绝缘栅型半导体器件驱动电路的制作方法

文档序号:17604476发布日期:2019-05-07 20:37阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种绝缘栅型半导体器件驱动电路,用于提供驱动例如X相的绝缘栅型半导体器件即IGBT(1)的栅极的充放电电流,其包括:采用电流镜方式来驱动IGBT(1)的恒流生成部(11)、根据驱动信号将注入到IGBT(1)的栅极的电荷释放出的放电电路(13)、以及经由缓冲器(6)向放电电路(13)提供驱动信号并且经由电平移位电路(7)向PMOS晶体管(3)的栅极输入驱动信号从而切换绝缘栅型半导体器件的栅极的充电/放电的切换电路(12)。

技术研发人员:森贵浩
受保护的技术使用者:富士电机株式会社
技术研发日:2017.12.25
技术公布日:2019.05.07
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