[技术领域]
本实用新型涉及焊接结构,尤其涉及一种电子电路的焊盘结构。
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背景技术:
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电子产品的生产过程中,尤其是封装产品的生产,通常需要无助焊剂的焊接工艺,助焊剂的使用会导致芯片表面被挥发的助焊剂污染。
申请号为cn201710827840.9的发明公开了一种半导体的锡银接合结构及其制造方法,该半导体的锡银接合结构具有导接铜层、锡镀层及银镀层,该导接铜层与含锡镀液接触以进行第一化学镀反应,使该锡镀层直接形成于该导接铜层表面,该锡镀层与含银镀液接触以进行第二化学镀反应,使该银镀层直接形成于该锡镀层表面,其中该银镀层用以抑制该锡镀层表面形成锡须。该发明半导体的锡银接合结构锡表面的银镀层不仅容易氧化,而且当电路板需要蚀刻处理时,蚀刻液中的氨水会和银形成银氨络合物,使锡镀层上面的银镀层失效。
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技术实现要素:
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本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够保护银镀层的电子电路的焊盘结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是,一种电子电路的焊盘结构,包括导接铜层、锡镀层、银镀层和金镀层,锡镀层位于导接铜层与银镀层之间,金镀层覆盖于银镀层的外表面。
以上所述的电子电路的焊盘结构,包括镍镀层,镍镀层位于导接铜层与锡镀层之间。
以上所述的电子电路的焊盘结构,锡镀层的厚度为1至20μm,银镀层的厚度为0.01至1μm,金镀层的厚度为0.01至0.2μm。
以上所述的电子电路的焊盘结构,镍镀层的厚度为0.01至5μm。
以上所述的电子电路的焊盘结构,所述的锡镀层、镍镀层、银镀层和金镀层是电镀层。
本实用新型银镀层的外表面覆盖有金镀层,金镀层不仅可以保护银镀层不被氧化,而且电路板需要蚀刻处理时,金镀层可以保护银镀层不受蚀刻液中的氨水的侵蚀而失效。
[附图说明]
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型实施例1电子元器件焊接结构的剖面图。
图2是本实用新型实施例2电子元器件焊接结构的剖面图。
[具体实施方式]
本实用新型实施例1电子元器件焊接结构如图1所示,包括导接铜层1、锡镀层2、银镀层3和金镀层4,锡镀层2位于导接铜层1与银镀层3之间,金镀层4覆盖于银镀层3的外表面。
锡镀层2、银镀层3和金镀层4都是电镀层。
其中,锡镀层2的厚度为1至20μm,银镀层3的厚度为0.01至1μm,金镀层4的厚度为0.01至0.2μm。
本实用新型实施例1电子元器件焊接结构中金镀层的作用如下:
1)金镀层不仅可以保护银镀层不被氧化,而且电路板需要蚀刻处理时,金镀层可以保护银镀层不受蚀刻液中的氨水的侵蚀而失效。
2)锡镀层经回流焊的高温熔化后与导接铜层、银镀层和金镀层形成的合金的熔点远高于锡镀层的熔点,焊接结构可以耐受第二次回流焊的温度,不被破坏。
3)银镀层和金镀层可以共同抑制锡须生长。
本实用新型实施例2电子元器件焊接结构如图2所示,与实施例1不同的是,除了导接铜层1、锡镀层2、银镀层3和金镀层4,还包括镍镀层5,镍镀层5位于导接铜层1与锡镀层2之间。镍镀层5也是电镀层。镍镀层5的厚度为0.01至5μm。
镍镀层5作为锡铜之间的阻挡层,具有很好的抑制锡须的作用。
1.一种电子电路的焊盘结构,包括导接铜层、锡镀层及银镀层,锡镀层位于导接铜层与银镀层之间,其特征在于,包括金镀层,金镀层覆盖于银镀层的外表面。
2.根据权利要求1所述的电子电路的焊盘结构,其特征在于,包括镍镀层,镍镀层位于导接铜层与锡镀层之间。
3.根据权利要求1所述的电子电路的焊盘结构,其特征在于,锡镀层的厚度为1至20μm,银镀层的厚度为0.01至1μm,金镀层的厚度为0.01至0.2μm。
4.根据权利要求2所述的电子电路的焊盘结构,其特征在于,镍镀层的厚度为0.01至5μm。
5.根据权利要求2所述的电子电路的焊盘结构,其特征在于,所述的锡镀层、镍镀层、银镀层和金镀层是电镀层。