线路板及其制作方法与流程

本发明涉及一种线路板及其制作方法，且特别是涉及一种具有优选的打线接合能力与焊接能力的线路板及其制作方法。

背景技术：

目前常见的接垫的表面处理层，如化镍钯金层，是在铜接垫的表面上分别沉积化学镍层、化学钯层及浸镀金层；或者是，化钯金层，则是在铜接垫的表面上分别沉积化学钯层及浸镀金层。这样的表面处理层通常可提供打线(wire Bond)以及焊接(Soldering)功能。

近来有些文献的研究资料显示，内含有不含磷的纯化学钯层的化镍钯金层或化钯金层，其打线接合能力略佳于内含有含磷的化学钯层的化镍钯金层或化钯金层。但是，内含有含磷的化学钯层的化镍钯金层或化钯金层，其焊接能力却又略佳于内含有不含磷的纯化学钯层的化镍钯金层或化钯金层。当一个产品同时需拥有极佳的打线接合能力与焊接能力时，内含有不含磷的纯化学钯层及内含有含磷的化学钯层的化镍钯金层或化钯金层在打线与焊接能力上的差异，会造成在选用上不小的困扰。如何在一个产品上同时提供优选的打线接合能力与焊接能力，是急待研发的课题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种线路板，其具有优选的打线接合能力与焊接能力。

本发明还一目的在于提供一种线路板的制作方法，用以制作上述的线路板。

为达上述目的，本发明的线路板包括基板、图案化铜层、含磷化学钯层、化学钯层以及浸镀金层。图案化铜层配置于基板上且暴露出部分基板。含磷化学钯层配置于图案化铜层上，其中含磷化学钯层中，磷的重量百分比介于4％至6％之间，而钯的重量百分比介于94％到96％之间。化学钯层配置于含磷化学钯层上，其中化学钯层中，钯的重量百分比至少为99％以上。浸镀金层配置于化学钯层上。

在本发明的一实施例中，上述的线路板还包括：含磷化学镍层，配置于含磷化学钯层与图案化铜层之间，其中含磷化学镍层中，磷的重量百分比介于6％至12％之间。

在本发明的一实施例中，上述的线路板还包括：防焊层，配置于基板上且至少覆盖基板，其中防焊层具有多个开口，且开口暴露部分图案化铜层，而定义出多个接垫，而含磷化学钯层、化学钯层以及浸镀金层依序堆叠于接垫上。

在本发明的一实施例中，上述的防焊层的开口为焊罩定义型开口，且开口所暴露出的接垫为焊罩定义型接垫(Solder Mask Defined,SMD)。

在本发明的一实施例中，上述的防焊层的开口为非焊罩定义型开口，且开口所暴露出的接垫为非焊罩定义型接垫(Non-Solder Mask Defined,NSMD)。

本发明的线路板的制作方法，其包括以下制作工艺步骤。提供基板。形成图案化铜层于基板上，其中图案化铜层覆盖基板且暴露出部分基板。形成含磷化学钯层于图案化铜层上，其中含磷化学钯层覆盖图案化铜层，且含磷化学钯层中，磷的重量百分比介于4％至6％之间，而钯的重量百分比介于94％至96％之间。形成化学钯层于含磷化学钯层上，其中化学钯层覆盖含磷化学钯层，且化学钯层中，钯的重量百分比至少为99％以上。形成浸镀金层于化学钯层上，其中浸镀金层覆盖化学钯层。

在本发明的一实施例中，上述的线路板的制作方法，还包括：形成含磷化学钯层之前，形成含磷化学镍层于图案化铜层上，其中含磷化学镍层配置于含磷化学钯层与图案化铜层之间，且含磷化学镍层中，磷的重量百分比介于6％至12％之间。

在本发明的一实施例中，上述的线路板的制作方法，还包括：在形成图案化图层之后，形成防焊层于基板上且至少覆盖基板，其中防焊层具有多个开口，且开口暴露部分图案化铜层，而定义出多个接垫。

在本发明的一实施例中，上述的防焊层的开口为焊罩定义型开口，且开口所暴露出的接垫为焊罩定义型接垫。

在本发明的一实施例中，上述的防焊层的开口为非焊罩定义型开口，且开口所暴露出的接垫为非焊罩定义型接垫。

基于上述，由于本发明的线路板的图案化铜层上依序堆叠含磷化学钯层、化学钯层以及浸镀金层，其中含磷化学钯层可提供优选的焊接能力，而化学钯层可提供优选的打线接合能力。因此，本发明的线路板可同时具有优选的打线接合能力与焊接能力。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图；

图2A至图2D为本发明的图1的线路板的制作方法的剖面示意图；

图2E为将多个芯片配置于图1的线路板上的剖面示意图；

图3为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图；

图4为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图；

图5为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。

符号说明

10：基板

20、30：芯片

40：打线

100a、100b、100c、100d：线路板

110：图案化铜层

120：含磷化学钯层

130：化学钯层

140：浸镀金层

150：含磷化学镍层

160a、160b：防焊层

O1、O2：开口

P1、P2：接垫

具体实施方式

图1绘示为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，线路板100a包括基板10、图案化铜层110、含磷化学钯层120、化学钯层130以及浸镀金层140。详细来说，图案化铜层110配置于基板10上且暴露出部分基板10。含磷化学钯层120配置于图案化铜层110上，其中含磷化学钯层120中，磷的重量百分比介于4％至6％之间，而钯的重量百分比介于94％到96％之间。化学钯层130配置于含磷化学钯层120上，其中化学钯层130中，钯的重量百分比至少为99％以上。浸镀金层140配置于化学钯层130上。

更具体来说，本实施例的基板10的材质例如是绝缘材料，基板10也可以是单层线路基板或者是多层线路基板，图案化铜层110例如可以是外层线路，但并不限于此。优选地，含磷化学钯层120的厚度例如是介于0.03微米至0.3微米之间；化学钯层130的厚度例如是介于0.03微米至0.3微米之间；浸镀金层140的厚度例如是介于0.03微米至0.2微米之间。此外，本实施例的线路板100a还包括：防焊层160a，配置于基板10上且至少覆盖基板10，其中防焊层160a具有多个开口O1，且开口O1暴露部分图案化铜层110，而定义出多个接垫P1，而含磷化学钯层120、化学钯层130以及浸镀金层140依序堆叠于接垫P1上。也就是说，本实施例的防焊层160a从基板10延伸覆盖至部分图案化铜层110上，而定义出接垫P1，而含磷化学钯层120、化学钯层130以及浸镀金层140仅配置于接垫P1，并没有完全覆盖图案化铜层110。此处，如图1所示，本实施例的防焊层160a的开口O1具体化为焊罩定义型开口，且开口O1所暴露出的接垫P1具体化为焊罩定义型接垫(SMD)。

图2A至图2D绘示为本发明的图1的线路板的制作方法的剖面示意图。在制作工艺上，请先参考图2A，依照本实施例的线路板的制作方法，首先，提供基板10。接着，形成图案化铜层110于基板10上，其中图案化铜层110覆盖基板10且暴露出部分基板10。接着，请参考图2B，形成防焊层160a于基板10上且至少覆盖基板10，其中防焊层160a具有多个开口O1，且开口O1暴露部分图案化铜层110，而定义出多个接垫P1。接着，请参图2C，形成含磷化学钯层120于图案化铜层110上，其中含磷化学钯层覆120盖图案化铜层110，且含磷化学钯层120中，磷的重量百分比介于4％至6％之间，而钯的重量百分比介于94％至96％之间。之后，请再参考图2C，形成化学钯层130于含磷化学钯层120上，其中化学钯层130覆盖含磷化学钯层120，且化学钯层130中，钯的重量百分比至少为99％以上。最后，请参考图2D，形成浸镀金层140于化学钯层130上，其中浸镀金层140覆盖化学钯层130。至此，以完成线路板100a的制作。

由于本实施例的接垫P1上依序堆叠了含磷化学钯层120、化学钯层130以及浸镀金层140，其中由图案化铜层110至浸镀金层140之间的磷含量可逐渐减小，意即磷含量的梯度变化不大，可使焊接后的介金属层(Intermetallic Metal,IMC)磷含量的梯度变化同样不大。如此一来，可使得本发明的线路板100a具有优选的结构可靠度。此外，请参考图2E，由于本实施例的接垫P1上覆盖有可提供硬度需求的化学钯层130，以及覆盖有可满足焊接需求的含磷化学钯层120，因此当将二芯片20、30配置于本实施例的线路板100a上时，其中芯片20是通过倒装结合的方式配置于接垫P1上，而芯片30是通过以打线40电性联接接垫P1，线路板100a可同时提供绝佳的打线接合能力与焊接能力，同时满足打线接合芯片与焊接芯片的需求。值得一提的是，本实施例的线路板100a适于应用在封装基板、印刷电路板等，但不限于此。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图3绘示为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。请同时参考图1与图3，本实施例的线路板100b与图1中的线路板100a相似，二者主要差异之处在于：本实施例的线路板100b还包括：含磷化学镍层150，配置于含磷化学钯层120与图案化铜层110之间，其中含磷化学镍层150中，磷的重量百分比介于6％至12％之间，而镍的重量百分比介于88％至94％之间。优选地，含磷化学镍层150的厚度例如是介于0.05微米至10微米之间；含磷化学钯层120的厚度例如是介于0.03微米至0.3微米之间；化学钯层130的厚度例如是介于0.03微米至0.3微米之间；浸镀金层140的厚度例如是介于0.03微米至0.2微米之间。也就是说，本实施例的接垫P1上依序堆叠了含磷化学镍层150、含磷化学钯层120、化学钯层130以及浸镀金层140，其中由图案化铜层110至浸镀金层140之间的磷含量可逐渐减小，意即磷含量的梯度变化不大，可使焊接后的介金属层(Intermetallic Metal,IMC)磷含量的梯度变化同样不大。如此一来，可使得本发明的线路板100b具有优选的结构可靠度。

在制作工艺上，本实施例的线路板100b的制作方法与上述图1中的线路板100a的制作方法相似，二者主要差异之处在于：形成含磷化学钯层120之前，形成含磷化学镍层150于图案化铜层110上，其中含磷化学镍层150中，磷的重量百分比介于6％至12％之间。之后，再依序形成含磷化学钯层120于含磷化学镍层150上、形成化学钯层130于含磷化学钯层120上以及形成浸镀金层140于化学钯层130上，而完成本实施例的线路板100b的制作。

图4绘示为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。请同时参考图1与图4，本实施例的线路板100c与图1中的线路板100a相似，二者主要差异之处在于：本实施例的线路板100c中的防焊层160b的设置方式不同于图1线路板100a中的防焊层160a的设置方式。详细来说，本实施例的防焊层160b是配置于基板10上，但并未覆盖图案化铜层110。此处，如图4所示，防焊层160b的开口O2具体化为非焊罩定义型开口，且开口O2所暴露出的接垫P2可具体化为非焊罩定义型接垫(NSMD)。在一变化实施例中，防焊层160b也可覆盖浸镀金层140周边部分(未图示)，且开口O2所暴露出的接垫P2也可具体化为非焊罩定义型接垫(NSMD)。

在制作工艺上，本实施例的线路板100c的制作方法的步骤与上述图1中的线路板100a的制作方法的步骤完全。也就是说，首先，提供基板10。接着，形成图案化铜层110于基板10上，其中图案化铜层110覆盖基板10且暴露出部分基板10。接着，形成防焊层160b于基板10上，其中防焊层160b具有多个开口O2，且开口O2完全暴露出图案化铜层110，而定义出多个接垫P2。接着，形成含磷化学钯层120于图案化铜层110上，其中含磷化学钯层覆120盖图案化铜层110，且含磷化学钯层120中，磷的重量百分比介于4％至6％之间，而钯的重量百分比介于94％至96％之间。之后，形成化学钯层130于含磷化学钯层120上，其中化学钯层130覆盖含磷化学钯层120，且化学钯层130中，钯的重量百分比至少为99％以上。最后，形成浸镀金层140于化学钯层130上，其中浸镀金层140覆盖化学钯层130。至此，以完成线路板100c的制作。在一变化实施例中，可于图案化铜层110、含磷化学钯层120、化学钯层130、浸镀金层140形成之后，再进行防焊层160b的制作，防焊层160b可覆盖浸镀金层140周边部分(未图示)，且开口O2所暴露出的接垫P2也可具体化为非焊罩定义型接垫(NSMD)。

图5绘示为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。请同时参考图4与图5，本实施例的线路板100d与图4中的线路板100c相似，二者主要差异之处在于：本实施例的线路板100d还包括：含磷化学镍层150，配置于含磷化学钯层120与图案化铜层110之间，其中含磷化学镍层150中，磷的重量百分比介于6％至12％之间。也就是说，本实施例的接垫P2上依序堆叠了含磷化学镍层150、含磷化学钯层120、化学钯层130以及浸镀金层140，其中由图案化铜层110至浸镀金层140之间的磷含量可逐渐减小，意即磷含量的梯度变化不大，可使焊接后的介金属层(Intermetallic Metal,IMC)磷含量的梯度变化同样不大。如此一来，可使得本发明的线路板100d具有优选的结构可靠度。

综上所述，由于本发明的线路板的图案化铜层上依序堆叠含磷化学钯层、化学钯层以及浸镀金层，其中含磷化学钯层可提供优选的焊接能力，而化学钯层可提供优选的打线接合能力。因此，本发明的线路板可同时具有优选的打线接合能力与焊接能力，同时满足打线接合芯片与焊接芯片的需求，而且能够提供稳定的可靠度。

虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。