本实用新型涉及一种具有高放大倍数的场效应管驱动电路。尤其是具有信号隔离作用且放大倍数较高的场效应管驱动电路。
背景技术：
在现有技术中，场效应管的驱动电路在使用三极管进行驱动信号放大时常常会因为单个三极管的放大倍数较低无法让场效应管做到快速开通和关断，尤其是当三极管饱和时放大倍数较低且干扰信号使场效应管开通和关断时的驱动信号失真，所以场效应管无法做到快速开通和关断且驱动电路需要具有抗干扰能力；现有产品已经不能满足要求。因此，探索具有抗干扰能力且放大倍数较高的场效应管驱动电路成为了新开发产品中的一个必须解决的问题。
技术实现要素：
为此，本实用新型提出一种高放大倍数的场效应管驱动电路，该电路能够有效减少杂波对驱动信号的干扰，提高驱动电路的抗干扰能力且具有较大的放大倍数，更快地驱动场效应管开通和关断。
本实用新提出的这种高放大倍数的场效应管驱动电路，它由电阻、电容、变压器和三极管构成，其特征在于电阻R1左端接驱动信号，右端接三极管V1基极；三极管V1集电极、电容C1上端、电容C2的上端与电源VCC1相连；电容C1和C2的下端接地；三极管V1发射极、电阻R2上端与变压器T1原边绕组上端相连；电阻R2下端与变压器T1原边绕组的下端相连接地；变压器T1副边绕组上端接电阻R3左端；电阻R3右端接三极管V2基极；三极管V2集电极、三极管V3集电极与电源VCC2相连；三极管V2发射极、电阻R4的上端和电阻R5左端相连；电阻R5右端接三极管V3基极；三极管V3发射极、电阻R6上端、电容C3上端与场效应管的栅极g相连；变压器T1副边绕组下端、电阻R4下端、电阻R6下端、电容C3下端和场效应管源极s相连。
三极管V2和V3为NPN型。它们构成达林顿管，使驱动电路的放大倍数提高；隔离变压器使用高频磁环绕制，这样，经射极跟随器跟随驱动信号以及变压器电气隔离后，驱动信号不会失真，再由达林顿管高倍放大驱动信号，使得场效应管快速开通和关断。
本实用新型采用高频磁环绕制变压器进行驱动信号隔离后，能有效减少杂波对驱动信号的干扰，提高了驱动电路的抗干扰能力和驱动信号的传输速率；采用达林顿管后驱动电路放大倍数较高，驱动场效应管开通和关断的时间均是纳秒量级。
附图说明
图1是本实用新型的电路结构图。
图1中，电容C3的上端为本实用新型一种具有高放大倍数的场效应管驱动电路的输出端，与场效应管的栅极g相连；变压器T1副边绕组的下端、电阻R4的下端、电阻R6的下端、电容C3的下端与场效应管的源极s相连；三极管V2和V3的连接方式为驱动电路的核心部分，三极管V2和V3的连接方式构成达林顿管。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本实用新型。
图1中的三极管、变压器、电阻和电容等元器件的大小等参数的计算与现有技术完全相同，属成熟技术，此处不作细述，阅者可参阅相关教科书。
如图1所示，本实用新型与现有技术的不同是首先使用射极跟随器对驱动信号进行跟随，然后变压器进行信号隔离，使用达林顿管改进驱动电路放大能力，其实施方式如下：电阻R1的左端与驱动信号相连；电阻R1的右端与三极管V1的基极相连；三极管V1的集电极、电容C1的上端、电容C2的上端、电源VCC1相连；电容C1的下端和电容C2的下端接地；三极管V1的发射极、电阻R2的上端、变压器T1原边绕组的上端相连；电阻R2的下端、变压器T1原边绕组的下端相连接地；变压器T1副边绕组的上端、电阻R3的左端相连；电阻R3的右端与三极管V2的基极相连；三极管V2的集电极、三极管V3的集电极、电源VCC2相连；三极管V2的发射极、电阻R4的上端、电阻R5的左端相连；电阻R5的右端与三极管V3的基极相连；三极管V3的发射极、电阻R6的上端、电容C3的上端、场效应管的栅极g相连；变压器T1副边绕组的下端、电阻R4的下端、电阻R6的下端、电容C3的下端与场效应管的源极s相连；
二个NPN型三极管V2和V3构成达林顿管，使驱动电路的放大倍数提高，隔离变压器使用高频磁环绕制，这样，经射极跟随器跟随驱动信号以及变压器电气隔离后，驱动信号不会失真，再由达林顿管高倍放大驱动信号，使得场效应管快速开通和关断。
实测表明：采用变压器进行驱动信号隔离后，能有效减少杂波对驱动信号的干扰，提高了驱动电路的抗干扰能力；采用达林顿管后驱动电路放大倍数较高，当频率在1M-2M范围内的方波信号驱动下，驱动场效应管开通和关断的时间均是40ns以内，比普通驱动电路提高两个数量级。