技术总结
本发明公开了一种反馈型D锁存器，包括反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极连接，第一PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极连接，第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极和第三NMOS管的漏极连接，第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的源极连接，第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极连接，反相器的输出端、第四NMOS管的源极和第三PMOS管的源极连接；优点是功耗较低，输出稳定，鲁棒性较好。
技术研发人员：邬杨波;雷师节
受保护的技术使用者：宁波大学
文档号码：201611102260
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.05.10