一种基于多层线路板的三相逆变器结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于多层线路板的三相逆变器结构，具有电位T+、Phase、T?，并包括第一、第二、第三层线路板以及十二个IGBT场效应管；所述第一、第二、第三、第四IGBT场效应管安装在所述第一层线路板上，所述第五、第六、第七、第八IGBT场效应管安装在所述第二层线路板上，所述第九、第十、第十一、第十二IGBT场效应管安装在所述第三层线路板上。本实用新型的有益效果在于：本实用新型基于多层线路板结构，线路板具有可靠性能高、寄生参数低、导通阻抗可控等优点；本实用新型适用于大规模生产，制造成本低，质量和一致性高。
【专利说明】
一种基于多层线路板的三相逆变器结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及三相逆变器技术领域，尤其涉及一种基于多层线路板的三相逆变器结构。
【背景技术】
[0002]随着汽车工业发展，电动汽车科技越来越多样化。电机控制器作为控制电动汽车动力系统的核心，目前电动汽车驱动电机通常是使用永磁同步电机或三相异步电机，因此电机控制器均使用三相逆变器结构。
[0003]三相逆变器结构通常是由支撑电容和功率元件构成，目前符合电动汽车要求的功率元件一般使用一个三相桥壁结构的模组，或三个半桥结构的模组，但这种高度集成化的功率元件仅有极少数厂商具备制造能力，其价格非常昂贵，且可扩展性和灵活性极差，无法满足如今电动汽车的多种等级需求和快速市场响应。
[0004]因此，越来越多的电机控制器制造商尝试使用已经大规模生产，且具备多种符合汽车等级要求的功率元器件来设计电机控制器，功率元器件之间彼此分离，分离的各个功率元器件需要在彼此间实现电气连接才可以完成三相逆变器结构。目前，分离的功率元器件的电气连接多采用复合母排结构，其制造成本较高，工艺复杂，可靠性低。
[0005]为此，
【申请人】进行了有益的探索和尝试，找到了解决上述问题的办法，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题:针对现有技术的不足而提供一种制造成本相对较低、生产工艺简化、可靠性高的基于多层线路板的三相逆变器结构。
[0007]本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0008]—种基于多层线路板的三相逆变器结构，具有电位T+、Phase、T-，并包括第一、第二、第三层线路板以及十二个IGBT场效应管；
[0009 ]所述第一、第二、第三、第四IGBT场效应管安装在所述第一层线路板上，所述第一、第二 IGBT场效应管的发射极和第三、第四IGBT场效应管的集电极连接至所述电位Phase上，所述第三、第四IGBT场效应管的发射极连接至所述电位T-上；
[0010]所述第五、第六、第七、第八IGBT场效应管安装在所述第二层线路板上，所述第五、第六IGBT场效应管的发射极连接至所述电位Phase上，所述第五、第六IGBT场效应管的集电极连接至所述电位T+上，所述第七、第八IGBT场效应管的发射极连接至所述电位T-上；
[0011]所述第九、第十、第十一、第十二IGBT场效应管安装在所述第三层线路板上，所述第九、第十IGBT场效应管的发射极连接至所述电位Phase上，所述第^^一、第十二 IGBT场效应管的发射极连接至电位T-上。
[0012]在本实用新型的一个优选实施例中，所述IGBT场效应管为带有阻尼二极管的IGBT场效应管。
[0013]由于采用了如上的技术方案，本实用新型的有益效果在于:本实用新型基于多层线路板结构，线路板具有可靠性能高、寄生参数低、导通阻抗可控等优点；本实用新型适用于大规模生产，制造成本低，质量和一致性高。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0017]参见图1，图中给出的是一种基于多层线路板的三相逆变器结构，具有电位T+、Phase、T-，其中，T+为逆变器高压输入正电位，T-为逆变器高压输入负电位，Phase为逆变器交流输出相电位，并包括第一、第二、第三层线路板100、200、300以及IGBT场效应管400a、40013、400(3、400(1、40(^、40(^、40(^、40011、400丨、400」、4001^、4001，在本实施例中，1681'场效应管40(^、40013、400(3、400(1、40(^、40(^、40(^、40011、400丨、40(^、40(^、4001优选地采用带有阻尼二极管的IGBT场效应管。
[0018]IGBT场效应管400a、400b、400c、400d安装在第一层线路板100上，IGBT场效应管400a、400b的发射极E和IGBT场效应管400c、400d的集电极C连接至电位Phase上，IGBT场效应管400c、400d的发射极E连接至电位T-上；
[0019]1681'场效应管40(^、40(^、40(^、40011安装在第二层线路板200上，1681'场效应管400e、400f的发射极E连接至电位Phase上，IGBT场效应管400e、400f的集电极C连接至电位T+上，IGBT场效应管400g、400h的发射极C连接至电位T-上；
[0020]IGBT场效应管4001、400 j、400k、4001安装在第三层线路板300上，IGBT场效应管4001、400j的发射极E连接至电位Phase上，IGBT场效应管400k、4001的发射极E连接至电位
T-上。
[0021]其中，第一、第二、第三层电路板100、200、300的位置可以互换，当然，第一、第二层电路板100、200或者第二、第三层电路板200、300不需要相邻。
[0022]本实用新型基于多层线路板结构，线路板具有可靠性能高、寄生参数低、导通阻抗可控等优点，本实用新型适用于大规模生产，制造成本低，质量和一致性高。
[0023]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种基于多层线路板的三相逆变器结构，具有电位T+、PhaSe、T-，其特征在于，包括第一、第二、第三层线路板以及十二个IGBT场效应管； 所述第一、第二、第三、第四IGBT场效应管安装在所述第一层线路板上，所述第一、第二IGBT场效应管的发射极和第三、第四IGBT场效应管的集电极连接至所述电位Phase上，所述第三、第四IGBT场效应管的发射极连接至所述电位T-上； 所述第五、第六、第七、第八IGBT场效应管安装在所述第二层线路板上，所述第五、第六IGBT场效应管的发射极连接至所述电位Phase上，所述第五、第六IGBT场效应管的集电极连接至所述电位T+上，所述第七、第八IGBT场效应管的发射极连接至所述电位T-上； 所述第九、第十、第十一、第十二 IGBT场效应管安装在所述第三层线路板上，所述第九、第十IGBT场效应管的发射极连接至所述电位Phase上，所述第^ 、第十二 IGBT场效应管的发射极分别连接至T+和电位T-上。2.如权利要求1所述的基于多层线路板的三相逆变器结构，其特征在于，所述IGBT场效应管为带有阻尼二极管的IGBT场效应管。
【文档编号】H02M7/00GK205584032SQ201620228744
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月23日
【发明人】应忠良, 马彪, 赵东
【申请人】创驱（上海）新能源科技有限公司