管、所述第十一MOS管、所述第十二MOS管、所述第十三MOS管、所述第十四MOS管、所述第十五MOS管和所述第十六MOS管均为N沟道MOS管。
上述逆变电路，其中，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻和所述第四电阻均为5.1kΩ，所述第一极性电容为1500μF，所述第二极性电容为300μF，所述无极性电容为2μF。
与已有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
系统采用MOS管设计，使得逆变频率可以大幅提升，输出电压的稳定性得到了良好的保障，相比于采用IGBT模块频率高，好维修，同时节省成本，采用的互感器进行电流波形采集，保证了整个逆变模块工作在稳定状态，如果出现故障能在最短时间内进行停止工作防止设备的损坏或发生危险。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1示出了本实用新型逆变电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
参考图1所示，本实用新型逆变电路包括第一互感器TV1、全波整流器VM1、第二互感器TV2、第一极性电容CM1、第二极性电容C1、无极性电容C2、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12、第十三MOS管Q13、第十四MOS管Q14、第十五MOS管Q15、第十六MOS管Q16、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一稳压管V1、第二稳压管V2、第三稳压管V3和第四稳压管V4，第一互感器TV1、全波整流器VM1和第二互感器TV2依次连接，第二互感器TV2的两端分别连接第一极性电容CM1的两端，第一极性电容CM1的正极分别连接第一MOS管Q1的D端、第二MOS管Q2的D端、第三MOS管Q3的D端、第四MOS管Q4的D端、第九MOS管Q9的D端、第十MOS管Q10的D端、第十一MOS管Q11的D端、第十二MOS管Q12的D端、第二极性电容C1的正极和无极性电容C2的一端，第一极性电容CM1的负极分别连接第五MOS管Q5的S端、第六MOS管Q6的S端、第七MOS管的S端Q7、第八MOS管Q8的S端、第十三MOS管Q13的S端、第十四MOS管Q14的S端、第十五MOS管Q15的S端、第十六MOS管Q16的S端、第二极性电容C1的负极和无极性电容C2的另一端，第一MOS管Q1的G端分别连接第一电阻R1的一端和第一稳压管V1的负极，第一电阻R1的另一端分别连接第一稳压管V1的正极、第一MOS管Q1的S端、第二MOS管Q2的S端、第三MOS管Q3的S端、第四MOS管Q4的S端、第五MOS管Q5的D端、第六MOS管Q6的D端、第七MOS管Q7的D端和第八MOS管Q8的D端，第九MOS管Q9的G端分别连接第二电阻R2的一端和第二稳压管V2的负极，第二电阻R2的另一端分别连接第二稳压管V2的正极、第九MOS管Q9的S端、第十MOS管Q10的S端、第十一MOS管Q11的S端和第十二MOS管Q12的S端，第十三MOS管Q13的G端分别连接第三电阻R3的一端和第三稳压管V3的负极，第三电阻R3的另一端分别连接第三稳压管V3的正极、第十三MOS管Q13的S端、第十四MOS管Q14的S端、第十五MOS管Q15的S端和第十六MOS管Q16的S端，第九MOS管Q9的S端连接第十三MOS管Q13的D端，第五MOS管Q5的G端分别连接第四电阻R4的一端和第四稳压管V4的负极，第四电阻R4的另一端分别连接第四稳压管V4的正极、第五MOS管Q5的S端、第六MOS管Q6的S端、第七MOS管Q7的S端和第八MOS管Q8的S端。本技术方案中，第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12、第十三MOS管Q13、第十四MOS管Q14、第十五MOS管Q15和第十六MOS管Q16均为N沟道MOS管。第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4均为5.1kΩ，第一极性电容CM1为1500μF，第二极性电容C1为300μF，无极性电容C2为2μF。全波整流器VM1末端输出直流电压充电于第一极性电容CM1(储能电容)，在有逆变信号时，MOS管分为四组工作组成逆变器，互感器在电路中实时监测逆变输出波形的稳定性。
从上述实施例可以看出，本实用新型的优势在于：
系统采用MOS管设计，使得逆变频率可以大幅提升，输出电压的稳定性得到了良好的保障，相比于采用IGBT模块频率高，好维修，同时节省成本，采用的互感器进行电流波形采集，保证了整个逆变模块工作在稳定状态，如果出现故障能在最短时间内进行停止工作防止设备的损坏或发生危险。
以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述，但本实用新型并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本实用新型的范围内。