技术总结
驱动器电路具有栅极驱动端子，其产生栅极驱动信号，以控制并联的功率半导体开关(诸如GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件)。其中一个开关最接近栅极驱动端子，使得其栅极驱动回路电感小于其余的更远的、具有更大回路电感的开关。在最靠近的开关的栅极驱动电路中提供附加的电阻器或栅极‑源极电容器，与其余开关相比，这增加最靠近的开关的总栅极电阻，这延迟最靠近的开关的关断时间。该延迟允许其余开关的零电压开关关断，以降低噪声。最靠近的开关难以切断，但是具有最小的回路电感，这允许优化的关断。
技术研发人员：卢俊诚;白华
受保护的技术使用者：黑拉公司中心美国股份有限公司
文档号码：201680035815
技术研发日：2016.05.13
技术公布日：2018.03.20