1.氮化硼散热膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1：将氮化硼粉末、聚合物和溶剂混合，得到第一分散浆料；
s2：向所述第一分散浆料施加机械力进行剥离，得到包含氮化硼纳米片的第二分散浆料；
s3：将所述第二分散浆料在基底上涂布，得到薄膜；
s4：对所述薄膜进行压缩处理，得到氮化硼散热膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述压缩处理的压力为1～1000mpa，处理时间为10s～24h；
优选的，所述压缩处理的压力为5～60mpa，处理时间为10s～2h；
优选的，所述压缩处理的温度为20～400℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s4为：对所述薄膜进行压缩处理，得到负载在所述基底上的氮化硼薄膜层，转移所述氮化硼薄膜层得到所述氮化硼散热膜；
优选的，所述转移的方式为使带有离型膜的双面胶与所述氮化硼薄膜层接触，将所述氮化硼薄膜层转移到所述双面胶，得到所述氮化硼散热膜；
优选的，转移到所述双面胶后，还包括在所述氮化硼薄膜层远离所述双面胶的一侧覆盖单面胶。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硼薄膜层中氮化硼的质量为50～99wt％。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二分散浆料在涂布前调节粘度为200～10000mpa·s，优选为500～5000mpa·s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s2中，施加机械力的方式为球磨。
7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物选自聚乙烯醇、聚酰胺、聚酰亚胺、环氧树脂、聚砜、聚酯、聚醚、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚偏氟乙烯、聚芳酰胺、酚醛树脂、聚碳酸酯、聚乙烯亚胺、纳米纤维素、羧甲基纤维素钠、硅橡胶前驱体中的至少一种。
8.氮化硼散热膜，其特征在于，采用权利要求1至7任一项所述的制备方法制备得到。
9.电子器件，其特征在于，设置有权利要求8所述的氮化硼散热膜。
10.电子设备，其特征在于，包括权利要求8所述的氮化硼散热膜。