一种新型双缓冲晶体振荡触发器的制造方法

文档序号:7529123阅读:137来源:国知局
一种新型双缓冲晶体振荡触发器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型双缓冲晶体振荡触发器,主要由非线性对称触发电路,以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成,其特征在于,所述的双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成,所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2,输入端与倒相放大器U2的输出端相连接的倒相放大器U3,正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2等组成。本实用新型充分利用了非线性对称触发电路的非线性特性,因此能确保两管不会同时出现截止情况,有利于运用电路的性能稳定。
【专利说明】 一种新型双缓冲晶体振荡触发器

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种触发器,具体是指一种新型双缓冲晶体振荡触发器。

【背景技术】
[0002]触发器是数字集成电路中基本的构件,它们决定着包括功耗、延迟、面积、可靠性等电路的性能。但在目前大多数的电路运用中均采用正脉冲来进行触发,加之其电路结构设计不合理,因此会存在功耗较大,以及在有效脉宽期间会出现两管均截止的情况,不利于应用电路的正常运行,存在一定的安全隐患。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于克服目前触发器所存在的功耗较大以及两管均会同时出现截止的缺陷,提供一种新型双缓冲晶体振荡触发器。
[0004]本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种新型双缓冲晶体振荡触发器,主要由非线性对称触发电路,以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成,所述的双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成,所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2,输入端与倒相放大器U2的输出端相连接的倒相放大器U3,正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负极顺次经电感LI和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2,以及一端与倒相放大器U2的输入端相连接、另一端与电感LI和电感L2的连接点相连接的石英晶体振荡器X2组成,所述倒相放大器U3的输出端和可调电容C2的正极则均与非线性对称触发电路相连接。
[0005]所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1,输入端与倒相放大器Ul的输出端相连接的倒相放大器U4,正极与倒相放大器Ul的输入端相连接、负极顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器Ul的输出端相连接的可调电容Cl,以及一端与倒相放大器Ul的输入端相连接、另一端与电感L3和电感L4的连接点相连接的石英晶体振荡器Xl组成,所述倒相放大器U4的输出端和可调电容Cl的正极则均与非线性对称触发电路相连接。
[0006]所述非线性对称触发电路由晶体管Ql,晶体管Q2,一端与可调电容C2的正极相连接、另一端经电阻R3后与晶体管Ql的集电极相连接的电阻R4,一端与可调电容Cl的正极相连接、另一端经电阻R6后与晶体管Q2的集电极相连接的电阻R5,一端与晶体管Ql的基极相连接、另一端外接+6V电源的电阻R7,以及一端与晶体管Q2的基极相连接、另一端外接+6V电源的电阻R8组成;所述晶体管Ql的基极还与电阻R5和电阻R6的连接点相连接,其发射极接地;晶体管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接,其发射极接地;所述倒相放大器U3的输出端则与晶体管Q2的集电极相连接,倒相放大器U4的输出端则与三极管Ql的集电极相连接。
[0007]本实用新型较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
[0008](I)本实用新型整体结构较为简单,其制作和使用非常方便。
[0009](2)本实用新型充分利用了非线性对称触发电路的非线性特性,因此能确保两管不会同时出现截止情况,有利于运用电路的性能稳定。
[0010](3)本实用新型充分的利用了晶体振荡器的结构简单及能耗较低的优点,将其与非线性对称触发电路结合在一起,从而实现了低能耗的特点。
[0011](4)本实用新型的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路互为备份,因此当任意一个缓冲晶体振荡电路失灵时,都不会影响整个触发器的正常工作。

【专利附图】

【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的整体结构示意图。

【具体实施方式】
[0013]下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明,但本实用新型的实施方式不限于此。
[0014]实施例
[0015]如图1所示,本实用新型所述的新型双缓冲晶体振荡触发器,主要由非线性对称触发电路,以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成。其中,该双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成,即只要当其中任意一个缓冲晶体振荡电路出现故障时,另一个缓冲晶体振荡电路均会正常工作,不会导致整个触发器失灵。
[0016]所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2,倒相放大器U3,电感LI和电感L2,可调电容C2及石英晶体振荡器X2组成。连接时,倒相放大器U3的输入端与倒相放大器U2的输出端相连接;可调电容C2的正极与倒相放大器U2的输入端相连接,其负极顺次经电感LI和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接;石英晶体振荡器X2的一端与倒相放大器U2的输入端相连接,其另一端与电感LI和电感L2的连接点相连接。
[0017]所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1,倒相放大器U4,电感L3,电感L4,可调电容Cl及石英晶体振荡器Xl组成。连接时,倒相放大器U4的输入端与倒相放大器Ul的输出端相连接;可调电容Cl的正极与倒相放大器Ul的输入端相连接,其负极顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器Ul的输出端相连接;石英晶体振荡器Xl的一端与倒相放大器Ul的输入端相连接,其另一端与电感L3和电感L4的连接点相连接。
[0018]所述非线性对称触发电路由晶体管Q1,晶体管Q2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电阻R7及电阻R8组成。连接时,电阻R4的一端与可调电容C2的正极相连接,其另一端经电阻R3后与晶体管Ql的集电极相连接;电阻R5的一端与可调电容Cl的正极相连接,其另一端经电阻R6后与晶体管Q2的集电极相连接;电阻R7的一端与晶体管Ql的基极相连接,其另一端外接+6V电源;电阻R8的一端与晶体管Q2的基极相连接,其另一端外接+6V电源。
[0019]同时,晶体管Ql的基极还与电阻R5和电阻R6的连接点相连接,其发射极接地;晶体管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接,其发射极接地。所述倒相放大器U3的输出端与晶体管Q2的集电极相连接,倒相放大器U4的输出端则与三极管Ql的集电极相连接。
[0020]如上所述,便可以很好的实现本实用新型。
【权利要求】
1.一种新型双缓冲晶体振荡触发器,主要由非线性对称触发电路,以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成,其特征在于,所述的双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成,所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2,输入端与倒相放大器U2的输出端相连接的倒相放大器U3,正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2,以及一端与倒相放大器U2的输入端相连接、另一端与电感L1和电感L2的连接点相连接的石英晶体振荡器X2组成,所述倒相放大器U3的输出端和可调电容C2的正极则均与非线性对称触发电路相连接; 所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1,输入端与倒相放大器U1的输出端相连接的倒相放大器U4,正极与倒相放大器U1的输入端相连接、负极顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器U1的输出端相连接的可调电容C1,以及一端与倒相放大器U1的输入端相连接、另一端与电感L3和电感L4的连接点相连接的石英晶体振荡器XI组成,所述倒相放大器U4的输出端和可调电容C1的正极则均与非线性对称触发电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型双缓冲晶体振荡触发器,其特征在于,所述非线性对称触发电路由晶体管Q1,晶体管Q2,一端与可调电容C2的正极相连接、另一端经电阻R3后与晶体管Q1的集电极相连接的电阻R4,一端与可调电容C1的正极相连接、另一端经电阻R6后与晶体管Q2的集电极相连接的电阻R5,一端与晶体管Q1的基极相连接、另一端外接+6V电源的电阻R7,以及一端与晶体管Q2的基极相连接、另一端外接+6V电源的电阻R8组成;所述晶体管Q1的基极还与电阻R5和电阻R6的连接点相连接,其发射极接地;晶体管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接,其发射极接地;所述倒相放大器U3的输出端则与晶体管Q2的集电极相连接,倒相放大器U4的输出端则与三极管Q1的集电极相连接。
【文档编号】H03K3/02GK204190715SQ201420629518
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】王艳 申请人:成都实瑞达科技有限公司
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