Mos驱动保持电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及MOS驱动保持电路。
【背景技术】
[0002]现有MOS驱动保持电路比较复杂，成本高。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种MOS驱动保持电路，利用MOS门极高阻抗特性，给MOS信号后，能持续导通达2.5秒种，并自动复位为截止状态。
[0004]为实现上述目的，本实用新型的技术方案是设计一种MOS驱动保持电路，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点；
[0005]所述信号输入端通过第一支路连接信号输出端;所述第一支路上由信号输入端至信号输出端依次串联有电感、第一二极管、第一电阻；
[0006]所述第一二极管的正极与电感连接，所述第一二极管的负极与第一电阻连接；
[0007]所述第一二极管的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容；
[0008]所述第一二极管的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容；
[0009]所述MOS管的漏极与第一支路连接，所述MOS管漏极与第一支路的连接点位于电感和第一二极管之间；
[0010]所述MOS管的源极连接接地点；
[0011]所述MOS管的栅极通过第四支路与PNP三极管的集电极连接;所述第四支路上设有第二二极管;所述第二二极管的正极与PNP三极管的集电极连接，所述第二二极管的负极与MOS管的栅极连接；
[0012]所述PNP三极管的发射极连与第一支路连接，所述PNP三极管发射极与第一支路的连接点位于第一二极管和第一电阻之间；
[0013]所述PNP三极管的基极通过第五支路连接信号输出端;所述第五支路上设有第二电阻；
[0014]所述MOS管的栅极通过第六支路连接接地点;所述第六支路上设有第三电容；
[0015]所述MOS管的栅极还通过第七支路连接接地点;所述第七支路上设有第三电阻。
[0016]本实用新型的优点和有益效果在于:提供一种MOS驱动保持电路，利用MOS门极高阻抗特性，给MOS信号后，能持续导通达2.5秒种，并自动复位为截止状态。
【附图说明】
[0017]图1是本实用新型的示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
[0019]本实用新型具体实施的技术方案是:
[0020]如图1所示，一种MOS驱动保持电路，包括信号输入端INPUT+、M0S管Q1、PNP三极管Q2、信号输出端Signal和接地点；
[0021 ]所述信号输入端INPUT+通过第一支路连接信号输出端Signal;所述第一支路上由信号输入端INPUT+至信号输出端Signal依次串联有电感L1、第一二极管Dl、第一电阻Rl;
[0022]所述第一二极管Dl的正极与电感LI连接，所述第一二极管Dl的负极与第一电阻Rl连接；
[0023]所述第一二极管Dl的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容Cl;
[0024]所述第一二极管Dl的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容C2;
[0025]所述MOS管Ql的漏极D与第一支路连接，所述MOS管Ql漏极D与第一支路的连接点位于电感LI和第一二极管Dl之间；
[0026]所述MOS管Ql的源极S连接接地点；
[0027]所述MOS管Ql的栅极G通过第四支路与PNP三极管Q2的集电极C连接;所述第四支路上设有第二二极管D2;所述第二二极管D2的正极与PNP三极管Q2的集电极C连接，所述第二二极管D2的负极与MOS管Ql的栅极G连接；
[0028]所述PNP三极管Q2的发射极E连与第一支路连接，所述PNP三极管Q2发射极E与第一支路的连接点位于第一二极管Dl和第一电阻Rl之间；
[0029]所述PNP三极管Q2的基极B通过第五支路连接信号输出端Signal;所述第五支路上设有第二电阻R2;
[0030]所述MOS管Ql的栅极G通过第六支路连接接地点；所述第六支路上设有第三电容C3；
[0031 ]所述MOS管Ql的栅极G还通过第七支路连接接地点；所述第七支路上设有第三电阻R3o
[0032]利用MOS门极高阻抗特性，给MOS信号后，能持续导通达2.5秒种，并自动复位为截止状态。
[0033]原理:当Signal提供一个置低信号(>5mS)时，Q2导通，电流通过D2给C3充电，当Q2截止时，由C3维持Ql导通，通过R3放电，直到C3两端电压低于Ql开启阀值时Ql截止导通。
[0034]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.MOS驱动保持电路，其特征在于，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点； 所述信号输入端通过第一支路连接信号输出端;所述第一支路上由信号输入端至信号输出端依次串联有电感、第一二极管、第一电阻； 所述第一二极管的正极与电感连接，所述第一二极管的负极与第一电阻连接； 所述第一二极管的正极通过第二支路连接接地点，所述第二支路上设有第一电容； 所述第一二极管的负极通过第三支路连接接地点，所述第三支路上设有第二电容； 所述MOS管的漏极与第一支路连接，所述MOS管漏极与第一支路的连接点位于电感和第一二极管之间； 所述MOS管的源极连接接地点； 所述MOS管的栅极通过第四支路与PNP三极管的集电极连接;所述第四支路上设有第二二极管;所述第二二极管的正极与PNP三极管的集电极连接，所述第二二极管的负极与MOS管的栅极连接； 所述PNP三极管的发射极连与第一支路连接，所述PNP三极管发射极与第一支路的连接点位于第一二极管和第一电阻之间； 所述PNP三极管的基极通过第五支路连接信号输出端;所述第五支路上设有第二电阻； 所述MOS管的栅极通过第六支路连接接地点;所述第六支路上设有第三电容； 所述MOS管的栅极还通过第七支路连接接地点;所述第七支路上设有第三电阻。
【专利摘要】本实用新型公开了一种MOS驱动保持电路，包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点。本实用新型MOS驱动保持电路，利用MOS门极高阻抗特性,给MOS信号后，能持续导通达2.5秒种,并自动复位为截止状态。
【IPC分类】H03K17/687
【公开号】CN205283506
【申请号】CN201521109234
【发明人】朱志勇, 崔炎, 王小六
【申请人】苏州松田微电子有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月29日