一种新型纳米铜碳基屏蔽罩罩体的制作方法

文档序号:13671632
本实用新型涉及一种屏蔽导热件,具体是实现一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体。
背景技术
:在电子终端中,广泛应用有屏蔽罩,来为电子终端中某些电子器件提供电磁屏蔽作用。目前,屏蔽罩通常采用金属屏蔽罩,比如不锈钢或镀锡钢带(马口铁皮)等,由支腿及罩体组成,支腿与罩体为活动连接;但被金属屏蔽罩遮掩的电子器件,散热会更加困难。如何解决屏蔽罩内电子器件的散热均热问题,是目前的一个技术难点。技术实现要素:为了解决上述技术问题,本实用新型提出一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,可替代传统的屏蔽罩的罩体(或称为上盖),在具有较好的屏蔽功能的同时,还可以起到导热均热、导电的效果。为了实现以上目的,本实用新型采用如下技术方案。一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,其包括第一基层、第二基层和第三基层,其中,第一基层为纳米铜箔基层,第二基层为纳米导热材料涂层和用于实现导热的纳米导电涂层的组合涂层,第三基层为用于实现导热的纳米导电涂层和纳米导热材料涂层的组合涂层。所述的第一基层位于第二基层和第三基层中间,所述的第二基层的纳米导热材料涂层和所述的第三基层的用于实现导热的纳米导电涂层在垂直平面上相互对应,所述的第二基层的用于实现导热的纳米导电涂层和所述的第三基层的纳米导热材料涂层在垂直平面上相互对应。进一步的,所述的第一基层的厚度为25-55um。如上所述的第一基层中包含的纳米铜颗粒,且该纳米铜颗粒采用电解法制取,其纳米铜的粒度控制在600-800nm,纳米铜箔基层的厚度为25-55um。这样,通过该纳米工艺处理的纳米铜箔具有良好的金属屏蔽性能及导热导电性能。进一步的,如上所述的第二基层和第三基层中的用于实现导电的纳米导电涂层的厚度为2-4um。该纳米导电涂层中包含45%-60%固含量的石墨烯,具有较好的导电性。更进一步的,如上所述的第二基层和第三基层中的用于实现导电的纳米导电涂层为由50-65%的聚氨酯粘合胶粘体(或环氧树脂胶粘体),3-8%的二甲基硅油消泡剂(或聚丙烯酸酯消泡剂),2-4%9510、9101分散剂等与45-60%的石墨烯涂布而成的涂层(以上所述的百分比均为质量百分比)。进一步的,如上所述的第二基层和第三基层中的纳米导热材料涂层的厚度为2-4um。该纳米导热材料涂层中包含55-75%固含量的膨胀石墨粉,具有较好的热辐射吸收导热性能。更进一步的,如上所述的第二基层和第三基层中的纳米导热材料涂层为由35-55%的聚氨酯粘合胶粘体(或环氧树脂胶粘体),5-10%的二甲基硅油消泡剂(或聚丙烯酸酯消泡剂),2-4%9510,9101分散剂等与55-75%的膨胀石墨粉涂布而成的涂层(以上所述的百分比均为质量百分比)。本实用新型罩体可以根据底座(支脚)大小模切成型,即可贴敷到底座上面。附图说明图1为具体实施案例1的俯视图。主要元件符号说明:第一基层100第二基层200第三基层300第二基层上的纳米导热涂层210第二基层上的纳米导电涂层220第三基层上的纳米导电涂层310第三基层上的纳米导热涂层320如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容,特举以下实施例详细说明,其目的仅在于更好理解本实用新型的内容而非限制本实用新型的保护范围。实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放,故不代表实施例中各结构的实际相对大小。具体实施方式具体实施案例1:如图1所示,一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,其包括第一基层、第二基层和第三基层,其中,第一基层为纳米铜箔基层,第二基层为纳米导热材料涂层和用于实现导热的纳米导电涂层的组合涂层,第三基层为用于实现导热的纳米导电涂层和纳米导热材料涂层的组合涂层。所述的第一基层位于第二基层和第三基层中间,所述的第二基层的纳米导热材料涂层和所述的第三基层的用于实现导热的纳米导电涂层在垂直平面上相互对应,所述的第二基层的用于实现导热的纳米导电涂层和所述的第三基层的纳米导热材料涂层在垂直平面上相互对应。如上所述的第一基层的厚度为26um。如上所述的第一基层中包含的纳米铜颗粒,且该纳米铜颗粒采用电解法制取,其纳米铜的粒度控制在600-800nm。这样,通过该纳米工艺处理的纳米铜箔具有良好的金属屏蔽性能及导热导电性能。如上所述的第二基层和第三基层中的用于实现导电的纳米导电涂层的厚度为3um,其为由65%的聚氨酯粘合胶粘体,5%的二甲基硅油消泡剂,2%9510、9101分散剂等与28%的石墨烯涂布而成的涂层(以上所述的百分比均为质量百分比)。如上所述的第二基层和第三基层中的纳米导热材料涂层的厚度为3um。其为由50%的聚氨酯粘合胶粘体,6%的二甲基硅油消泡剂,3%9510,9101分散剂等与41%的膨胀石墨粉涂布而成的涂层(以上所述的百分比均为质量百分比)。以上所述实施例,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。当前第1页1 2 3 
再多了解一些
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1