441G。第一光学元件441R与第一发光元件420R重叠，且第二光学元件441G与第二发光元件420G重叠。
[0109]另外，第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上排列。此外，设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的长轴Y方向上的长度dl短于设置在第一发光元件420R第三发光元件420B之间的间隙或设置在第二发光元件420G与第三发光元件420B之间的间隙的短轴X方向上的长度d2。
[0110]通过采用上述结构，不需要将用于在选择性地形成含发光有机化合物的岛状第一层423a时可能会发生的未对准的间隙设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间。因此，可以缩短设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的长轴Y方向上的长度dl。
[0111]注意，需要防止因在选择性地形成含发光有机化合物的第一层423a时发生的未对准而使含发光有机化合物的第一层423a形成为与第三发光元件420B重叠。具体而言，需要将用于未对准的间隙设置在第一发光元件420R与第三发光元件420B之间及第二发光元件420G与第三发光元件420B之间。因此，需要使上述间隙的短轴X方向上的长度d2足够大以在该制造步骤中确保成品率。
[0112]就是说，设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的长度dl可以短于设置在第一发光元件420R与第三发光元件420B之间的间隙的长度d2或设置在第二发光元件420G与第三发光元件420B之间的间隙的长度d2。其结果，可以提供一种伴随高清晰面板的制造而导致的孔径比的下降被抑制的新颖的发光面板。
[0113]本实施方式所示的发光面板和实施方式I所示的发光面板的相同之处是:第一子像素包括第一发光元件420R，且第二子像素包括第二发光元件420G。不同之处是:第一发光元件420R及第二发光元件420G相对于含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向在不同方向上排列。此外，本实施方式所示的发光面板的不同之处是:具有从与形成有发光元件的衬底410 —侧相反一侧提取光的顶部发射结构。
[0114]具体而言，在实施方式I所示的发光面板400A中，第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的短轴方向上对准。另一方面，在本实施方式所示的发光面板400B中，第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴方向上对准。
[0115]<布局和缺陷部分>
以下，将参照图8A1、8A2、8BI以及8B2说明含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上的第一发光元件420R及第二发光元件420G的排布与未对准所导致的缺陷部分之间的关系。
[0116]在图8A1中示出第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的短轴X方向上对准的发光面板的俯视图。
[0117]此外，在图8B1中示出第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上对准的发光面板的俯视图。
[0118]在上述发光面板的每一个中，含发光有机化合物的第一层423a形成在岛状(也可以称为条状或带状)区域中。注意，例如，含发光有机化合物的岛状第一层423a可以使用荫罩法通过蒸镀法而形成。
[0119]用于在选择性地形成含发光有机化合物的岛状第一层423a时可能会发生的未对准的短轴X方向上的长度为d2的间隙被设置在第一发光元件420R与第三发光元件420B之间及第二发光元件420G与第三发光元件420B之间。
[0120]在第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的发光面板中，将上述间隙设置在第二发光元件420G与第三发光元件420B之间及第三发光元件420B与第一发光元件420R之间(参照图8A1)。
[0121]在第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准的发光面板中，将上述间隙设置在第一发光元件420R与第三发光元件420B之间及第二发光元件420G与第三发光元件420B之间(参照图8B1)。
[0122]具有在所述短轴X方向上的长度d2的间隙可以包容一个短轴X方向上的长度d2/2的未对准。
[0123]但是，若对准偏移量比长度d2/2大E时，含发光有机化合物的岛状第一层423a则被形成在不希望的区域中(参照图8A2及图8B2)。
[0124]例如，在第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的发光面板(参照图8A2)中，未形成含发光有机化合物的第一层423a的缺陷部分420RE会被形成在第一发光元件420R中。
[0125]此外，例如，在第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准的发光面板(参照图8B2)中，未形成含发光有机化合物的第一层423a的缺陷部分420RE会被形成在第一发光元件420R中，并且未形成含发光有机化合物的第一层423a的缺陷部分420GE会被形成在第二发光元件420G中。
[0126]当着眼于第一发光元件420R和第二发光元件420G时，在第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的发光面板中，只在第一发光元件420R中形成缺陷部分420RE，由此缺陷部分420RE相对于第一发光元件420R中的正常部分的比例就增大了。
[0127]在第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准的发光面板的情况下，分别在第一发光元件420R和第二发光元件420G中形成缺陷部分，并且缺陷部分相对于每个发光元件中的正常部分的比例比第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的发光面板中的相应比例要小。
[0128]发光面板的可靠性取决于发光面板中的多个发光元件中可靠性最低的元件。这是因为当特定颜色的发光元件不发光时，发光面板便不能使用。
[0129]如上所述，在第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的发光面板中，缺陷部分集中于第一发光元件420R中。由此，即使在第二发光元件420G中没有缺陷部分，发光面板的可靠性也取决于第一发光元件420R的可靠性。
[0130]因为缺陷部分420RE相对于第一发光元件420R中的正常部分的比例是很大的，所以第一发光元件420R的可靠性容易变差。
[0131]另一方面，在第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准的发光面板中，缺陷部分被划分在第一发光元件420R和第二发光元件420G中。由此，虽然第一发光元件420R的可靠性和第二发光元件420G的可靠性都下降，但是其可靠性的程度被平均化。
[0132]结果，与第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的发光面板相比，第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准的发光面板可以确保更高的可靠性。
[0133]以下说明构成本发明的一实施方式的发光面板的各个要素。
[0134]〈反射膜〉
反射膜(第一反射膜419R、第二反射膜419G以及第三反射膜419B)是反射从发光元件发射的光的层。反射膜优选尽可能对可见光具有高反射率，例如，优选是银、铝或包含选自银和铝中的一种的合金等(参照图2B)。
[0135]注意，具有导电性的反射膜可以兼用作与下部电极(第一下部电极421R、第二下部电极421G以及第三下部电极421B)电连接的布线。另外，可以采用反射膜兼用作下部电极的结构。
[0136]作为可以用于兼用作下部电极的反射膜的材料，为了将载流子容易注入到含发光有机化合物的层中，优选使用在其表面上形成有导电氧化膜并且/或者具有适当的功函数的材料。
[0137]作为兼用作下部电极的反射膜，例如，可以举出铝-镍-镧合金等。
[0138]<变形例>
将参照图3及图9A1、9A2、9B1以及9B2说明本实施方式的变形例。
[0139]图3是本发明的一实施方式的发光面板400C的结构的俯视图。
[0140]图9A1、9A2、9B1以及9B2是说明实施方式的发光面板的子像素中的发光元件及这些发光元件之间的间隙的布局的俯视图。
[0141]在本实施方式所示的发光面板400C中，含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上的第一发光元件420R的长度Yl、第二发光元件420G的长度Y2以及第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的长度dl的总和比短轴X方向上的第一发光元件420R的长度Xl或第二发光元件420G的长度X2长(参照图3)。
[0142]注意，发光面板400C的截面结构可以与发光面板400B同样，且在此可以参照发光面板400B的结构的说明。
[0143]在本实施方式所示的发光面板400C中，在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间设置含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上的长度dl的间隙。注意，在含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上，第一发光元件420R的长度Yl、第二发光元件420G的长度Y2以及设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的长度dl的总和比短轴X方向上的第一发光元件420R的长度或第二发光元件420G的长度长。
[0144]通过采用上述结构，可以减小设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的面积。具体而言，与第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的短轴X方向上对准的结构相比，可以减小间隙的面积。结果，可以提供伴随高清晰面板的制造而导致的孔径比的下降被抑制的新颖的发光面板。
[0145]<布局和孔径比>
以下，将参照图9A1、9A2、9BI以及9B2说明含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上的第一发光元件420R及第二发光元件420G的布局与孔径比的关系。
[0146]本实施方式的变形例所示的发光面板包括多个像素，每个像素包括三个子像素(第一子像素402R、第二子像素402G以及第三子像素402B)。
[0147]每个像素具有在含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上的长度Yp及短轴X方向上的长度Xp的外形。
[0148]在每个子像素中设置有发光元件。具体而言，第一子像素402R包括第一发光元件420R，第二子像素402G包括第二发光元件420G，并且第三子像素402B包括第三发光元件420B。
[0149]另外，在发光元件之间设置有间隙。因为间隙的位置与图8A1、8A2、8B1以及8B2同样，所以在此援用参照图8A1、8A2、8B1以及8B2进行的说明。
[0150]此外，在发光面板中，含发光有机化合物的第一层423a形成为岛状(也可以称为条状或带状)。
[0151]注意，在图9A1、9A2、9B1以及9B2所示的发光面板中的每个像素中，长度Yp与长度Xp相等。
[0152]在图9A1所示的发光面板中，第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的短轴X方向上对准。
[0153]在图9B1所示的发光面板中，第一发光元件420R和第二发光元件420G在含发光有机化合物的岛状第一层423a的长轴Y方向上对准。
[0154]第一发光元件420R和第二发光元件420G都在各自的一对电极之间具有含发光有机化合物的同一岛状第一层423a。由此，不需要将用于在选择性地形成含发光有机化合物的层时发生的未对准的间隙设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间。
[0155]另一方面，在第三发光元件420B中，在一对电极之间设置含发光有机化合物的第二层423b，而不设置含发光有机化合物的岛状第一层423a。因此，需要设置用于在选择性地形成含发光有机化合物的层时发生的未对准的间隙。具体而言，需要在第一发光元件420R与第三发光元件420B之间及第二发光元件420G与第三发光元件420B之间设置短轴X方向上的长度d2的间隙。
[0156]例如，在使用光刻法形成第一发光元件及第二发光元件的下部电极且使用荫罩法通过蒸镀法形成含发光有机化合物的岛状第一层423a的情况下，可以使第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙的长度dl短于设置在第一发光元件420R与第三发光元件420B之间的间隙的长度d2且短于设置在第二发光元件420G与第三发光元件420B之间的间隙的长度d2。
[0157]在沿长轴Y方向形成多个第三发光元件420B的情况下，不需要将用于在选择性地形成含发光有机化合物的层时发生的未对准的间隙设置在相邻的第三发光元件420B之间。由此，第三发光元件420B的长轴Y方向上的长度为Yp-dl (参照图9A2及9B2)。
[0158]注意，第三发光元件420B的短轴X方向上的长度假定为X3。
[0159]通过如上所述排布的第三发光元件420B，将第一发光元件420R、第二发光元件420G以及设置在第一发光兀件420R与第二发光兀件420G之间的间隙安排在长轴Y方向上的长度Yp-dl且短轴X方向上的长度Xp-2d2-X3的区域中(参照图9A2及9B2)。
[0160]在此，为了增大发光元件的面积在上述区域中所占的比例(孔径比)，较佳地，设置在第一发光元件420R与第二发光元件420G之间的间隙在上述区域中所占的比例应该尽可能小。
[0161]在第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的情况下，它们之间的间隙的大小为图9A2所示。在第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准的情况下，它们之间的间隙的大小为图9B2所示。
[0162]在第一发光元件420R和第二发光元件420G在短轴X方向上对准的情况下，设置在它们之间的间隙的面积表示为(Yp-dl) Xdl(参照图9A2)。在长轴Y方向上对准的情况下，面积表示为(Xp-2d2-X3) Xdl (参照图9B2)。
[0163]当(Xp-2d2_X3)小于(Υρ-dl)时(S卩，当包括第一发光元件420R、第二发光元件420G以及设置在它们之间的间隙的区域在长轴Y方向上较长时)，通过将第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准，可以提高孔径比。
[0164]尤其是当Xp与Yp相等时，始终是(Xp-2d2_X3)小于(Υρ-dl)，由此通过将第一发光元件420R和第二发光元件420G在长轴Y方向上对准，可以提高孔径比。
[0165]注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合而实施。
[0166]实施方式3
在本实施方式中，将参照图4A和4B说明本发明的实施方式之一的发光面板的结构。
[0167]图4A是本发明的一实施方式的发光面板的结构的俯视图，而图4B是沿图4A中的线H1-H2-H3-H4的发光面板的结构的侧面图。
[0168]本实施方式所示的发光面板400D除了实施方式2所示的发光面板400C的结构以外还具有以下结构(参照图4B)。
[0169]发光元件(第一发光元件420R、第二发光元件420G以及第三发光元件420B)都在其各自的一对电极之间(具体而言，第一下部电极421R与上部电极422之间、第二下部电极42IG与上部电极422之间以及第三下部电极42IB与上部电极422之间)