专利名称：无源高频镜像抑制混频器的操作方法
技术领域：
本发明总体涉及镜像抑制混频器，更具体地涉及在高达几万兆赫兹以及更高的频率下工作的无源镜像抑制混频器的操作方法。
背景技术：
随着无线通信发展，工作频率大幅提高。目前使用的是几十GHz的频率，希望频率会随着时间日益增大。还了解到，高频下的操作对功率和技术要求严格。也就是说对于同一设计而言，工作频率越高，功耗越大。较高频率范围还需要使用能够有效地解决频率要求的较深奥的制造技术，比如GaAs (砷化镓)，但这样的制造技术从技术角度和功率角度而言具有代价。只要对这样的产品的要求低，可以容许这样的技术，但当对批量生产的需求提高时，需要利用更省功率且较不深奥的技术。为了降低成本，有从较昂贵的处理技术移向成本较低的处理技术的趋势，例如，从 GaAs移向CMOS(互补金属氧化物半导体)。然而，成本较低的技术(比如CMOS)可能具有其它的缺点。在用以在几十GHz的范围中的频率下工作的镜像抑制混频器(IRM)的领域中， 目前尚未使用基于CMOS的技术，因此并没有实现与这样的技术有关的优势。而且，使用有源组件，吉尔伯特单元是突出的解决方案。图1中示出了另一种方法。M0S(金属氧化物半导体)下变频乘法器混频器100包括四MOS单元110和互阻放大器120，互阻放大器120用于将混频电路的输出电流转换为电压信号。MOS下变频乘法器混频器100连同电容器130 还起到低通滤波器的作用，以仅使中频(IF)通过。四MOS单元110是可作为乘法混频器操作的平衡混频器。混频器的输入处的RF信号与本地振荡器(LO)信号相乘。该电路100的低通滤波器使RF+L0的乘积截止，同时保持频率IF RF-LO0现有技术是有局限性的，因为其不能够提供具有以下性质的混频器功耗低，在成本效率高的集成电路(IC)技术上实现，以及能够在高中频(IF)、优选地在GHz范围中工作。 因此，提供克服现有技术的局限性的解决方法将是有利的。
图1是乘法下变频混频器(现有技术)。图2是根据本发明的原理实现的无源IRM的示意图。图3是用作无源IRM的元件的混合器元件。
图4是无源IRM的操作的流程图。
具体实施例方式本发明的装置是能够在非常高频率下工作并且可根据所公开的方法工作的镜像抑制混频器(IRM)的完全无源的实现方式。该IRM包括一对四MOS乘法器以及一对集总元件混合器，产生无源1冊。可以在几十GHz的射频(RF)中以及几GHz的中频(IF)中进行操作。信号RF+和RF-提供至两个四MOS乘法器。本地振荡器信号(LO)用来将信号LO+和 LO-提供至所述乘法器中的一个乘法器，并且通过将LO提供至移相器，产生相移90度LO+ 信号和LO-信号，并提供至另一乘法器。将两个乘法器的输出提供给所述混合器以及从每一混合器选择合适的IF信号确保无源IRM的正确运行。根据本发明的原理，将图1中示出的混合器解决方案改为1冊，其中利用互阻放大器实现的滤波操作被集总元件混合器代替。在下面的图3中进一步描述该混合器，该混合器同时起到带通滤波器和镜像抑制装置的作用。结果是完全无源电路，该完全无源电路的操作不需要偏流。现在参照图2，图2示出了根据本发明的原理实现的无源IRM 200的示意图。基本上，其包括通常在深三极管区工作的四MOS元件110(110-1和110-2，还参加见图1)、移相器220和混合器230。镜像抑制混频器200的目的是抑制下变频的镜像(IM)信号。存在RF信号和本地振荡器(LO)信号。IM信号是IM = RF+2*IF。因此，如果RF < L0, 则 IF = LO-RF 且 IM = RF+2*IF = RF+2* (LO-RF) = 2*L0_RF。当发生下变频时，这变成 2*L0-RF-L0 = LO-RF = IF。换言之，产生不需要的频率IM并进入IF信号，因此需要将需要的RF与不需要的IM分开。该解决方案利用IRM且根据本发明利用该混合器。因此，该混合器的第一输出携带来自需要的RF频率的IF成分，混合器的第二输出携带来自IM频率的IF成分。RF信号相对于LO信号的定位限定了哪一输出携带哪一成分。这需要确定是 RF大于LO还是RF小于L0，然后随即从该混合器选择所需输出，如图3中进一步所示。图 2中示出的无源混频器(无源表示不能够或者至少不提供增益)和混合器的组合不仅提供镜像抑制，还像无源滤波器一样作用以抑制高频成分(RF+L0)并消除对电流至电压转换的要求，因为混合器是由来自四MOS晶体管的电流直接驱动的。值得注意的是，图2的MOS单元110作为乘法混频器操作，其输出是射频(RF)信号和本地振荡器(LO)信号的乘积，或者换言之RFXL0，产生频率RF+L0和RF-LO的输出。 乘法器110因此接收差分RF信号RF+和RF-。此外，乘法器110-1接收差分LO信号LO+和 L0-，而乘法器110-2接收相同的LO利用移相器220移相90°后的信号。根据本发明，移相器220是无源元件，在典型的实现中，可以使用以基于硅的技术实现的兰吉耦合器(Lange coupler) 0因此，乘法器110-1输出差分信号“I IF+”以及“I IF-”，乘法器110-2输出差分信号“Q IF+”和“Q IF-”。乘法器110-1和乘法器110-2的输出提供至集总元件混合器 230。将就下面的图3提供集总元件230的详细描述。乘法器110-1的输出“I IF+”和乘法器110-2的输出“Q IF+”提供至混合器230-1的输入。乘法器110-1的输出“I IF-”和乘法器110-2的输出“Q IF-”提供至混合器230-2的输入。混合器230分别在混合器230-1 的输出处和混合器230-2的输出处提供需要的“IF+”信号和需要的“IF-”信号，并且参照图3在下文进一步描述。为了进一步理解本发明的原理，参照图3，图3示出集总元件混合器230。混合器230包括四个电感器和四个电容器，该四个电感器和四个电容器被设计成模拟典型的微波分支线耦合器的作用，而不利用单片式微波集成电路技术。混合器230的输入“I”连接到电容器234-1的一端，电容器234-1的另一端接地。两个电感器即电感器232-1和电感器 232-4也连接至输入“I”。电感器232-1的另一端连接到混合器230的输入“Q”以及电容器234-2的一端和电感器232-2的一端，电容器234-2的另一端接地。电感器232-4的另一端连接到混合器230的端子237以及电容器234-3和电感器232-3的端子，电容器234-3 的另一端接地。电感器232-2和电感器232-3的另一端互相连接且连接到电容器234-4的一端以及混合器230的输出端子238，电容器234-4的另一端接地。开关236确定端子237 和端子238中存在的哪一信号是“需要的IF”信号并相应地将该端子连接至混合器230的输出IF。。当RF > LO时，开关具有第一位置，当RF < LO时，该开关具有第二位置。在本发明的一个实施方式中，一个或多个电容器234是可调谐的，由此能够调谐该混合器。为此， 可以使用本领域的技术中熟知的开关电容器组(未示出)或可变电容器(未示出)，产生可变的混合器230。在具有IGHz以上的IF的示例性应用中，比如IF在l_7GHz范围中，电感器范围是1-6ηΗ，电容器范围是l_6pF。这些范围中的电感器和电容器在一般的制造技术比如CMOS技术中可容易地和低廉地实现，由此能够成本效率高地实现这样的集成电路(IC)。 而且，在IRM 200的输出处使用混合器230消除了现有技术方案中对混合器的输出处的运算放大器的需求。在另一实施方式中，IF高于5GHz。在本发明的一个实施方式(图2)中，一组开关(未示出)可以直接连接在混合器输出处，使每次仅选择这两个输出中的一个输出。混合器230-1提供最终的IF+，混合器 230-2提供最终的IF-。使用混合器的两个端子237、238或者使它们在第一位置中可用的原因是允许在RF频率较大时对输出信号的处理与在LO频率大于RF频率的情况中时对输出信号的处理不同。通过在混合器输出处具有开关，可以根据接收器链的操作的频率计划选择适当的输出端。如果频率针对一给定系统是固定的，则这当然是不需要的，因为在这样的情况下，可以使用两个输出中的一个输出而不利用开关。另一输出可以通过50欧姆的电阻简单接地。在另一实施方式中，两个IF信号的输出“I”和“Q”可以相加以将差分输出转换为具有全振幅的单一 IF信号输出。合适的混合器输出具有受到抑制的镜像(IM)成分， 这是混频器的镜像抑制操作。根据本发明，混合器230具有双重角色它们作为带通滤波器操作以抑制混频器输出成分RF+L0，以及作为IM抑制组件操作。完全无源实现的IRM提供了低功耗实现以及尤其是使用普遍的CMOS制造技术的重要优势。特别地，完全无源实现的IRM允许针对极高频率实现IRM，例如，90纳米CMOS技术实现60GHz IRM，不然在这样的技术中这是不可实现的。利用混合器230实现几GHz的范围中的高频IF，所述范围与高达60GHz的RF频率相兼容。利用现有技术的解决方案，有源混频器与混合器的组合不能够针对这样的高RF操作。反之亦然，无源混频器和替代混合器的运算放大器的组合不适于这样的IF范围。因此，本发明克服了现有技术的劣势。还通过结合MOS开关和混合器使用实现移相器的兰吉耦合器(这些元件全部适于基于硅的技术)， 不损害在几十GHz的RF范围中以及在几GHz的范围内的IF中工作并且实现IC上的电路的混频器所需的性能。现在参照图4，图4示出了无源IRM 200的操作的流程图400。在S410中，信号RF+ 和信号RF-提供至四MOS乘法器，例如图2的乘法器110-1和乘法器110-2。在S420中，信号LO+和信号LO-提供至所述四MOS乘法器中的一个四MOS乘法器，例如乘法器110-1。在 S430中，信号LO+和信号LO-由移相器(例如，移相器220)相移90度，以产生LO+相移信号和LO-相移信号。在S440中，LO+相移信号和LO-相移信号提供至另一乘法器，例如乘法器110-2。在步骤S450中，信号“I IF+”提供至第一集总元件混合器的输入“I”，第一集总元件混合器例如为混合器230-1 ；信号“Q IF+”提供至第一集总元件混合器的输入“Q”， 第一集总元件混合器例如混合器230-1 ；信号“I IF-”提供至第二集总元件混合器的输入 “ I ”，该第二集总元件混合器例如混合器230-2 ；以及信号“Q IF-”提供至第二集总元件混合器的输入“Q”，该第二集总元件混合器例如混合器230-2。在S460中，检查RF是否大于 LO频率，如果是，继续执行S470 ；否则继续执行S480。在S470中，响应于S460中的判断， 每一混合器230中的开关放置在第一位置，例如对于开关236而言是位置237。在S480中， 响应于S460中的判断，每一混合器230中的开关放置在第二位置，例如，对于开关236而言是位置238。在步骤S490中，无论执行通过S470还是S480，从第一混合器(例如，混合器 230-1)提供信号IF+，从第二混合器(例如，混合器230-2)提供信号IF-。
尽管出于说明目的而并非限制目的公开并描述了本发明的某些优选实施方式，但本领域的专业技术人员将理解，可以对本发明作形式和细节的各种改变而不脱离本发明的精神和范围。特别的，所公开的电路适于任何基于硅的制造工艺，包括M0S、BiCM0S(双极互补金属氧化物半导体)和CMOS工艺。RF的上限由工艺几何确定。
权利要求
1.一种用于操作无源镜像抑制混频器(IRM)的方法，所述方法包括以下步骤 向第一 MOS乘法器提供射频输入信号RF+和RF-；向所述第一 MOS乘法器提供本地振荡器输入信号LO+和LO-； 响应于提供给所述第一 MOS乘法器的所述射频输入信号RF+和RF-以及所述本地振荡器输入信号LO+和L0-，产生中频输出信号I IF+和I IF-;利用无源移相器，从所述本地振荡器输入信号LO+和LO-分别产生LO+相移90°输出信号和LO-相移90°输出信号；向第二 MOS乘法器提供所述射频输入信号RF+和RF-；向所述第二 MOS乘法器提供所述LO+相移90°输出信号和所述LO-相移90°输出信号；响应于提供给所述第二 MOS乘法器的所述射频输入信号RF+和RF-以及所述LO+相移 90°输出信号和所述LO-相移90°输出信号，产生IF输出信号Q IF+和Q IF-；响应于所述射频是大于还是小于所述本地振荡器的频率的判断以及还响应于所述输出信号I IF+和所述输出信号Q IF+，产生输出信号IF+;以及响应于所述射频是大于还是小于所述本地振荡器的频率的判断以及还响应于所述输出信号I IF-和所述输出信号Q IF-，产生输出信号IF-。
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括使所述第一 MOS乘法器和所述第二 MOS乘法器在深三极管区中工作。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述IF频率在IGHz以上。
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括 提供在5GHz以上的RF频率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述产生输出信号IF+和IF-的步骤包括使第一集总元件混合器和第二集总元件混合器以通信方式连接到所述第一 MOS乘法器和所述第二 MOS乘法器。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述集总元件混合器包括第一电容器，所述第一电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入I的第一端； 第二电容器，所述第二电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入Q的第一端； 第三电容器，所述第三电容器具有连接到所述集总元件混合器的二至一开关的第一输入的第一端；第四电容器，所述第四电容器具有连接到所述集总元件混合器的所述二至一开关的第二输入的第一端；第一电感器，所述第一电感器连接在所述输入I和所述二至一开关的所述第一输入之间；第二电感器，所述第二电感器连接在所述输入Q和所述二至一开关的所述第二输入之间；第三电感器，所述第三电感器连接在所述输入I和所述输入Q之间； 第四电感器，所述第四电感器连接在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间；以及所述二至一开关连接到所述集总元件混合器的IF输出端，且能够响应于对所述射频大于还是小于所述本地振荡器的频率作的所述判断，在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间进行选择。
7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括当所述射频大于所述本地振荡器频率时，将所述二至一开关切换到第一位置。
8.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括当所述射频大于所述本地振荡器频率时，将所述二至一开关切换到第二位置。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器能够被调谐以提供可变电容，从而调谐所述集总元件混合器。
10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括调谐所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述调谐在1皮法到6皮法的范围中进行。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器是包括多个电容器的开关电容器组。
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括切换所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器的所述开关电容器组。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述切换在1皮法到6皮法的范围中进行。
15.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的每一电容器具有在1皮法到6皮法的范围中的电容。
16.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电感器、所述第二电感器、所述第三电感器和所述第四电感器中的每一电感器具有在1纳亨到6纳亨的范围中的电感。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无源移相器是兰吉耦合器。
18.一种无源镜像抑制混频器(IRM)，所述无源镜像抑制混频器包括第一 MOS乘法器，所述第一 MOS乘法器能够接收形成差分射频输入信号的输入信号RF+ 和RF-以及接收形成差分本地振荡器输入信号的输入信号LO+和L0-，且还能够输出中频差分输出信号I IF+和I IF-;第二 MOS乘法器；无源移相器，所述无源移相器连接到所述差分本地振荡器输入信号，并且能够将所述差分本地振荡器输入信号相移90°后输出到所述第二 MOS乘法器；所述第二 MOS乘法器能够接收所述差分射频输入信号以及所述无源移相器的输出，且还能够输出中频(IF)差分输出信号Q IF+和Q IF-；第一集总元件混合器，所述第一集总元件混合器连接成接收所述第一 MOS乘法器的所述输出信号I IF+和所述第二MOS乘法器的所述输出信号Q IF+，所述第一集总元件混合器能够响应于所述射频输入信号的频率大于还是小于第一差分本地振荡器输入信号的频率来输出输出信号IF+;以及第二集总元件混合器，所述第二集总元件混合器连接成接收所述第一 MOS乘法器的所述输出信号I IF-以及所述第二MOS乘法器的所述输出信号Q IF-，所述第二集总元件混合器能够响应于所述射频输入信号的频率大于还是小于所述第一差分本地振荡器输入信号的频率而输出输出信号IF-；所述第一 MOS乘法器和所述第二 MOS乘法器在深三极管区工作。
19.根据权利要求18所述的无源IRM，其中，所述IRM在IGHz以上的中频下操作。
20.根据权利要求18所述的无源IRM，其中，所述IRM在5GHz以上的中频下操作。
21.根据权利要求18所述的无源IRM，其中，各所述集总元件混合器包括 第一电容器，所述第一电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入I的第一端； 第二电容器，所述第二电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入Q的第一端；第三电容器，所述第三电容器具有连接到所述集总元件混合器的二至一开关的第一输入的第一端；第四电容器，所述第四电容器具有连接到所述集总元件混合器的所述二至一开关的第二输入的第一端；第一电感器，所述第一电感器连接在所述输入I和所述二至一开关的所述第一输入之间；第二电感器，所述第二电感器连接在所述输入Q和所述二至一开关的所述第二输入之间；第三电感器，所述第三电感器连接在所述输入I和所述输入Q之间； 第四电感器，所述第四电感器连接在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间；以及所述二至一开关连接到所述集总元件混合器的IF输出端，且能够响应于所述差分射频输入信号的频率是大于还是小于所述差分本地振荡器输入信号的频率来在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间进行选择。
22.根据权利要求21所述的无源IRM，其中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器能够被调谐以提供可变电容。
23.根据权利要求21所述的无源IRM，其中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器是包括多个电容器的开关电容器组。
24.根据权利要求21所述的无源IRM，其中，在每一所述集总元件混合器中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的每一电容器具有在1皮法到6皮法的范围中的电容。
25.根据权利要求21所述的无源IRM，其中，在每一所述集总元件混合器中，所述第一电感器、所述第二电感器、所述第三电感器和所述第四电感器中的每一电感器具有在1纳亨到6纳亨的范围中的电感。
26.根据权利要求18所述的无源IRM，其中，在每一所述集总元件混合器中，每一所述无源移相器是兰吉耦合器。
27.根据权利要求18所述的无源IRM，其中，所述无源IRM是利用以下工艺技术之一制造的M0S工艺技术、CMOS工艺技术、BiCMOS工艺技术。
28.一种无源镜像抑制混频器(IRM)，包括差分射频输入信号，所述差分射频输入信号具有输入信号RF+和输入信号RF-； 第一差分本地振荡器输入信号，所述第一差分本地振荡器输入信号具有输入信号LO+和输入信号LO-；第二差分本地振荡器信号，其相对于所述第一差分本地振荡器输入信号相移，所述本地第二差分振荡器信号提供LO+相移信号和LO-相移信号；第一无源乘法器，所述第一无源乘法器响应于所述输入信号RF+和所述输入信号 RF-以及所述输入信号LO+和所述输入信号LO-输出输出信号I IF+和IIF-；第二无源乘法器，所述第二无源乘法器响应于所述输入信号RF+和所述输入信号 RF-以及所述LO+相移信号和所述LO-相移信号输出输出信号Q IF+和输出信号Q IF-；第一无源滤波器，所述第一无源滤波器用于对所述输出信号I IF+和所述输出信号Q IF+进行滤波并产生输出信号IF+ ；以及第二无源滤波器，所述第二无源滤波器对所述信号I IF-和所述信号Q IF-进行滤波并产生输出信号IF-。
29.根据权利要求28所述的无源IRM，所述无源IRM还包括无源移相器，所述无源移相器连接成接收所述第一差分本地振荡器输入信号并提供所述第二差分本地振荡器信号。
30.根据权利要求29所述的无源IRM，其中，所述无源移相器是兰吉耦合器。
31.根据权利要求28所述的无源IRM，其中，所述无源移相器使所述相位移动90度。
32.根据权利要求28所述的无源IRM，其中，所述第一无源乘法器包括四个MOS晶体管，其中所述四个MOS晶体管中的两个MOS晶体管的栅极连接到所述信号L0+，所述四个 MOS晶体管中的其它两个MOS晶体管的栅极连接到所述信号L0-，以及其中所述第二无源乘法器包括四个MOS晶体管，其中所述四个MOS晶体管中的两个MOS晶体管的栅极连接到所述LO+相移信号且所述四个MOS晶体管中的其它两个MOS晶体管的栅极连接到所述LO-相移信号。
33.根据权利要求28所述的无源IRM，其中，各所述无源滤波器均包括集总元件混合ο
34.根据权利要求33所述的无源IRM，其中，各所述集总元件混合器均包括 第一电容器，所述第一电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入I的第一端； 第二电容器，所述第二电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入Q的第一端；第三电容器，所述第三电容器具有连接到所述集总元件混合器的二至一开关的第一输入的第一端；第四电容器，所述第四电容器具有连接到所述集总元件混合器的二至一开关的第二输入的第一端；第一电感器，所述第一电感器连接在所述输入I和二至一开关的所述第一输入之间； 第二电感器，所述第二电感器连接在所述输入Q和二至一开关的所述第二输入之间； 第三电感器，所述第三电感器连接在所述输入I和所述输入Q之间；以及第四电感器，所述第四电感器连接在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间；各所述二至一开关的输出连接到所述集总元件混合器的相应的IF输出端，且能够响应于所述射频输入信号的频率是大于还是小于所述第一差分本地振荡器输入信号的频率来在相应的所述二至一开关的所述第一输入和相应的所述二至一开关的所述第二输入之间进行选择。
35.根据权利要求34所述的无源IRM，其中，在各所述集总元件混合器中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器能够调谐以提供可变电容。
36.根据权利要求34所述的无源IRM，其中在各所述集总元件混合器中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器是包括多个电容器的开关电容器组。
37.根据权利要求34所述的无源IRM，其中，在各所述集总元件混合器中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的每一电容器具有在1皮法到6皮法的范围中的电容。
38.根据权利要求34所述的无源IRM，其中，在各所述集总元件混合器中，所述第一电感器、所述第二电感器、所述第三电感器和所述第四电感器中的每一电感器具有在1纳亨到6纳亨的范围中的电感。
39.根据权利要求28所述的无源IRM，其中，所述输出信号IF+和所述输出信号IF-的频率至少为IGHz。
40.根据权利要求28所述的无源IRM，其中，所述输出信号IF+和所述输出信号IF-的频率至少为5GHz。
全文摘要
一种能够在极高频率下工作的无源实现的镜像抑制混频器(IRM)根据所公开的方法操作。所述IRM包括四MOS乘法器和集总元件混合器，产生无源IRM，其可以在几十GHz的射频(RF)以及几GHz的中频(IF)下工作。信号RF+和信号RF-提供至两个四MOS乘法器。本地振荡器信号(LO)用来将信号LO+和LO-提供至乘法器中的一个乘法器，且通过将LO提供至移相器，产生LO+相移90°信号以及LO-相移90°信号并将它们提供至另一乘法器。将两个乘法器的输出提供给混合器以及从每一个混合器中选择适当的信号IF，确保无源IRM适当操作。
文档编号H03D7/16GK102484451SQ201080039877
公开日2012年5月30日 申请日期2010年7月9日 优先权日2009年7月10日
发明者扬尼斯·帕帕纳诺斯 申请人:希特公司