的长度可能由于集电极间隔而增加大约30 μπι或50 μπι。对于500hm的基板，单元200的长度的增加可以较小。
[0052]在一些实施例中，多个单元(诸如图6的示例单元200)可以被布置为形成PA的功率级。图7示出了具有以并联配置布置的四个单元(200a、200b、200c、200d)的功率级250的示例。四个单元(200a、200b、200c、200d)的每一个可以类似于参考图6所述的示例。应理解的是，功率级可以包括更多或者更少数量的单元。
[0053]在图7的四个单元示例的上下文中，八个放大晶体管(图6中的102)的每一个可以占据例如大约48 μm2。相应地，与每个单元(图6中的200)相关联的八个放大晶体管可以占据大约8 X 48 μ m2= 384 μ m2，并且与功率级250相关联的放大晶体管可以占据大约4X384 μm2= 1,536 μπι2。在每个单元中增加一个或多个感测晶体管可能与这里所述的长度的增加成比例地增加整体的面积。
[0054]在图7的示例中，四个单元(200a、200b、200c、200d)的每一个被描述为包含感测晶体管。在一些实施例中，不是所有的单元都需要具有它们各自的感测晶体管。例如，在选择的单元中的一个感测晶体管可以提供用于整个功率级的感测功能。如果功率级足够大，其中可能希望包括多于一个感测位置，则可以在所选择的位置实施多于一个感测晶体管，并且来自这样的感测晶体管的感测的信息可以被分开使用、一起使用或者以其某种组合使用。
[0055]在一些实施例中，诸如单元中的晶体管的数量、晶体管尺寸以及单元的数量的设计因素可以基于例如功率级正在处理的功率的级别(level)(例如，所要求或所期望的线性功率的量)。通常地，所期望的是对更高功率的配置具有更大的阵列尺寸。应理解的是，尽管这里在功率级的上下文中描述各种示例，本公开的一个或多个特征也可以实施在其它PA级中。此外，尽管在PA应用的上下文中描述，本公开的一个或多个特征也可以在涉及期望感测操作状态的晶体管阵列的其它应用中实施。
[0056]在一些实施例中，图1的传感器104可以包括这里所述的一个或多个晶体管。传感器104还可以包括诸如带隙基准器件(device)、与绝对温度成比例的(PTAT)基准器件或其某种组合的器件。这样的器件可以根据所期望的温度补偿而基于这里所述的感测晶体管、结合这里所述的感测晶体管而使用、或者独立于这里所述的感测晶体管而使用。
[0057]图8-11示出了通过使用具有这里所述的一个或多个特征的感测晶体管而可以获得的性能改善的示例。图8示出了在没有感测晶体管的益处的情况中，在功率级的不同的操作温度处的作为电源电压的函数的静态电流曲线。图9示出了在具有感测晶体管(例如，图7的配置250)的情况中的功率级的静态电流曲线。人们可以容易地看到在具有感测晶体管的情况下，静态电流的值通常较低。此外，图9中降低的静态电流大体上与电源电压的所示范围无关。
[0058]图10示出了在没有感测晶体管的益处的情况中，当功率级的放大晶体管在不同的温度处导通时的集电极电流的轮廓曲线。图11示出了在具有感测晶体管的益处的情况中，当功率级的放大晶体管在不同的温度处导通时的集电极电流的轮廓曲线。人们可以容易地看到对于具有感测晶体管的益处的功率级，更快地达到稳定状态。
[0059]图12示出了在一些实施例中，具有这里所述的一个或多个特征的PA裸芯100可以实施在RF模块300中。如这里所述，这样的PA裸芯可以包括一个或多个级，并且诸如感测晶体管的一个或多个感测装置104可以实施在这样的级(例如，功率级)之一中、多个级之间或者其任何组合中。
[0060]PA电路可以被配置为通过输入节点(IN)和输入匹配网络302接收RF信号。放大的RF信号可以通过输出匹配网络306被传送并且通过OUT节点输出。可以通过例如电源功率(由节点310集体地描述出)促进PA电路的操作。
[0061]实施在裸芯100上的PA电路可以由偏置电路174偏置。在一些实施例中，这样的偏置电路可以耦接到传感器并且被配置为响应于从传感器104获得的感测的信号而提供反馈。在一些实施例中，这样的反馈可以被配置为在PA电路的动态操作期间补偿EVM效应。可以例如通过电源功率、参考电流等(由节点312集体地描述出)促进偏置电路的操作。
[0062]在一些实施例中，PA电路可以实施在裸芯100上，并且偏置电路174可以实施在另一半导体裸芯上。在一些实施例中，偏置电路174的一些或全部也可以实施在与PA电路相同的裸芯上。这样的配置被描述为302。
[0063]为了说明的目的，将理解的是，裸芯100可以包括例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)和硅锗(SiGe)。也可以使用其它类型的半导体裸芯。还将理解的是，这里所描述的放大晶体管和感测晶体管可以包括诸如异质结双极型晶体管(HBT)的双极结型晶体管(BJT)。其它类型的晶体管可以被用于放大晶体管和感测晶体管。
[0064]在一些实施方式中，具有一个或多个这里所描述的特征的装置和/或电路可以被包含在诸如无线装置的RF装置中。可以直接在无线装置中、以如这里所描述的模块化的形式、或者以其某种结合实施这样的装置和/或电路。在一些实施例中，这样的无线装置可以包括例如被配置为提供无线服务的基站、蜂窝电话、智能电话、具有或不具有电话功能的手持无线装置、无线平板等。
[0065]图13示意性地描述了具有一个或多个这里所述的有益特征的示例无线装置400。在这里描述的各种配置的上下文中，具有功能的被描述为300的一个或多个PA模块可以被包括在无线装置400中。例如，用于WLAN/GPS操作的前端模块(FEM) 452可以包括PA模块300。这样的PA可以被配置为放大WLAN信号以通过天线456发射。这样的WLAN信号可以由基带子系统408产生并且通过WLAN/蓝牙片上系统(SOC) 460路由到FEM 452。可以通过天线458促进蓝牙信号的发射和接收。在示出的示例中，可以通过与GPS天线454和GPS接收器450通信的FEM452促进GPS功能。
[0066]在另一示例中，描述为300的RF PA模块可以包括如这里所述的一个或多个特征。这样的RF PA模块300可以包括一个或多个频带，并且每个频带可以包括一个或多个放大级(被集体地表示为110a、110b、I1c或IlOd)。至少一个这样的放大级可以与这里所述的DEVM补偿电路154通信并且受益于这里所述的DEVM补偿电路154。如这里还描述的，DEVM补偿电路154可以耦接到诸如实施在一个或多个放大级(例如，功率级)处的感测晶体管的传感器104。这样的传感器可以提供代表一个或多个放大级的操作状态的信号；并且这样的感测的信号可以被DEVM补偿电路154使用。
[0067]在示例无线装置400中，具有多个PA的RF PA模块300可以向开关414 (通过双工器412)提供放大的RF信号，并且开关414可以向天线416路由放大的RF信号。PA模块300可以从收发器410接收未放大的RF信号，所述收发器410可以以已知的方式配置和操作。
[0068]收发器410还可以被配置为处理接收的信号。这样的接收的信号可以从天线416通过双工器412被路由到LNA(未示出)。
[0069]收发器410被示出为与基带子系统408交互，所述基带子系统408被配置为提供适合于用户的数据和/或语音信号与适合于收发器410的RF信号之间的转换。收发器410还被示出为连接到电力管理部件406，所述电力管理部件406被配置为管理用于无线装置400的操作的电力。这样的电力管理部件还可以控制基带子系统408以及其它部件的操作。
[0070]基带子系统408被示出为连接到用