2.动作>
[0075]在实施方式I所涉及的驱动电路101中，NchMOSFET 5导通，由此使得PchMOSFETI的栅极电位降低至GND电位，将PchMOSFET I切换为导通电阻驱动动作。但是，如果NchMOSFET 5和PchMOSFET 3串联连接，则成为使PchMOSFET I的栅极电位向GND电位降低的妨碍。因此，在驱动电路103A中形成为如下结构，即，在NchMOSFET 5导通时，通过使PchMOSFET 26不导通，从而将电流镜电路的基准侧从输出侧切断。由此，能够使PchMOSFETI的栅极电位顺利地降低至GND电位。
[0076]漏型侧的结构也相同地，在NchMOSFET 6导通时，通过使PchMOSFET 27不导通，从而能够使NchMOSFET 2的栅极电位顺利地上升至VD。
[0077]< C-3.变形例 >
[0078]图8示出了实施方式3的变形例I所涉及的驱动电路103B的电路图。驱动电路103B在驱动电路103A的结构的基础上，还具有延时电路32、33。延时电路32在源型侧，设置于AND门13和NchMOSFET 5的栅极电极之间。另外，延时电路33在漏型侧，设置于AND门14和NchMOSFET 6的栅极电极之间。
[0079]通过设置了延时电路32，从而在AND门13的输出pmoscnt的逻辑电平从“L”切换为“H”之后，直至NchMOSFET 5导通为止产生延迟。因此，如果pmoscnt的逻辑电平从L切换为H，则在NchMOSFET 5导通之前PchMOSFET 26先变为不导通，电流镜电路的基准侧相对于输出侧被切断。因此，能够可靠地使PchMOSFET I进行导通电阻驱动动作。
[0080]漏型侧的动作也相同。通过设置了延时电路33，如果AND门14的输出nmoscnt的逻辑电平从“L”切换为“H”，则在NchMOSFET 6导通之前PchMOSFET 27先变为不导通，电流镜电路的基准侧相对于输出侧被切断。因此，能够可靠地使NchMOSFET 2进行导通电阻驱动动作。
[0081]如图9所示，延时电路32、33可以由栅极电阻负载34、35构成。
[0082]图10是实施方式3的变形例2所涉及的驱动电路103C的电路图。驱动电路103C在驱动电路103A的结构的基础上，还具有偏置电流控制电路，该偏置电流控制电路在从恒定电流驱动转换为导通电阻驱动时，将电流镜电路的偏置电流截止。
[0083]具体而言，偏置电流控制电路在驱动电路103C的源型侧具有:Ν0Τ门28，其接受AND门13的输出pmoscnt ；以及AND门30，其接受NOT门28的输出。AND门30除了 NOT门28的输出以外，还接受控制信号pwmsignal，其输出被输入至NOT门11。
[0084]另外，偏置电流控制电路在驱动电路103C的漏型侧具有:Ν0Τ门29，其接受AND门14的输出nmoscnt ;以及OR门31，其接受NOT门29的输出。OR门31除了 NOT门29的输出以外，还接受控制信号pwmsignal，其输出被输入至NOT门12。
[0085]在控制信号pwmsignal为H、驱动电路103C转换为导通电阻驱动时，AND门13的输出pmoscnt变为“H”。此时，经由NOT门28而将“L”输入至AND门30，因此AND门30的输出变为“L”。因此，NchMOSFET 7变为不导通。其结果，未生成由NchMOSFET 7引起的偏置电流。
[0086]在控制信号pwmsignal为“L”、驱动电路103C转换为导通电阻驱动时，AND门14的输出nmoscnt变为“H”。此时，经由NOT门29而将“L”输入至OR门31，因此OR门31的输出变为“L”。因此，PchMOSFET 8变为不导通。其结果，未生成由PchMOSFET 8引起的偏置电流。
[0087]如果设为在切换为导通电阻驱动之后也生成偏置电流，则电路电流因该偏置电流而增大，但通过使NchMOSFET 7、PchMOSFET 8截止，从而能够防止电路电流的增大。
[0088]< C-4.效果 >
[0089]实施方式3所涉及的驱动电路103A还具有第2晶体管(PchMOSFET 26)，该第2晶体管的第I电流电极(漏极电极)及第2电流电极(源极电极)与基准晶体管(PchMOSFET3)和输出晶体管(PchMOSFET I)的共通控制线连接，第2晶体管的控制电极(栅极电极)与第I晶体管(NchMOSFET 5)的控制电极(栅极电极)连接。因此，在将第I晶体管导通、将驱动电路103A的动作切换为导通电阻驱动动作时，通过将电流镜电路的基准侧从输出侧切断，从而能够使输出晶体管的控制电位从电流镜电路的镜像动作时的电位开始进行变化，能够顺利地向导通电阻驱动切换。
[0090]另外，驱动电路103B在控制电路和第I晶体管(NchMOSFET 5)之间具有电阻电路等延时电路，因此能够在第I晶体管导通之前先利用第2晶体管将电流镜电路的基准侧从输出侧切断，能够顺利地向导通电阻驱动切换。
[0091 ] 另外，驱动电路103C具有偏置电流控制电路(AND门30、NOT门28、OR门31、NOT门29)，该偏置电流控制电路在第I晶体管(NchMOSFET 5)导通时使第3晶体管(NchMOSFET7)不导通，因此能够防止在导通电阻驱动时由偏置电流引起的电路电流的增大。
[0092]< D.实施方式4 >
[0093]在实施方式I所涉及的驱动电路101中，通过将NchMOSFET 5导通而使PchMOSFETI进行了导通电阻驱动动作，但在该期间在电流镜电路的基准侧也流过由NchMOSFET 7引起的偏置电流，这成为使电路电流增大的主要原因。
[0094]因此，在实施方式4所涉及的驱动电路104中，使得在导通电阻驱动动作时不流动该偏置电流。
[0095]<D-1.结构>
[0096]图11是驱动电路104的电路图。在驱动电路101中，作为第I晶体管而将NchMOSFET 5、6与电流镜电路的共通控制线进行了连接。与此相对，在驱动电路104中，将第I晶体管与电流镜电路的基准晶体管(PchMOSFET 3、NchMOSFET 4)串联连接。S卩，将PchMOSFET 44 与 PchMOSFET 3 串联连接，将 PchMOSFET 45 与 NchMOSFET 4 串联连接。
[0097]除此以外的驱动电路104的结构和驱动电路101相同，AND门13的输出端子与PchMOSFET 44的栅极电极连接，AND门14的输出端子与PchMOSFET 45的栅极电极连接。
[0098]<D_2.动作>
[0099]在源型动作中，在将动作从恒定电流驱动向导通电阻驱动切换时，AND门13的输出pmoscnt从L切换为H。此时，PchMOSFET 44变为不导通，因此电流镜电路的基准侧变为高阻抗。因此，不流过由NchMOSFET 7引起的偏置电流，能够防止电路电流的增大。
[0100]在漏型动作中，在将动作从恒定电流驱动向导通电阻驱动切换时，AND门14的输出nmoscnt从L切换为H。此时，PchMOSFET 45变为不导通，因此电流镜电路的基准侧变为高阻抗。因此，不流过由PchMOSFET 8引起的偏置电流，能够防止电路电流的增大。
[0101]< D-3.效果 >
[0102]在实施方式4所涉及的驱动电路104中，PchMOSFET 44,45与电流镜电路的基准晶体管(PchMOSFET 3、NchMOSFET 4)串联连接，成为电位变化电路的第I晶体管。在从恒定电流驱动向导通电阻驱动转换时，PchMOSFET 44、45变为不导通，由此能够使电流镜电路的基准侧形成为高阻抗，能够防止流过偏置电流。因此，能够防止导通电阻驱动时的电路电流的增大。
[0103]< E?实施方式5 >
[0104]<Ε-1.结构>
[0105]图12是实施方式5所涉及的驱动电路105的电路图。驱动电路105在驱动电路101的结构的基础上，取代用于生成电流镜电路的偏置电流的NchMOSFET 7以及PchMOSFET8，而设置有第2电流镜电路。
[0106]此外，这里为了加以区别，将由PchMOSFET 1、3构成的电流镜电路称为第I电流镜电路。
[0107]在驱动电路105的源型侧，第2电流镜电路具有:作为输出晶体管的NchMOSFET40 ;以及作为基准晶体管的NchMOSFET 38，其与NchMOSFET 40进行电流镜像连接，使镜像电流流过NchMOSFET 40。具体而言，NchMOSFET 38和NchMOSFET 40的栅极电极彼此连接，将NchMOSFET 38的栅极电极和漏极电极短路。
[0108]NchMOSFET 40与PchMOSFET 3串联连接。另外，生成第2电流镜电路的偏置电流的PchMOSFET 36(第4晶体管)与NchMOS