射频(RF)信号并且通过输出(RFout)产生放大的RF信号。被集体地描述为通过端口 106提供的偏置和供应(supply)信号可以促进PA电路102的操作。
[0034]图1示出了半导体裸芯100可以包括实施在其上的嵌入传感器104。在一些实施例中，传感器可以由被集体地描述为通过端口 108提供的信号而操作。在这里更加详细地描述这样的传感器的示例。如这里还描述的，这样的传感器可以被用来补偿与PA电路102的操作相关联的动态误差向量幅度(DEVM)效应。在一些实施例中，这样的传感器可以被配置为跟踪PA电路的诸如操作温度的操作状态，并且基于这样的跟踪的温度实施DEVM补偿。
[0035]以前述方式实现的DEVM补偿可以提供多个有益特征。例如，至少对一阶(firstorder)，可以与例如电源功率(supply power)、占空比(Toff)、温度和/或布局无关地实现DEVM补偿。在一些实施例中，如这里所描述的传感器可以被配置为大体上与RF信号隔离。相应地，可以在不影响在高RF功率处的正常增益扩展特性(normal gain expans1ncharacteristics)的情况下实现DEVM补偿。
[0036]图2示出了图1的传感器104可以是嵌入感测晶体管的示例。感测晶体管104可以类似于沿RF路径(例如，在RFin和RFout之间)实施的一个或多个放大晶体管102a、102b。感测晶体管104可以类似于放大晶体管102a、102b操作；但是，感测晶体管104可以基本上与RF路径隔离。相应地，感测晶体管104可以被用于感测与放大晶体管102a、102b相关联的一个或多个操作状态，而不被RF功率影响。
[0037]在图2的示例中，放大晶体管102a、102b被集体地描述为由通过各个端口 106a、106b提供的信号操作。感测晶体管104被集体地描述为由通过端口 108提供的信号操作。
[0038]在图2的示例中，放大晶体管102a、102b被描述为被布置在输入(RFin)和输出(RFout)之间的多个级中。应理解的是，放大晶体管还可以以其它方式被布置和利用。例如，图3示出了第一组的一个或多个晶体管102a可以接收、放大和输出RF信号的配置。类似地，第二组的一个或多个晶体管102b可以接收、放大和输出RF信号。在一些实施例中，第一组102a和第二组102b可以相互独立地放大RF信号。在一些实施例中，第一组102a和第二组102b可以以并联的方式布置并且集体地放大RF信号。
[0039]图4示出了图2和3的嵌入感测晶体管配置可以在DEVM补偿应用中实施的示例配置。在示例配置150中，一组一个或多个放大晶体管102被示出为被实施在裸芯100上，以允许输入RF信号(RFin)的放大。放大的RF信号被描述为被输出为RFout。相同的裸芯100被示出为还包括不与RF信号耦接的感测晶体管104。
[0040]图4示出了在一些实施例中，配置150可以包括DEVM补偿控制环路152，所述环路152包括与DEVM补偿电路154通信的感测晶体管104。感测晶体管104和放大晶体管102通常共有的操作参数可以被感测晶体管104感测并且传递到DEVM补偿电路154上(例如，通过路径156)。DEVM补偿电路154可以基于这样感测到的信号产生一个或多个控制信号；并且一个或多个控制信号可以提供给放大晶体管102和感测晶体管104之一或两者(例如，通过路径158)。在(除了没有RF信号之外)通常与放大晶体管102相同或者类似地操作感测晶体管104的配置中，来自DEVM补偿电路154的控制信号可以被提供给放大晶体管102和感测晶体管104两者。
[0041 ] 在图4所示的示例中，DEVM补偿环路可以被配置为闭合的反馈环路。在其它实施例中，可以实施其它类型的补偿控制。在一些实施例中，DEVM控制电路154的一些或者全部可以被实施在或者可以不被实施在放大晶体管102和感测晶体管103被实施在的同一裸芯100上。
[0042]图5示出了在一些实施例中，图4的DEVM补偿电路154的一些或全部可以被实施在偏置电路174中。在示例配置170中，偏置电路174被描述为向放大晶体管102的基极提供(例如，通过路径178)偏置电压。相同的偏置电压可以通过标示为基极_感测(Base_sense)的节点被提供到感测晶体管104的基极。在一些实施例中，基极_感测节点可以以将感测晶体管104与输入RF信号(RFin)基本上隔离的方式耦接到感测晶体管104的基极。
[0043]在一些实施例中，可以基于与所述感测晶体管104相关联的集电极电流调节提供给放大晶体管102和感测晶体管104的基极偏置电压。感测晶体管104的这样的集电极电流可以由偏置电路174通过路径176感测。相应地，可以实施反馈控制环路172，其中使用感测到的感测晶体管104的集电极电流调节基极偏置电压以补偿与放大晶体管102相关联的DEVM效应。
[0044]图6示出了可以实施嵌入感测晶体管104的示例PA配置200。PA配置200可以是RF放大器的功率级的一部分。在示出的示例中，八个放大晶体管器件102被示出为以并联配置连接并且被布置为两组202、206，其中第一组202具有四个晶体管器件102并且第二组206具有另外四个晶体管器件102。在一些实施例中，组(202、206)中的至少一组可以包括一个或多个备用晶体管器件。
[0045]尽管在采用四加四布置的八个放大晶体管的上下文中描述，应理解的是，可以实施其它数量的放大晶体管。此外，这样的放大晶体管可以被分组为比2个的示例更多或更少的组，并且这样的组中可以具有或者不具有相同数量的放大晶体管。
[0046]在图6的示例中，感测晶体管104被示出为被实施在第一组202和第二组206之间。在这样的布置中的感测晶体管104的物理位置可以允许感测晶体管104测量通常(generally)代表放大晶体管102的操作状态(例如，温度)。
[0047]在图6的示例中，用于八个放大晶体管102的基极偏置信号被示出为通过用于第一组202的连接210以及用于第二组206的连接230提供。这样的连接210、230可以通过基极节点接收公共的基极偏置信号。
[0048]在图6的示例中，可以通过连接214 (用于第一组202)、连接234 (用于第二组206)以及连接224(用于感测晶体管104)提供用于八个放大晶体管102和感测晶体管104的发射极镇流。发射极镇流电阻器216 (用于第一组202)、236 (用于第二组206)以及226 (用于感测晶体管104)可以将它们各自的连接耦接到发射极节点。在一些实施例中，用于八个放大晶体管102的发射极镇流电阻器可以具有基本上相同的值。用于感测晶体管104的发射极镇流电阻器可以具有或者不具有与用于放大晶体管102的发射极镇流电阻器相同的值。在一些实施例中，也可以以类似的方式实施基极镇流。
[0049]在图6的示例中，用于八个放大晶体管102的集电极信号被示出为被从公共的集电极节点提供。
[0050]在一些实施例中，感测晶体管104的基极可以耦接到基极节点以接收与提供给放大晶体管102的基极信号相同的基极信号。感测晶体管104的集电极可以耦接到偏置电路(图6中未示出)以允许偏置电路监控例如与所述感测晶体管104相关联的集电极电流并产生用于放大晶体管102的合适的DEVM补偿信号。在一些实施例中，可以实施嵌入电阻器240以允许例如跟踪基极电阻。这样的感测的电阻可以被独立地使用或者与感测的集电极电流一起被使用以产生DEVM补偿信号。
[0051]在前述图6的示例中，增加感测晶体管104可能增加放大晶体管102的单元200的长度。例如，对于IKOhm的基板，单元200