1.一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主体(1)、红外线发射装置(11)和可控硅控制器内壳(14)，其特征在于，所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有开关键(2)，且开关键(2)右侧安装有模式键(7)，所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有显示器装置(5)，且显示器装置(5)下方安装有工作指示灯装置(6)，所述可控硅控制器主体(1)下方安装有蓄电池装置(10)，所述可控硅控制器主体(1)内部安装有可控硅控制器内壳(14)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有红外线发射装置(11)，所述红外线发射装置(11)下方安装有数据连接线装置(12)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有高抗可控硅SCR模块(13)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有处理器装置(16)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有主板固定装置(15)。
2.根据权利要求1所述的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述高抗可控硅SCR模块(13)为三端双向可控硅开关。
3.根据权利要求1所述的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述蓄电池装置(10)左侧上方安装有时间加键(4)。
4.根据权利要求1所述的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述蓄电池装置(10)右侧上方安装有时间减键(9)。
5.根据权利要求1所述的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述开关键(2)下方安装有温度加键(3)。
6.根据权利要求1所述的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述模式键(7)下方安装有温度减键(8)。