与输出正端O3+连接，其中输出正端O3+与输出地端O3地之间并联有电容Cl O。
[0063]LLC谐振半桥式主控制开关Κ4与Κ5会以脉冲频率调制的方式，交错开通和关闭。
[0064]开关Κ5闭合、Κ4断开期间:输入电流从输入正端13+经过Κ5、谐振电感L3流过变压器Τ4的原边绕组，经过电容C9，从输入地线返回到输入负(地线)；与此同时，因为变压器Τ4的同名端，第一个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位低第二个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位高;此时第一个被驱动的MOS管Ql的栅极G驱动信号为高电平，即导通;第二个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为低电平，即关闭。
[0065]开关Κ4闭合、Κ5断开期间:输入侧电流从CS的正端，经变压器Τ4的原边绕组，再经电感L3、K4至输入地线；与此同时，因为变压器Τ5的同名端关系，第二个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位低，第一个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位高；第二个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为高电平，即导通;第一个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为低电平，即关闭.
[0066]开关K4、K5都断开期间:因为电容ClO的存在，第一个被驱动的MOS管Ql和第二个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位均会比第一源极SI电位高，两个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl的驱动信号转为低电平，即关闭。
[0067]下一个开关周期，重复上述过程。
[0068]5、如图7所述，本实用新型中的MOS管的同步自驱动电路在半桥式同步整流电路中的应用:
[0069 ]使用时，采用两组本实用新型图1中的MOS管的同步自驱动电路，两组MOS管的同步自驱动电路中的结点栅极G、漏极D和源极S分别与半桥式同步整流电路中的两个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl、第一漏极Dl和地相连接。
[0070]其中，半桥式同步整流电路中设置有开关Κ6和Κ7，变压器Τ5、电感L4、电容C11、电容C12、电阻R10、电阻RU。
[0071]半桥式主控制开关Κ6与Κ7不会同时开通，他们会以脉冲宽度调制的方式，交错开通和关闭。
[0072]其中变压器Τ5的原边绕组一端通过开关Κ7与输入正端I4+连接，变压器Τ4的原边绕组的另一端通过电容CU与输入地端I4ft连接，其中变压器Τ4的原边绕组和电容CU连接后的两端与开关Κ6并联;第一个被驱动的MOS管Ql设置在变压器Τ5的副边绕组的一端与输出地端O她之前，其中第一漏极Dl与变压器Τ5的副边绕组的一端连接，第一源极SI与输出地端O哋连接，第一栅极Gl通过电阻RlO与输出地端O她连接;变压器Τ5的副边绕组的另一端通过第二个被驱动的MOS管Ql与输出地端O她连接，其中第一漏极DI与变压器Τ5的副边绕组的另一端连接，第一源极SI与输出地端O她连接，第一栅极GI通过电阻R11与输出地端O哋连接;变压器T5副边绕组的中间抽头与输出正端04+通过电感L4连接，其中输出正端04+与输出地端0她之间并联有电容C12。
[0073]开关Κ7闭合、开关Κ6断开时:输入电流从输入正端I4+经过Κ7流过变压器Τ5的原边绕组，经过电容Cll，从输入地端I4地返回到输入负(地线)；与此同时，因为变压器Τ5的同名端关系，第一个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位低，第二个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位高。第一个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为高电平，即导通;第二个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为低电平，即关闭。
[0074]开关Κ6闭合、开关Κ7断开期间:输入侧电流从电容Cll的正端，经变压器Τ5的原边绕组，再经开关Κ4至地线，流回输入负；与此同时，因为变压器Τ5的同名端关系，第二个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位低，第一个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位高；第二个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为高电平，即导通;第一个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为低电平，即关闭。
[0075]开关Κ6、Κ7都断开期间:输入侧电流为零；因为电感L4电流不能突变，当电感L4电流大于零时，流过电感L4的电流会分别从两个被驱动的MOS管Ql的第一源极SI流向第一漏极D1，因此第一漏极Dl电位会比第一源极SI的电位低;两个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl驱动信号为高电平，即导通;一旦电感L4的电流下降到零，因电容C12的存在，两个被驱动的MOS管Ql的第一漏极Dl电位均会比第一源极SI电位高，进而两个被驱动的MOS管Ql的第一栅极Gl的驱动信号转为低电平，即关闭。
[0076]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管Dl、电阻R3、电阻R4、辅助电源Vcc ； 其中三极管Q2的内部有两个对称的NPN三极管Q21和Q22，二极管Dl的内部有两个对称的二极管Dl I和Dl 2; 所述三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2连接后形成连接节点，所述连接节点通过电阻R3与辅助电源Vcc正极连接;所述三极管Q21的发射极El与所述二极管Dll的阳极连接;所述三极管Q22的发射极E2与所述二极管D12的阳极连接;所述三极管Q21的集电极Cl通过电阻R4与所述辅助电源Vcc正极连接； 所述三极管Q3的基极B3和三极管Q4的基极B4的连接节点与所述集电极Cl连接;所述三极管Q3的发射极E3和三极管Q4的发射极E4的连接节点与被驱动的MOS管的栅极G连接;所述三极管Q4的集电极C4与所述辅助电源Vcc正极连接;所述三极管Q3的集电极C3、二极管Dl I的阴极和被驱动的MOS管源极S通过同一节点连接;所述二极管D12的阴极与被驱动的MOS管漏极D连接； 所述辅助电源Vcc负极与被驱动的MOS管源极S连接。2.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述三极管Q21和Q22的电气特性相同。3.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述二极管Dll和D12的电气特性相同。4.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述三极管Q3为PNP三极管，所述三极管Q4为NPN三极管。5.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述被驱动的MOS管的同步自驱动电路还包括二极管D2，所述二极管D2的阳极与所述三极管Q21的基极B1、三极管Q22的基极B2和集电极C2三者的连接节点连接，所述二极管D2的阴极与所述集电极Cl连接。6.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述三极管Q3的基极B3和三极管Q4的基极B4的连接节点通过电阻R2与所述被驱动的MOS管的源极S连接。7.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述三极管Q3的发射极E3和三极管Q4的发射极E4的连接节点与被驱动的MOS管的栅极G之间还设置有电阻Rl。8.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述辅助电源Vcc设置有去耦电容C，所述去耦电容C 一端与辅助电源Vcc正极连接，另一端与所述被驱动的MOS管的源极S连接。9.根据权利要求1所述的MOS管的同步自驱动电路，其特征在于，所述辅助电源Vcc负极与所述被驱动的MOS管的源极S之间的电压值在+3.3V?+20V之间。
【专利摘要】本实用新型公开了一种MOS管的同步自驱动电路，包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管D1、电阻R3、电阻R4、辅助电源Vcc。通过采用本实用新型中的MOS管的同步自驱动电路，代替了原有价格高昂的控制芯片来为同步整流被驱动的MOS管提供同步自驱动信号，其通用性强，可应用于不同的拓扑结构电路中，更具有实用价值。
【IPC分类】H02M1/08
【公开号】CN205232015
【申请号】CN201521018806
【发明人】兰爱春
【申请人】常州诚联电源股份有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月10日