1.一种频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：包括NMOS管N1、连接在NMOS管N1栅极与漏极之间的频偏控制电路、电阻Rf以及选频网络，以及连接频偏控制电路输入端的可编程电流源；所述频偏控制电路输出端连接外部的频偏检测模块的输入端，所述可编程电流源输入端连接外部的频偏检测模块的输出端；
所述频偏控制电路接收振荡信号，根据可编程电流源输出的控制参数调整信号频偏，输出调整后的信号；所述可编程电流源根据外部的频偏检测模块反馈的配置参数，设置相应的控制参数输出至频偏控制电路。
2.如权利要求1所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述频偏控制电路包括电流源产生单元、第一镜像电流单元、第二镜像电流单元、第三镜像电流单元和信号放大单元；所述电流源产生单元用于产生直流电流源I0；所述第一镜像电流单元、第二镜像电流单元和第三镜像电流单元用于根据可编程电流源输出的控制参数产生值为直流电流源I0相应倍数的第一电流I1、第二电流I2和第三电流ID；所述信号放大单元用于根据第一电流I1和第二电流I2的大小将选频网络输入的信号进行放大处理后输出至外部的频偏检测模块。
3.如权利要求2所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述电流源产生单元包括直流电流源IDC、开关管P1、电流镜管P2、电阻R1和电容C3；所述开关管P1源极连接电源VDD、栅极接地、漏极连接电流镜管P2的源极；所述电流镜管P2栅极和漏极都与直流电流源IDC连接；所述电阻R1和电容C3串联组成低通滤波电路，连接在电源VDD和直流电流源IDC之间。
4.如权利要求2所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述电流源产生单元包括直流电流源IDC和电流镜管P2、电流镜管P2栅极和漏极与直流电流源IDC连接，源极连接电源VDD。
5.如权利要求2所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述第一镜像电流单元和第二镜像电流单元包括N组相互并联的镜像子单元，每个电流镜像子单元由开关管和电流镜管串联组成；开关管的源极连接电源VDD、栅极连接可编程电流源的输出端、漏极连接电流镜管的源极；电流镜管的栅极连接电流源产生单元，漏极连接信号放大单元；其中，N为大于或等于2的正整数。
6.如权利要求5所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述第三镜像电流单元包括M组相互并联的镜像子单元，每个镜像子单元由开关管和电流镜管串联组成；开关管的源极连接电源、栅极连接可编程电流源的输出端、漏极连接电流镜管的源极；电流镜管的栅极连接电流源产生单元，漏极连接NMOS管N1的源极；其中，M为大于N的正整数。
7.如权利要求2所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述信号放大单元包括NMOS管N2、NMOS管N3、电阻R2、电容C4；NMOS管N2源极连接第一镜像电流单元接收第一电流I1，栅极通过电阻R2与NMOS管N3栅级相连，以及通过电容C4与NMOS管N1栅极相连，漏极接地；NMOS管N3源极连接第二镜像电流单元接收第二电流I2，栅极直接连接NMOS管N2的源极，漏极接地。
8.如权利要求1所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述外部的频偏检测模块用于对频偏控制电路输出的信号进行频偏检测，根据频偏的大小反馈相应的配置参数给可编程电流源。
9.如权利要求1所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述可编程电流源为10bit的可编程电流源。
10.如权利要求1所述的频偏控制晶体振荡电路，其特征在于：所述选频网络为三点式选频网络。