专利名称：低频晶体振荡器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元器件，尤其涉及一种低频晶体振荡器。
背景技术：
低频晶体振荡器包括一个音叉型压电振动片(也可称为晶片)、一个一端开口的外壳、以及用于将外壳的开口密封的密封端子，密封端子上具有两根电极引线，电极引线与音叉型压电振动片表面的安装电极焊接固定，音叉型压电振动片放置于外壳中，密封端子安装在外壳的开口位置将音叉型压电振动片密封在外壳中。外壳一般采用锌白铜合金材料制成表面镀铜锡，电极引线一般采用铁钴镍合金材料制成，密封端子用于密封外壳的结构一般采用与电极引线的热收缩率基本相同的玻璃材料(硅酸盐)制成，密封端子的表面镀有一层由镍或铜或锡铜合金材料构成的金属镀层，密封端子的这种材料和结构使得晶体振荡器只能承受220°C以下的温度，如果晶体振荡器采用手工插件焊接的方式装配到电路板上时，由于焊接时温度相对较低，这种结构能够满足要求；但由于手工插件焊接生产效率较低且质量不稳定，现在渐渐开始发展为采用自动焊接将晶体振荡器装配到电路板上，由于自动焊接的温度在260°C以上，现有的结构无法满足要求。
实用新型内容本实用新型主要解决的技术问题是提供一种能耐高温适合波峰焊接的低频晶体振荡器。为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种低频晶体振荡器，包括一端开口的外壳、置于外壳中的晶片和固定于外壳的开口位置对外壳进行密封的密封端子，所述晶片上设置有两个安装电极，所述密封端子上具有两根电极引线，所述电极引线伸入外壳内与晶片上的安装电极一一对应连接，所述密封端子包括密封端子本体和位于密封端子本体表面的金属镀层，所述金属镀层包括底层和表层，所述底层位于密封端子本体表面，所述表层位于底层外表面，所述底层的主要材料为铜或镍，所述表层的主要材料为铅锡合金或锡银合金或金锡合金或纯金。其中，所述金属镀层通过电镀形成。其中，所述底层的厚度为0. 5μπι 5μπι。其中，所述表层的厚度为5μπι 15μπι。其中，所述金属镀层还包括中间层，所述中间层位于所述底层和所述表层之间，所述中间层的主要材料为金或锡铜合金。其中，所述外壳采用锌白铜合金材料冲压拉伸制成并在表面电镀镍或金，镀层厚 ^ 1 μ m 5 μ m。其中，所述电极引线与所述安装电极采用高温锡膏或银胶焊接固定，所述高温锡膏的主要材质为铅锡合金或银锡合金或金锡合金，所述银胶的主要材质为银粉与固化剂。本实用新型的有益效果是区别于现有技术的低频晶体振荡器能承受的温度较低不适合自动焊接，本实用新型的低频晶体振荡器采用在密封端子表面设置金属镀层的结构，金属镀层包括由铜或镍构成的底层和由铅锡合金或锡银合金或金锡合金或纯金制成的表层，可提高低频晶体振荡器的耐热性能，经实验及实际生产验证，其所能承受的温度在 260°C以上，满足了自动焊接的温度要求，适合采用自动化生产，提高生产效率。
图1是本实用新型低频晶体振荡器的立体图；图2是本实用新型中密封端子的结构示意图。图中10、晶片；11、安装电极；20、外壳；30、密封端子；301、电极引线；31、密封端子本体；311、电极引线本体；312、基座；312a、玻璃体；312b、铁圈；32、金属镀层；321、底层；322、表层。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1和图2，本实用新型涉及一种低频晶体振荡器，包括一端开口的外壳 20、置于外壳20中的晶片10和固定于外壳20的开口位置对外壳20进行密封的密封端子 30，在本实施例中，外壳20采用锌白铜合金材料冲压拉伸制成并在表面电镀镍或金，且镀层厚度为1 μ m 5 μ m，所述晶片10上设置有两个安装电极11，所述密封端子30上具有两根电极引线301，所述电极引线301伸入外壳20内与晶片10上的安装电极11 一一对应连接，所述密封端子30包括密封端子本体31和位于密封端子本体31表面的金属镀层32，所述金属镀层32包括底层321和表层322，所述底层321位于密封端子本体31表面，所述表层322位于底层321外表面，所述底层321的材料为铜或镍，所述表层322的材料为铅锡合金或锡银合金或金锡合金或纯金。所述密封端子本体31包括基座312和电极引线本体311，电极引线本体311穿过基座312，一般地电极引线本体311的材料为铁钴镍合金，基座312由热收缩率与电极引线本体311基本相同的玻璃体31 及外层的铁圈312b组成主体结构，铁圈312b本体的材料为铁镍合金制成，玻璃体31 由玻璃粉通过高温烧结而成。本实用新型的晶体振荡器在制作时，密封端子主体制成后，在其上镀上金属镀层，即形成了密封端子，密封端子上的电极引线与晶片的安装电极固定连接，然后将晶片放入外壳中，密封端子套在外壳的开口端，在真空状态下将密封端子与外壳压紧密封。本实用新型中，金属镀层32的底层321可选为铜或镍，表层322可在铅锡合金、锡银合金、金锡合金、纯金中任选一种。区别于现有技术的低频晶体振荡器能承受的温度较低不适合自动焊接，本实用新型的低频晶体振荡器采用在密封端子表面设置金属镀层的结构，金属镀层包括由铜或镍构成的底层和由铅锡合金或锡银合金或金锡合金制成的表层，可提高低频晶体振荡器的耐热性能，经实验及实际生产验证，其所能承受的温度在260°C以上，满足了自动焊接的温度要求，适合采用自动化生产，提高生产效率。较佳地，金属镀层32通过电镀形成，加工时先在密封端子本体31上电镀底层321，而后再电镀表层322，通过电镀可使金属镀层能很好地依附于密封端子本体31上。 在具体应用中，金属镀层32的底层321厚度控制在0. 5 μ m 5 μ m，表层322的厚度控制在5 μ m 15 μ m，底层表层总的镀层厚度在8 μ m 18 μ m，以获得耐热性能、机械性能、电气性能以及材料成本的平衡。例如可选底层321的厚度为2 μ m，表层322的厚度应大于为6 μ m ；金属镀层32的厚度在实际加工中根据情况具体选择。在具体实施时，金属镀层还可以包括中间层，中间层设置在底层321和表层322之间，中间层322的材料可选为金或锡铜合金。中间层作为底层和表层之间的过渡，与底层和表层均具有很好的结合力，防止表层脱落。在一实施例中，作为耐高温镀层的补充，电极引线301与安装电极11采用高温锡膏或银胶焊接固定，高温锡膏可选用金锡合金或银锡合金或铅锡合金等，银胶的主要材质为银粉与固化剂。这样在自动波峰焊接时，电极引线301与安装电极11之间的锡膏或银胶不会因融化而使两者脱离，保证产品质量。以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求1.一种低频晶体振荡器，包括一端开口的外壳、置于外壳中的晶片和固定于外壳的开口位置对外壳进行密封的密封端子，所述晶片上设置有两个安装电极，所述密封端子上具有两根电极引线，所述电极引线伸入外壳内与晶片上的安装电极一一对应连接，其特征在于所述密封端子包括密封端子本体和位于密封端子本体表面的金属镀层，所述金属镀层包括底层和表层，所述底层位于密封端子本体表面，所述表层位于底层外表面，所述底层的主要材料为铜或镍，所述表层的主要材料为铅锡合金或锡银合金或金锡合金或纯金。
2.根据权利要求1所述的低频晶体振荡器，其特征在于所述金属镀层通过电镀形成。
3.根据权利要求1所述的低频晶体振荡器，其特征在于所述底层的厚度为0.5 μ m 5 μ m0
4.根据权利要求1所述的低频晶体振荡器，其特征在于所述表层的厚度为5μπι 15 μ m0
5.根据权利要求1所述的低频晶体振荡器，其特征在于所述金属镀层还包括中间层， 所述中间层位于所述底层和所述表层之间，所述中间层的主要材料为金或锡铜合金。
6.根据权利要求1所述的低频晶体振荡器，其特征在于所述外壳采用锌白铜合金材料冲压拉伸制成并在表面电镀镍或金，镀层厚度为1 μ m 5 μ m。
7.根据权利要求1-6任一项所述的低频晶体振荡器，其特征在于所述电极引线与所述安装电极采用高温锡膏或银胶焊接固定，所述高温锡膏的主要材质为铅锡合金或银锡合金或金锡合金，所述银胶的主要材质为银粉与固化剂。
专利摘要本实用新型公开一种低频晶体振荡器，包括一端开口的外壳、置于外壳中的晶片和固定于外壳的开口位置对外壳进行密封的密封端子，所述晶片上设置有两个安装电极，所述密封端子上具有两根电极引线，所述电极引线伸入外壳内与晶片上的安装电极一一对应连接，所述密封端子包括密封端子本体和位于密封端子本体表面的金属镀层，所述金属镀层包括底层和表层，所述底层位于密封端子本体表面，所述表层位于底层外表面，所述底层的主要材料为铜或镍，所述表层的主要材料为铅锡合金或锡银合金或金锡合金或纯金。本实用新型的低频晶体振荡器耐热性能良好，所能承受的温度在260℃以上，满足自动焊接的温度要求，适合采用自动化生产，提高生产效率。
文档编号H03B5/04GK202210777SQ20112029517
公开日2012年5月2日 申请日期2011年8月15日 优先权日2011年8月15日
发明者喻信东, 许玉清 申请人:湖北泰晶电子科技有限公司