1.一种宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述宽带CMOS低噪声放大电路包括：
接收输入信号，并进行输入匹配的信号输入单元；
与所述信号输入单元的输出端连接，对所述输入信号进行放大，并将电路所产生的噪声电流一路直接同相输出，另一路反馈给所述信号输入单元进行噪声电压转换并反相的放大单元；
分别与所述信号输入单元的输出端和所述放大单元的输出端连接，接收经所述信号输入单元转换并反相后的噪声电压以及所述放大单元同相输出的所述噪声电流，并将所述反相后的噪声电压转换为反相的噪声电流后，与所述同相的噪声电流进行叠加进而抵消电路噪声的噪声抵消单元。
2.如权利要求1所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述宽带CMOS低噪声放大电路还包括：
连接于所述信号输入单元的输入端，对所述宽带CMOS低噪声放大电路进行静电防护的ESD保护单元。
3.如权利要求2所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述ESD保护单元包括：二极管D1和二极管D2；
所述二极管D1的阳极接所述二极管D2的阴极，所述二极管D1的阴极接电源，所述二极管D2的阳极接地，所述二极管D1和所述二极管D2的公共端接所述信号输入单元。
4.如权利要求3所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述信号输入单元包括MOS管M1a和MOS管M1b；
所述MOS管M1a的源极接所述MOS管M1b的漏极，所述MOS管M1a的漏极接电源，所述MOS管M1b的源极接地，所述MOS管M1a和所述MOS管M1b的公共端分别接所述二极管D1的阳极、所述放大单元及所述噪声抵消单元，所述MOS管M1a的栅极接所述放大单元。
5.如权利要求4所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述放大单元包括MOS管M2a、MOS管M2b及MOS管M2c；所述放大单元采用共源共栅结构；
所述MOS管M2a的源极接所述MOS管M2b的漏极，所述MOS管M2b的源极接所述MOS管M2c的漏极，所述MOS管M2a的漏极和所述MOS管M2b的栅极共接于电源，所述MOS管M2a和所述MOS管M2b的公共端接所述MOS管M1a的栅极，所述MOS管M2c的栅极接所述MOS管M1a的源极，所述MOS管M2c的源极接地。
6.如权利要求5所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述噪声抵消单元包括：MOS管M3a、MOS管M3b及MOS管M3c；所述噪声抵消单元采用共源共栅结构，所述MOS管M3a为所述放大单元的源极跟随器；
所述MOS管M3a的源极接所述MOS管M3b的漏极，所述MOS管M3b的源极接所述MOS管M3c的漏极，所述MOS管M3a的栅极接所述MOS管M2a的源极，所述MOS管M3a的漏极接正电源，所述MOS管M3c的栅极接所述MOS管M2c的栅极，所述MOS管M3c的源极接地。
7.如权利要求1所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述宽带CMOS低噪声放大电路还包括：
连接于所述放大单元和所述噪声抵消单元之间，进行交流耦合的交流耦合单元。
8.如权利要求7所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述交流耦合单元包括：电阻R1、电阻R2及电容C1；
所述电阻R1的第一端和所述电阻R2的第一端共接于电源，所述电阻R1的第二端接所述放大单元，所述电阻R2的第二端接所述噪声抵消单元，所述电容C1的两端分别接所述电阻R1的第二端和所述电阻R2的第二端。
9.一种低噪声放大器，其特征在于，所述宽带低噪声放大器包括如权利要求1～8任意一项所述的宽带CMOS低噪声放大电路。
10.一种无线接收机，其特征在于，所述宽带接收机包括如权利要求9所述的宽带低噪声放大器。