1.一种具有功率补偿功能的LED驱动芯片，包括：
一芯片输入端；一芯片输出端；和
一功率补偿电路本体，所述功率补偿电路本体包括串联的第一运算放大器和一第一MOS管，所述第一运算放大器的正相输入端连接一参考电压输入端，所述第一运算放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极连接所述芯片输入端，所述第一MOS管的源极连接所述芯片输出端，其特征在于，功率补偿电路本体还包括一补偿电阻，所述补偿电阻连接于所述第一运算放大器的反相输入端与所述芯片输出端之间；所述功率补偿电路本体并联一调整模块，所述调整模块的输入端连接所述芯片输入端，所述调整模块的输出端连接所述第一运算放大器的反相输入端，所述调整模块为随着电路温度和所述芯片输入端的电压的变化而调整其输出电流的模块。
2.根据权利要求1所述的具有功率补偿功能的LED驱动芯片，其特征在于，所述调整模块包括：
一电压传感器，所述电压传感器连接所述芯片输入端；
一与绝对温度成正比的电压发生器，所述与绝对温度成正比的电压发生器用于产生与电路温度变化呈正比例的一参考电位；和
一调整电路，所述调整电路的输入端连接所述电压传感器和所述与绝对温度成正比的电压发生器的输出端，所述调整电路的输出端连接所述第一运算放大器的反相输入端。
3.根据权利要求2所述的具有功率补偿功能的LED驱动芯片，其特征在于，所述调整电路包括：
一第二运算放大器，所述第二运算放大器的正相输入端连接所述电压传感器的输出端，所述第二运算放大器的反相输入端连接所述与绝对温度成正比的电压发生器的输出端；
一第一电压控制电流源，所述第一电压控制电流源的第一输入端连接所述电压传感器的输出端，所述第一电压控制电流源的第二输入端连接所述第二运算放大器的输出端，所述第一电压控制电流源的输出端连接一等电位端；以及
一第二电压控制电流源，所述第二电压控制电流源的第一输入端连接一电源，所述第二电压控制电流源的第二输入端连接所述第二运算放大器的输出端，所述第二电压控制电流源的输出端连接所述第一运算放大器的反相输入端。
4.根据权利要求3所述的具有功率补偿功能的LED驱动芯片，其特征在于，所述电压传感器包括：
一第一测量电阻，所述第一测量电阻的第一端连接所述芯片输入端，所述第一测量电阻的输出端连接所述电压传感器的输出端；和
一第二测量电阻，所述第二测量电阻的第一端连接所述第一测量电阻的第二端，所述第二测量电阻的第二端连接所述等电位端。
5.根据权利要求3所述的具有功率补偿功能的LED驱动芯片，其特征在于，所述与绝对温度成正比的电压发生器包括：
一第二MOS管，所述第二MOS管的源极连接所述电源；
一第一三极管，所述第一三极管的发射极连接所述第二MOS管的漏极，所述第一三极管的集电极连接所述等电位端；
一第三MOS管，所述第三MOS管的源极连接所述电源，所述第三MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极；
一第一限流电阻；
一第二三极管，所述第二三极管的发射极通过所述第一限流电阻连接所述第三MOS管的漏极，所述第二三极管的集电极连接所述等电位端，所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的基极并连接所述等电位端；
一第三运算放大器，所述第三运算放大器的正相输入端连接所述第三MOS管的漏极，所述第三运算放大器的反相输入端连接所述第二MOS管的漏极；
一第四MOS管，所述第四MOS管的源极连接所述电源，所述第四MOS管的栅极连接所述第三MOS管的栅极并连接所述第三运算放大器的输出端，所述第四MOS管的漏极连接所述第二运算放大器的反相输入端；以及
一第二限流电阻，所述第二限流电阻的第一端连接所述第四MOS的漏极和所述第二运算放大器的反相输入端，所述第二限流电阻的第二端连接所述等电位端。
6.一种具有功率补偿功能的LED电路系统，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的具有功率补偿功能的LED驱动芯片和一外围电路。
7.根据权利要求6所述的具有功率补偿功能的LED电路系统，其特征在于，所述外围电路包括：
一整流桥，所述整流桥的输入端连接外部一交流电源，所述整流桥的负极输出端接地；
一LED灯组，所述LED灯组的输入端连接所述整流桥的正极输出端，所述LED灯组的输出端连接所述芯片输入端；以及
一采样电阻，所述采样电阻第一端连接所述芯片输出端，所述采样电阻第二端连接所述整流桥的负极输出端并接地。