专利名称：用作同步视频检波器的受控振荡器的制作方法
技术领域：
本发明涉及其振荡频率及相位都可以进行电控的振荡器。
具有自动频率和相位控制(AFPC)性能的振荡器可被用作例如同步视频检波器。通常，是在作为多级视频中频(IF)放大器的同一个单片集成电路内制造同步视频检波器。同步检波器通常是“树”形的，其中按差模跨导放大器方式工作的第一对发射极耦合晶体管的集电极电流受到按单刀双掷电流方式转换开关的形式工作的另一对相应的发射极耦合晶体管的同步切换。“树”型同步检波器可设计成使之具有相当大的转换坛盖(20分贝左右)，以降低对图象(PIX)IF放大器的视频IF电压坛益的要求，该图象(PIX)IF放大器将经过放大的视频IF信号供给第一对发射极耦合差分放大器晶体管的基极。
当前，在电视信号接收设备中实现IF滤波和坛益功能的实际方法是使用一种集总或“块”滤波器(lumped或″b1ock″filter)，该滤波器设在一个坛益块放大器(gain-block amplifier)的前面，该坛益块放大器包括在单片集成电路(IC)之中按照直接耦合的级联方式设置的多个级。“块”滤波器通常是一个表面声波(SAW)滤波器，它用来提供电视接收机所需要的整体通带形状和邻近频道衰减。在坛益块IC放大器中不采用级间调谐。从坛益块IC放大器供出的经过放大的IF信号接着便在单片集成电路内被检波，从而，从IC中供出来的是基带复合视频信号和4.5兆赫的伴音IF信号。放大后的IF信号从这些信号中被滤波从而减少致使块坛益放大器产生振荡的正反馈可能性。关于SAW滤波器和块滤波及放大的补充信息可以例如从“电视工程手册”一书的第13章中见到。该书由K.Blair Benson主编，纽约McGraw-Hill公司1986年出版。纳入本申请中以供参考的美国专利申请No.08/080,705提供了关于在电视接收机中使用SAW滤波器和中频坛益块放大器的进一步信息，该美国专利的题名是“从电视接收机第一检波器通过相应的输入滤波器供给信号的并联非调谐视频IF放大器”，申请人Jack Rudolph Harford，申请日1993年6月24日。
具有坛益块组态的视频IF放大器及后续的同步检波器的先有技术IC使用的是下列普通类型的受控振荡器。LC振荡回路被用来作为一个晶体管的集电极负载，该晶体管受到向其基极的正反馈的过激励，从而该晶体管在饱和与截止状态间进行切换。然而，这种普通的电路具有某些问题。
跨在LC振荡回路上的电压信号的幅度一般为很少的几伏(峰一峰值)，因而呈现在视频IF放大器输入端的杂散耦合就显得很严重了。当根据商业上的需要而使IF具有较高灵敏度时，这就特别成问题。
用作开关晶体管集电极负载的LC振荡回路上跨有一个电压信号，其谐波成分通过滤波作用而去除，但是开关晶体管的电流通过IC的接“地”按不平衡形式而流通并含有显著的谐波成分。安装了IC的印刷电路板上的“地”总线将这些谐波成分辐射返回到调谐器，从而对第8频道的接收等带来麻烦。即使LC谐振回路是由一对反相切换的晶体管按推挽方式来进行激励，但由于存在着显著的共模谐波分量，因而这些问题依然继续存在。
本发明者设想了这样一种振荡器，一个LC谐振回路是该电路的组成部分，其中的信号电平是取其最低值而非最高值，从而使得它能尽量少地辐射返回到调谐器和IF放大器的输入端口。为了减少振荡和出现在IC的工作电源总线上的振荡谐波，本发明者设想了一种平衡结构的振荡器。一种所谓“长尾对”型的差分放大器(它在结构上采用一对发射极耦合双极型晶体管)是一种优良的、适合于容纳在单片IC中具有平衡结构的电路。将LC谐振回路设置在发射极耦合晶体管的基极之间而不是其集电极之间，就能够使通过谐振回路线圈的低阻通路将各基极保持在基本上相等的直流电位上，从而简化了输入端偏置。
本发明的一个方面体现为一种部分地形成在单片集成电路中的振荡器。在该单片集成电路中设有一个差分输入、差分输出的差分放大器。该差分放大器具有第一和第二输出端，它们不可用于联接外部元件，该差分放大器还具有可用于联接外部元件的第一和第二输入端。设置在该单片集成电路中的第一电阻性分压器被联接成可按预定的比率对差分放大器第一输出端上的电位进行分压，并将此分压后的电位供给差分放大器的第一输入端，从而实现第一直耦正反馈联接。设置在单片集成电路中的第二电阻性分压器被联接成可按同样的预定比率对差分放大器第二输出端上的电位进行分压，并将此分压后的电位供给差分放大器的第二输入端，从而实现第二直耦正反馈联接。设置在单片集成电路外部的电感器的绕组的第一和第二端分别联接到差分放大器的第一输入端和第二输入端。一个电容器的第一和第二极板分别联接到差分放大器的第一输入端和第二输入端，以便与该电感器一起构成一个用来确定或帮助确定振荡器的固有振荡频率的抗谐振电路。该电容器可设置在单片集成电路之内或之外，或者也可由分别设置在单片集成电路之内和之外的第一分量电容器和第二分量电容器并联构成。
本发明的另一个方面体现为一种部分地制造在单片集成电路内的受控振荡器。
在本说明书中，唯一的附图是体现本发明的主要方面的受控振荡器的电路原理图。
在唯一的附图中示出了一种适于与其他未在图中示出的电路一起制造在单片集成电路IC之中的受控振荡器。在图中示出单片集成电路IC的端子T1和T2分别用于接收从工作电源B供出的负工作电源电压B-和正工作电源电压B+，该工作电源在此被表示为一个电池，但通常它是由市电交流电源经过降压、整流和滤波而提供的。单片集成电路IC的基底被认为是负工作电源电压，因而被指定为是“地”电位。端子T2上的正工作电源电压B+例如为+9V左右，并且被认为是“地”电位。在端子T3和T4之间已经联接了设置在单片集成电路IC之外的振荡器振荡回路线圈L1。端子T5和T6根据
图1的振荡器的振荡提供出第一组推挽方波，端子T7和T8根据图1振荡器的振荡提供出第二组推挽方波。具有标称频率为45.75兆赫的该振荡器的频率和相位由一个加在端子T9上的自动频率和相位控制(AFPC)信号来进行控制(在下面将要说明这种控制方法)。
振荡器振荡回路线圈L1针对于电容器C1和与电容器C1并联并且设置在单片集成电路内的其他电容器的组合电容而进行调谐。上述并联的其他电容之一就是由分别并联在端子T3至地和端子T4至地之间的杂散电容C2和C3所构成的串联电容。上述并联的其他电容中的另一电容则是根据供给到端子T9上的AFPC信号按照密勒效应而可控制地倍坛的电容器C4和C5的串联电容。电容器C4和C5是属于金属绝缘半导体(MIS)结构。
如将要进一步叙述的那样，峰-峰值约为125毫伏的45.75兆赫的振荡呈现于联接在端子T3和T4之间的振荡器振荡回路上，端子T3和T4与NPN晶体管Q1和Q2的基极分别相联接。通过振荡回路线圈L1的绕组的低阻通路使Q1和Q2的基极保持在基本上相同的直流电位。耦合电阻R1联接在互联在一起的Q1和Q2的发射极与IC地之间。电阻R2和R3分别是Q1和Q2的集电极负载且被联接在相应的集电极与结点N1之间。降压电阻R4联接在电源端子T2与结点N1之间，以便将低于B+的正工作电位(例如7.3V)供应给结点N1。Q1和Q2联接成发射极耦合差分放大器的形式，以便将供到它们的基极之间的振荡信号放大成呈现在它们的集电极之间的1.2V峰-峰值振荡信号，Q1和Q2的集电极分别与NPN晶体管Q3和Q4的基极相联接。由于呈现在晶体管Q1和Q2的基极之间的45.75兆赫的振荡电压被限制在仅仅125毫伏峰-峰值左右，因此包含着Q1和Q2的发射极耦合差分放大器以线性放大器的方式工作。这样的信号摆幅是足够小的，因而在振荡器工作期间无论Q1或Q2都不彻底脱离开导通状态。流经耦合电阻R1的共模电流其主要成分是直流，经过整流的较小的、其实质上是偶次谐波的45.75兆赫振荡信号则处在VHF电视频带以外。
Q3和Q4也被联接成发射极耦合差分放大器，它们的发射极被联接在一起，并且在该二发射极与地之间联接着耦合电阻R5。然而，加在其基极之间的1.2伏峰-峰值大小的激励电压足以使其形成限制幅器工作状态，其中Q3和Q4交替地在全导通和不导通状态之间转换，从而使得它们的电阻性负载的集电极上呈现方波电压。发射极耦合的晶体管Q3和Q4虽然流通着方波电流，然而这些晶体管的电流是本身是平衡的，并且这些晶体管被设置在IC模块之内，因此它们都在相同的点与工作电源干线(supply rails)联接，以便使方波电流避开电源干线。分别联接在电源端子T2和Q3与Q4的集电极之间的电阻R6和R7形成电阻性负载的一部分。按串联方式联接在Q3与Q4的集电极之间的电阻R8、R9和R10构成这些晶体管的电阻性负载的另一部分。按串联方式联接在Q3的集电极和地之间的、构成电阻性分压器的电阻R11、R12和R13是Q3的另一部分电阻性负载；按串联方式联接在Q4的集电极和地之间的、构成电阻性分压器的电阻R14、R15和R16是Q4的另一部分电阻性负载。这些分压器分别提供出到Q1和Q2的基极的正反馈连接，以维持联接在晶体管Q1和Q2之间的振荡回路的振荡。振荡器的振荡回路线圈L1的Q值使得跨接在该振荡回路上的等效旁路电阻值为5千欧，该等效旁路电阻对Q3和Q4提供了更进一步的差模电压分配和稍微较重一点的电阻性集电极负载。呈现在电阻性负载的Q3和Q4的集电极上的700毫伏峰-峰值的方波电压被该振荡回路进行分压和滤波，从而将120毫伏峰-峰值左右的正弦波电压加到端子T3和T4之间，这两个端子T3和T4分别联接到Q1和Q2的基极。
电阻R18、R19、R20和R21分别为共集电极放大器NPN晶体管Q5、Q6、Q7和Q8提供相应的发射极负载电阻。呈现在电阻性负载的Q3和Q4的集电极上的700毫伏峰-峰值方波电压在串联联接的电阻R8、R9和R10之间进行分配，从而将400毫伏峰-峰值的方波电压供给到Q5和Q6的基极。射极跟随器Q5和Q6分别将这些经过分压的方波电压加到端子T5和T6上，以便随后加到用于产生自动频率和相位控制(AFPC)信号的电路上去。发射极耦合的晶体管Q5和Q6虽然流通着方波电流，然而这些晶体管的电流本身是平衡的，并且晶体管Q5和Q6是设置在单片集成电路IC的模块之中的，因此它们都在相同的点与工作电源干线联接，以便使得方波电流避开电源干线。射极跟随器Q7和Q8分别将呈现在Q3和Q4的集电极上的700毫伏的峰-峰值方波电压以不经过分压的方式加到端子T7和T8上，以便随后再供应给可能制造在单片集成电路IC之内的其他电路使用。射极跟随器晶体管Q7和Q8虽然流通着方波电流，然而这些晶体管的电流本身是平衡的，并且这些晶体管被设置在IC模块之中，因而它们都在相同的点与工作电源干线联接，以便使得方波电流避开电源干线。使方波电流避开电源干线就减少了从振荡器通过工作电源与单片集成电路IC之间的联接而发出的辐射。
现在将考虑振荡器的AFPC。如前面所提到的那样，电容器C4和C5的电容根据供给到端子T9上的AFPC信号按照密勒效应而可控制地倍坛。AFPC信号作为一个电压提供到端子T9上并且加到电阻R22的一端上(该电阻R22的另一端与一个包含NPN晶体管Q9、Q10和电阻R23和R24在内的电流镜放大器(CMA)的输入联接端相联接)，以向其提供相应的发射级负反馈。电阻R23和R24的第一端都接地，从而为CMA提供公共联接点，R23和R24的第二端分别联接到Q9和Q10的发射极。Q10的集电极是CMA的输出联接点，该输出联接点需要正比于加到端子T9上的AFPC信号电压的电流。该电流作为尾电流(tail current)而从两个发射极互相联接在一起的NPN晶体管Q11和Q12中提取，该晶体管Q11和Q12的基极分别联接到端子T3和T4以便接收从振荡器的振荡回路中产生的45.75兆赫的振荡。由于呈现在端子T3和T4之间的振荡信号为125毫伏峰-峰值以便使得发射极耦合的差分放大器联接的Q1和Q2按线性放大方式工作，这种振荡的振幅限制使得发射极耦合的差分放大器联接的Q11和Q12也按线性放大方式工作。作为一个可使电容器C 4和C5的电容量得以倍坛的密勒放大器，十分重要的是按发射极耦合的差分放大器联接方式的Q11和Q12应该按线性放大方式工作。电阻R25和R26分别联接在电源端子T2与晶体管Q11与Q12的集电极之间。假设R25与R26的阻值相等，则按照发射极耦合差分放大器方式联接的Q11和Q12的电压坛益等于该电阻阻值与Q11和Q12的跨导的乘积。Q11和Q12的跨导正比于从它们互联在一起的发射极提取的尾电流，因此也正比于加在端子T9上的AFPC信号电压。
端子T3和T4与电容器C4和C5的第一极板相联，在Q11和Q12的集电极上根据端子T3和T4之间呈现的振荡信号产生了经过放大的信号，这些信号分别经过起发射极跟随器作用的共集电极放大器NPN晶体管Q13和Q14加到电容器C4和C5的第二极板上。这样就完整地形成了使电容器C4和C5的电容量倍坛的密勒反馈环联接。这些电容的密勒倍坛量的大小由按发射极耦合差分放大器联接的Q11和Q12的电压坛益控制，后者又由加到端子T9上的AFPC信号电压所控制。因此，电容器C4和C5的电容的密勒倍坛以及振荡器的振荡回路调谐都根据加在端子T9上的AFPC信号而受到控制。
电阻R27和R28分别为共集电极放大器晶体管Q13和Q14提供发射极负载电阻。电阻R29的一端与Q14的发射极联接，而另一端与电阻R11和R12的公共联接点联接；另外，电阻R30的一端与Q13的发射极联接，而另一端与电阻R14和R15的公共联接点联接。由于密勒倍坛作用坛加了电容器C4和C5的视在电容量，因而电阻R29和R30起到能提高振荡器坛益的受控的正反馈作用。这样就补偿了振荡器坛益的下降，否则由于实质上是负反馈的密勒反馈的坛加，将会引起振荡器坛益下降。由于两种反馈作用都取决于按发射极耦合的差分放大器联接的Q11和Q12的受控的电压坛益，因而可以通过适当确定各元件阻抗值的比例从而实现对这种补偿的自动跟踪。
权利要求
1. 一种部分地制造在单片集成电路内的振荡器，其特征在于包括设在所述单片集成电路内的第一差分输入、差分输出的差分放大器，它具有可用于与外部元件相联接的第一和第二输入端，还具有不可用于与外部元件相联接的第一和第二输出端，从它的第一输入端到它的第一输出端以及从它的第二输入端到它的第二输出端都呈现出非反相的差模电压坛益，该差分放大器包括第一和第二晶体管，它们各自的基极位于该第一差分放大器的第一和第二输入端处，它们各自的发射极互相联接在一起，它们各自的集电极与该第一差分放大器的各单独的第一和第二输出端相联接，并且它们联接成在振荡器工作期间以线性放大器的形式进行工作的方式；设在所述单片集成电路内的第一电阻性分压器，它联接成用以按预定的比率对呈现在所述第一差分放大器的第一输出端上的电位进行分压以便加到它的第一输入端上去，从而实现第一直接耦合正反馈联接；设在所述单片集成电路内的第二电阻性分压器，联接成用以按所述预定的比率对呈现在所述第一差分放大器的第二输出端上的电位进行分压以便加到它的第二输入端上去，从而实现第二直接耦合的正反馈联接；设在所述的单片集成电路外部的电感器，所述电感器具有一个绕组，该绕组的第一和第二端分别联接到所述第一差分放大器的第一输入端和第二输入端；和用于针对抗谐振的振荡回路中的所述电感器而进行调谐的电容装置。
2. 一种部分地制造在单片集成电路内的振荡器，其特征在于包括设在所述单片集成电路内的第一差分输入、差分输出的差分放大器，它具有用于联接外部元件的第一和第二输入端，它还具有不可用于联接外部元件的第一和第二输出端，从它的第一输入端到它的第一输出端以及从它的第二输入端到它的第二输出端都呈现非反相的差模电压坛益；设在所述单片集成电路内的第一电阻性分压器，联接成用于按预定的比率对呈现在所述差分放大器的第一输出端上的电位进行分压以便加到它的第一输入端上去，从而实现第一直接耦合正反馈联接；设在所述单片集成电路内的第二电阻性分压器，联接成用于按所述预定的比率对呈现在所述差分放大器的第二输出端上的电位进行分压以便加到它的第二输入端上，从而实现第二直接耦合正反馈联接；设在所述单片集成电路外部的电感器，所述电感器具有一个绕组，该绕组的第一和第二端分别联接到所述第一差分放大器的第一输入端和第二输入端；用于针对抗谐振的振荡回路中的所述电感器而进行调谐的电容装置；被包括在所述第一差分放大器中的第一和第二晶体管，所述第一和第二晶体具有位处在所述第一差分放大器的第一和第二输入端的各自的基极、互联在一起的各自的发射极以及各自的集电极；被包括在所述第一差分放大器中的第三和第四晶体管，具有各自的基极、发射极和集电极，所述各基极分别与所述第一和第二晶体管的集电极直接耦合，所述各发射极互联在一起，并且所述各集电极分别与所述第一差分放大器的第一和第二输出端直接耦合；用于被包括在所述第一差分放大器中的第一和第二晶体管上的平衡的集电极负载，所述用于第一和第二晶体管上的平衡的集电极负载呈现足够高的各自的负载电阻以使得所述第三和第四晶体管在振荡器工作期间内交替地导通；和用于被包括在所述第一差分放大器中的第三和第四晶体管上的平衡的集电极负载，所述用于第三和第四晶体管上的平衡的集电极负载分别包括所述第一电阻性分压器和第二电阻性分压器，所述预定的分压比使得所述第一和第二晶体管在振荡器工作期间内都不彻底脱离开导通状态。
3. 如权利要求2所述的振荡器，其特征在于包括第一和第二电容器，它们被包括在用于针对抗谐振的振荡回路中的所述电感器而进行调谐的电容装置中，所述第一和第二电容器具有分别联接到所述差分放大器的第一输入端和第二输入端的各自的第一极板，还具有各自的第二极板；和设在所述单片集成电路内的第二差分输入、差分输出的差分放大器，具有分别联接到所述第一差分放大器的第一输入端和第二输入端的第一和第二输入端，还具有分别联接到所述第一电容器的第二极板和所述第二电容器的第二极板的第一和第二输出端，从它的第一输入端到它的第一输出端以及从它的第二输入端到它的第二输出端都呈现反相的差模电压坛益，从而所述第二差分放大器提供用于倍坛所述第一和第二电容器的有效电容量的密勒反馈。
4. 如权利要求3所述的振荡器，其特征在于该振荡器属于这样的类型，其振荡频率和相位可根据控制信号而改变，所述振荡器包括根据所述控制信号以控制所述第二差分放大器所呈现的反相差模电压坛益的装置。
5. 如权利要求4所述的振荡器，其特征在于包括用于将来自所述第二差分放大器的第一和第二输出端的正反馈信号供到它的第二和第一输入端的装置。
6. 如权利要求5所述的振荡器，其特征在于，所述用于将来自所述第二差分放大器的第一和第二输出端的正反馈信号供到它的第二和第一输入端的装置包括另一对电阻，该另一对电阻具有分别联接到所述第二差分放大器的第一和第二输出端的各自的第一端，还具有分别联接到所述第二电阻性分压器的一个点和所述第一电阻性分压器的一个点的各自的第二端。
7. 如权利要求4所述的振荡器，其特征在于，所述第二差分放大器包括第五和第六晶体管，具有分别位处在所述第二差分放大器的第一和第二输入端的各自的基极、互联在一起的各自的发射极、以及与所述第二差分放大器的第一和第二输出端直接耦合的各自的集电极；用于所述第五和第六晶体管上的平衡的集电极电阻；和根据所述控制信号以确定流过所述互联在一起的第五和第六晶体管的发射极的静态电流并从而确定所述第五和第六晶体管的各自的跨导的装置。
8. 一种制造在单片集成电路内的振荡器，其特征在于包括设在所述的单片集成电路内的第一差分输入、差分输出的差分放大器，具有可用于联接外部元件的第一和第二输入端，还具有不可用于联接外部元件的第一和第二输出端，从它的第一输入端到它的第一输出端和从它的第二输入端到它的第二输出端都呈现非反相的差模电压坛益，所述第一差分放大器还包括第一和第二晶体管，所述第一和第二晶体管具有位处在所述第一差分放大器的第一和第二输入端的各自的基极、互相耦合的各自的发射极、以及通过一种耦合电路而分别耦合到所述第一差分放大器的分开的第一和第二输出端的各自的集电极，所述的这种耦合电路对所述第一差分放大器的第一和第二输出端供出的输出信号进行限幅而不使所述第一和第二晶体管进入将会影响其基本上线性工作的饱和导通状态；设在所述单片集成电路外部的电感器，所述电感器具有一个绕组，所述绕组的第一和第二端分别联接到所述第一差分放大器的第一输入端和第二输入端；用于针对抗谐振的振荡回路中的所述电感器而进行调谐的电容装置；设在所述单片集成电路内的第一电阻性分压器，该第一电阻性分压器被联接成按预定的比率对呈现在所述第一差分放大器的第一输出端上的电位进行分压以便加到它的第一输入端上去，从而实现第一直接耦合的正反馈联接；设在所述单片集成电路内的第二电阻性分压器，该第二电阻性分压器被联接成按所述预定的比率对呈现在所述第一差分放大器的第二输出端上的电位进行分压以便加到它的第二输出端上去，从而实现第二直接耦合的正反馈联接；和用于所述第一差分放大器的第一和第二输出端上的平衡负载，所述负载分别包括所述第一电阻性分压和第二电阻性分压器，所述预定的分压比使得在振荡器工作期间所述第一和第二晶体管基本上处在线性工作状态而都不彻底脱离开导通状态。
9. 如权利要求8所述的振荡器，其特征在于，所述的这种对所述第一差分放大器的第一和第二输出端供出的输出信号进行限幅而不使所述第一和第二晶体管进入将会影响其基本上线性工作的饱和导通状态的耦合电路包括第三和第四晶体管，所述第三和第四晶体管具有与所述第一和第二晶体管的集电极分别直接耦合的各自的基极、互联耦合的各自的发射极、以及与所述差分放大器的第一和第二输出端分别直接耦合的各自的集电极。
10. 如权利要求8所述的振荡器，其特征在于包括被包括在所述的用于针对抗谐振的振荡回路中的所述电感器而进行调谐的电容装置中的第一和第二电容器，它们具有分别与所述第一差分放大器的第一输入端和第二输入端相联接的各自的第一极板，还具有各自的第二极板；和设在所述单片集成电路内的第二差分输入、差分输出的差分放大器，它具有与所述第一差分放大器的第一输入端和第二输入端分别相联接的第一和第二输入端，还具有与所述第一电容器的第二极板和所述第二电容器的第二极板分别相联接的第一和第二输出端，从它的第一输入端到它的第一输出端和从它的第二输入端到它的第二输出端都呈现反相的差模电压坛益，从而所述第二差分放大器提供使所述第一和第二电容器的有效电容倍坛的密勒反馈。
11. 如权利要求10所述的振荡器，其特征在于，该振荡器是一种根据控制信号而可以改变振荡频率和相位的振荡器，所述振荡器包括用于根据所述控制信号控制所述第二差分放大器所呈现的所述反相的差模电压坛益的装置。
12. 如权利要求11所述的振荡器，其特征在于包括用于从所述第二差分放大器的第一和第二输出端将正反馈信号供到它的第二和第一输入端的装置。
13. 如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述用于从所述第二差分放大器的第一和第二输出端将正反馈信号供到它的第二和第一输入端的装置包括另一对电阻器，具有与所述第二差分放大器的第一和第二输出端分别相联接的各自的第一端，还具有与所述第二电阻性分压器的一个点和所述第一电阻性分压器的一个点分别相联接的各自的第二端。
14. 如权利要求11所述的振荡器，其特征在于所述第二差分放大器包括第三和第四晶体管，具有分别位处在所述第二差分放大器的第一和第二输入端的各自的基极、互联在一起的各自的发射极、以及与所述第二差分放大器的第一和第二输出端分别直接耦合的各自的集电极；和根据所述控制信号以确定通过所述互联在一起的所述第三和第四晶体管的发射极的静态电流并且从而确定所述第三和第四晶体管的各自的跨导的装置。
全文摘要
一种部分地制造在单片集成电路内的振荡器，包括设在单片集成电路内的差分输入、差分输出的差分放大器。在单片集成电路内的第一和第二电阻性分压器按预定比率对差分放大器的第一和第二输出端上的电位进行分压以加到它的第一和第二输入端，从而分别实现第一和第二直接耦合正反馈联接。设在单片集成电路外的电感器接在差分放大器的第一和第二输入端之间并受到单片集成电路内或外的一个或多个电容的抗谐振作用。
文档编号H03B5/12GK1114801SQ9411907
公开日1996年1月10日 申请日期1994年12月14日 优先权日1993年12月14日
发明者J·R·哈福德 申请人:三星电子株式会社