专利名称：电子管晶体管混合差分放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电脑音响设备，具体涉及一种差分放大电路。
背景技术：
现有技术差分放大电路中分为两类，一类是单纯使用晶体管，具有保真度不高，声音硬，不圆润，声音不甜美的缺点。另一类是单纯使用电子管，还原度比较高，但使用时需要高电压、工作时需要预热，而且使用寿命寿命短，功耗转变率低，因而实际使用成本高，一般只有“音响发烧友”使用。
实用新型内容针对上述现有技术不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种差分放大电路，提高信号保真度、提升音质，而且使用寿命长、功率转变率高。为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为，电子管晶体管混合差分放大电路，包括电子管差分电路、晶体管推动电路和功放电路；晶体管推动电路与电子管差分电路连接；电子管差分电路设有信号输入端、差分输出端和反馈端；功放电路设有放大输入端和信号输出端，该放大输入端与电子管差分电路的差分输出端连接，信号输出端还通过反馈电路与电子管差分电路的反馈端连接。这样的结构能结合电子管放大与晶体管放大的优点，使音质保真度高，声音柔和，圆润，声音厚度好。进一步的技术方案为，所述电子管差分电路包括电子三极管Gl和电子三极管G2 ；电子三极管Gl的栅极为所述信号输入端，电子三极管G2的栅极为所述反馈端；所述晶体管推动电路包括PNP晶体管Q1、PNP晶体管Q2和NPN晶体管Q3 ；电子三极管Gl的屏极与PNP晶体管Ql的集电极连接，PNP晶体管Ql的基极通过电阻R2接地，PNP晶体管Ql的发射极为电子管差分电路的正电源连接端；电子三极管G2的屏极与PNP晶体管Q2的集电极连接，PNP晶体管Q2的基极通过电阻R3接地，PNP晶体管Q2的发射极连接到正电源连接端；电子三极管Gl的阴极和电子三极管G2的阴极均连接到NPN晶体管Q3的集电极，NPN晶体管Q3的基极通过电阻R5接地，NPN晶体管Q3的发射极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端为电子管差分电路的负电源连接端；电子三极管Gl的屏极还与电阻RO的一端连接，电阻RO的另一端为所述差分输出端。这样的结构使差分由电子管实现，电子管由晶体管有效驱动，保证能利用低电压推动电子管，提高功率转换效率、提高信号保真度、提升音质。进一步的技术方案为，所述反馈电路包括电阻R7 ;电阻R7的一端与信号输出端连接，另一端与电子管差分电路反馈端连接；电阻R7的两端还并联有电容Cll ;电子管差分电路反馈端还通过电阻R6和电容C9的串联支路接地。进一步的技术方案为，所述功放电路包括PNP晶体管Q4、NPN晶体管Q5、NPN晶体管Q6和NPN晶体管Q7 ；PNP晶体管Q4的集电极与NPN晶体管Q5的集电极连接，NPN晶体管Q6的发射极与NPN晶体管Q7的集电极连接；NPN晶体管Q5的发射极与NPN晶体管Q6的集电极之间通过电阻Rl2和电阻Rl3的串联支路连接；NPN晶体管Q5的基极与NPN晶体管Q6的基极之间通过电阻R9和电阻RlO的串联支路连接；电阻R8的两端分别连接到PNP晶体管Q4的基极和NPN晶体管Q5的基极；电阻Rll的两端分别连接到NPN晶体管Q6的基极和NPN晶体管Q7的基极；NPN晶体管Q5的发射极还与NPN晶体管Q8的基极连接，NPN晶体管Q6的发射极还与PNP晶体管Q9的基极连接；NPN晶体管Q8的发射极与PNP晶体管Q9的发射极之间通过电阻R16和电阻R17的串联支路连接；NPN晶体管Q8的集电极与正电源+VCC连接，PNP晶体管Q9的集电极与负电源-VCC连接；电阻R14的两端分别连接PNP晶体管Q4的发射极和NPN晶体管Q8的集电极，PNP晶体管Q4的发射极还连接到电子管差分电路的正电源连接端；电阻R15的两端分别连接NPN晶体管Q7的发射极和PNP晶体管Q9的集电极，NPN晶体管Q7的发射极还连接到电子管差分电路的负电源连接端；NPN晶体管Q5的基极为放大输入端，电阻R16和电阻R17之间的节点为所述信号输出端。优选地，所述信号输入端还通过电阻Rl接地；所述正电源连接端还通过电解电容C15接地；所述负电源连接端还通过电解电容C7接地。本实用新型的电子管晶体管混合差分放大电路，结合了晶体管和电子管的特性，利用低电压的同时，使音质更加耐听，具有声音通透、圆润，声音厚度好的优点，电子管差分放大与后级晶体管功率放大相结合，音频动态解析力更强。
图1是本实用新型电子管晶体管混合差分放大电路的结构示意图。图2是本实用新型电子管晶体管混合差分放大电路的电子管差分电路及反馈电路的结构不意图。图3是本实用新型电子管晶体管混合差分放大电路的功放电路结构示意图。其中，100、信号输入端；110、差分输出端；120、反馈端；130、正电源连接端；140、负电源连接端；200、放大输入端；210、信号输出端。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的电子管晶体管混合差分放大电路，包括电子管差分电路、晶体管推动电路和功放电路；晶体管推动电路与电子管差分电路连接；电子管差分电路设有信号输入端100、差分输出端110和反馈端120 ;功放电路设有放大输入端200和信号输出端210,该放大输入端200与电子管差分电路的差分输出端110连接,信号输出端210还通过反馈电路与电子管差分电路的反馈端120连接。其中，如图2所示，所述电子管差分电路包括电子三极管Gl和电子三极管G2 ；电子三极管Gl和电子三极管G2可以直接选用常见的双三级电子管，其中线圈引脚未在图中示出。电子三极管Gl的栅极为所述信号输入端100，电子三极管G2的栅极为所述反馈端120 ;所述晶体管推动电路包括PNP晶体管Q1、PNP晶体管Q2和NPN晶体管Q3 ；电子三极管Gl的屏极与PNP晶体管Ql的集电极连接，PNP晶体管Ql的基极通过电阻R2接地，PNP晶体管Ql的发射极为电子管差分电路的正电源连接端130 ;电子三极管G2的屏极与PNP晶体管Q2的集电极连接，PNP晶体管Q2的基极通过电阻R3接地，PNP晶体管Q2的发射极连接到正电源连接端130 ;电子三极管Gl的阴极和电子三极管G2的阴极均连接到NPN晶体管Q3的集电极，NPN晶体管Q3的基极通过电阻R5接地，NPN晶体管Q3的发射极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端为电子管差分电路的负电源连接端140 ;电子三极管Gl的屏极还与电阻RO的一端连接，电阻RO的另一端为所述差分输出端110。所述信号输入端100还通过电阻Rl接地；所述正电源连接端130还通过电解电容C15接地；所述负电源连接端140还通过电解电容C7接地。所述反馈电路包括电阻R7 ;电阻R7的一端与信号输出端210连接，另一端与电子管差分电路的反馈端120连接；电阻R7的两端还并联有电容Cl I ;电子管差分电路的反馈端120还通过电阻R6和电容C9的串联支路接地。如图3所示，所述功放电路包括PNP晶体管Q4、NPN晶体管Q5、NPN晶体管Q6和NPN晶体管Q7 ；PNP晶体管Q4的集电极与NPN晶体管Q5的集电极连接，NPN晶体管Q6的发射极与NPN晶体管Q7的集电极连接；NPN晶体管Q5的发射极与NPN晶体管Q6的集电极之间通过电阻R12和电阻R13的串联支路连接；NPN晶体管Q5的基极与NPN晶体管Q6的基极之间通过电阻R9和电阻RlO的串联支路连接；电阻R8的两端分别连接到PNP晶体管Q4的基极和NPN晶体管Q5的基极；电阻Rll的两端分别连接到NPN晶体管Q6的基极和NPN晶体管Q7的基极；NPN晶体管Q5的发射极还与NPN晶体管Q8的基极连接，NPN晶体管Q6的发射极还与PNP晶体管Q9的基极连接；NPN晶体管Q8的发射极与PNP晶体管Q9的发射极之间通过电阻R16和电阻R17的串联支路连接；NPN晶体管Q8的集电极与正电源+VCC连接，PNP晶体管Q9的集电极与负电源-VCC连接；电阻R14的两端分别连接PNP晶体管Q4的发射极和NPN晶体管Q8的集电极，PNP晶体管Q4的发射极还连接到电子管差分电路的正电源连接端130 ；电阻R15的两端分别连接NPN晶体管Q7的发射极和PNP晶体管Q9的集电极，NPN晶体管Q7的发射极还连接到电子管差分电路的负电源连接端140 ；NPN晶体管Q5的基极为放大输入端，电阻R16和电阻R17之间的节点为所述信号输出端210。对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
权利要求1.电子管晶体管混合差分放大电路，其特征在于:包括电子管差分电路、晶体管推动电路和功放电路；晶体管推动电路与电子管差分电路连接；电子管差分电路设有信号输入端、差分输出端和反馈端；功放电路设有放大输入端和信号输出端，该放大输入端与电子管差分电路的差分输出端连接，信号输出端还通过反馈电路与电子管差分电路的反馈端连接。
2.根据权利要求1所述的电子管晶体管混合差分放大电路，其特征在于:所述电子管差分电路包括电子三极管Gl和电子三极管G2 ;电子三极管Gl的栅极为所述信号输入端，电子三极管G2的栅极为所述反馈端；所述晶体管推动电路包括PNP晶体管Q1、PNP晶体管Q2和NPN晶体管Q3 ；电子三极管Gl的屏极与PNP晶体管Ql的集电极连接，PNP晶体管Ql的基极通过电阻R2接地，PNP晶体管Ql的发射极为电子管差分电路的正电源连接端；电子三极管G2的屏极与PNP晶体管Q2的集电极连接，PNP晶体管Q2的基极通过电阻R3接地，PNP晶体管Q2的发射极连接到正电源连接端；电子三极管Gl的阴极和电子三极管G2的阴极均连接到NPN晶体管Q3的集电极，NPN晶体管Q3的基极通过电阻R5接地，NPN晶体管Q3的发射极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端为电子管差分电路的负电源连接端；电子三极管Gl的屏极还与电阻RO的一端连接，电阻RO的另一端为所述差分输出端。
3.根据权利要求2所述的电子管晶体管混合差分放大电路，其特征在于:所述反馈电路包括电阻R7 ;电阻R7的一端与信号输出端连接，另一端与电子管差分电路反馈端连接；电阻R7的两端还并联有电容Cl I ;电子管差分电路反馈端还通过电阻R6和电容C9的串联支路接地。
4.根据权利要求2所述的电子管晶体管混合差分放大电路，其特征在于:所述功放电路包括PNP晶体管Q4、NPN晶体管Q5、NPN晶体管Q6和NPN晶体管Q7 ；PNP晶体管Q4的集电极与NPN晶体管Q5的集电极连接，NPN晶体管Q6的发射极与NPN晶体管Q7的集电极连接；NPN晶体管Q5的发射极与NPN晶体管Q6的集电极之间通过电阻R12和电阻R13的串联支路连接；NPN晶体管Q5的基极与NPN晶体管Q6的基极之间通过电阻R9和电阻RlO的串联支路连接；电阻R8的两端分别连接到PNP晶体管Q4的基极和NPN晶体管Q5的基极；电阻Rll的两端分别连接到NPN晶体管Q6的基极和NPN晶体管Q7的基极；NPN晶体管Q5的发射极还与NPN晶体管Q8的基极连接，NPN晶体管Q6的发射极还与PNP晶体管Q9的基极连接；NPN晶体管Q8的发射极与PNP晶体管Q9的发射极之间通过电阻R16和电阻R17的串联支路连接；NPN晶体管Q8的集电极与正电源+VCC连接，PNP晶体管Q9的集电极与负电源-VCC连接；电阻R14的两端分别连接PNP晶体管Q4的发射极和NPN晶体管Q8的集电极，PNP晶体管Q4的发射极还连接到电子管差分电路的正电源连接端；电阻R15的两端分另Ij连接NPN晶体管Q7的发射极和PNP晶体管Q9的集电极，NPN晶体管Q7的发射极还连接到电子管差分电路的负电源连接端；NPN晶体管Q5的基极为放大输入端，电阻R16和电阻R17之间的节点为所述信号输出端。
5.根据权利要求2所述的电子管晶体管混合差分放大电路，其特征在于:所述信号输入端还通过电阻Rl接地；所述正电源连接端还通过电解电容C15接地；所述负电源连接端还通过电解电容C7接地。
专利摘要本实用新型公开了一种电子管晶体管混合差分放大电路，包括电子管差分电路、晶体管推动电路和功放电路；晶体管推动电路与电子管差分电路连接；电子管差分电路设有信号输入端、差分输出端和反馈端；功放电路设有放大输入端和信号输出端，该放大输入端与电子管差分电路的差分输出端连接，信号输出端还通过反馈电路与电子管差分电路的反馈端连接。本实用新型的电子管晶体管混合差分放大电路，结合了晶体管和电子管的特性，利用低电压的同时，使音质更加耐听，具有声音通透、圆润，声音厚度好的优点，电子管差分放大与后级晶体管功率放大相结合,音频动态解析力更强。
文档编号H03F3/45GK203071880SQ20132004440
公开日2013年7月17日 申请日期2013年1月25日 优先权日2013年1月25日
发明者熊松平 申请人:东莞市泰腾电子有限公司