技术总结
本发明涉及用于高分辨率DCO的数字控制可变电抗器结构，其中，一种数字控制可变电抗器装置包含：本体nMOS场效应晶体管集合，其本体绑定至接地，该本体nMOS场效应晶体管集合具有：第一晶体管，包括：源极，耦合至直流电压源；以与栅极，耦合至数字控制振荡器；第二晶体管，包括：源极，耦合至该直流电压源；以与栅极，耦合至该数字控制振荡器；以及第三晶体管，包括：源极，耦合至该第一晶体管的漏极；以及漏极，耦合至该第二晶体管的漏极。数字控制可变电抗器中的晶体管可为有耦合至直流电压源的背栅极的FDSOI nMOS装置。
技术研发人员：张弛;
受保护的技术使用者：格芯公司;
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2018.06.12