1.一种高电平选择电路，其特征在于，包括：
第一开关单元，其输入端接收第一电压，其控制端接收第二电压；
第二开关单元，其输入端接收所述第二电压，其输出端耦接所述第一开关单元的输出端，其控制端接收所述第一电压；
其中，当所述第一电压大于等于所述第二电压时，所述第一开关单元和第二开关单元的输出端上的高电平电压等于所述第一电压，所述第一电压小于所述第二电压时，所述高电平电压等于所述第二电压。
2.根据权利要求1所述的高电平选择电路，其特征在于，所述第一开关单元包括：
第一PMOS管，其漏极耦接所述第一开关单元的输入端，其源极和衬底耦接所述第一开关单元的输出端，其栅极耦接所述第一开关单元的控制端。
3.根据权利要求1所述的高电平选择电路，其特征在于，所述第二开关单元包括：
第二PMOS管，其漏极耦接所述第二开关单元的输入端，其源极和衬底耦接所述第二开关单元的输出端，其栅极耦接所述第二开关单元的控制端。
4.根据权利要求1所述的高电平选择电路，其特征在于，还包括：
快速充电单元，当所述第一电压和第二电压的压差在第一阈值范围内，且所述高电平电压被下拉下降时，所述第一电压经由所述快速充电单元对所述第一开关单元和第二开关单元的输出端充电，使得所述高电平电压等于所述第一电压，或者，所述第二电压经由所述快速充电单元对所述第一开关单元和第二开关单元的输出端充电，使得所述高电平电压等于所述第二电压。
5.根据权利要求4所述的高电平选择电路，其特征在于，所述快速充电单元包括：
第一二极管，其正极接收所述第一电压，其负极连接所述第一开关单元和第二开关单元的输出端；
第二二极管，其正极接收所述第二电压，其负极连接所述第一开关单元和第二开关单元的输出端。
6.根据权利要求5所述的高电平选择电路，其特征在于，
所述第一二极管为第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏极作为所述第一二极管的正极，所述第三PMOS管的栅极、源极和衬底互相耦接并作为所述第一二极管的负极；
所述第二二极管为第四PMOS管，所述第四PMOS管的漏极作为所述第二二极管的正极，所述第四PMOS管的栅极、源极和衬底互相耦接并作为所述第二二极管的负极。
7.根据权利要求5所述的高电平选择电路，其特征在于，
所述第一二极管为第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极和栅极耦接并作为所述第一二极管的正极，所述第一NMOS管的源极作为所述第一二极管的负极，所述第一NMOS管的衬底接地；
所述第二二极管为第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极和栅极互相耦接并作为所述第二二极管的正极，所述第二NMOS管的源极作为所述第二二极管的负极，所述第二NMOS管的衬底接地。
8.根据权利要求1至7任一项所述的高电平选择电路，其特征在于，所述高电平电压适于传输至至少一个PMOS管的衬底。
9.一种电子系统，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的高电平选择电路。