参阅图2,所述壳体10包括前壳11和与所述前壳11相对设置的后壳12。所述前壳11与所述后壳12可以直接卡合，以形成一收容空间，所述壳体10也可以包括框体，所述前壳11和所述后壳12卡设于所述框体上，形成所述收容空间，在本实施方式中，以所述前壳11和所述后壳12直接卡合为例进行说明。
[0035]具体地，所述后壳12由记忆金属材料制成。记忆金属又叫形状记忆合金。记忆金属的微观结构有两种相对稳定的状态，在高温下这种合金可以被变成任何你想要的形状，在较低的温度下合金可以被拉伸，但若对它重新加热，它会记起它原来的形状，而变回去。这种材料就叫做记忆金属(memory metal)。它主要是镍钛合金材料。在本实施方式中，所述记忆金属材料可以采用单程记忆金属材料，也可以采用双程记忆金属材料。具体地，在所述记忆金属材料为单程记忆金属材料时，可以设置其他动力元件，在所述记忆金属材料需要回复至原状态时，采用动力元件对所述后壳12进行拉伸，以使得所述后壳12回复至原形状。在所述记忆金属材料为双程记忆金属材料时，无需设置所述动力元件，当温度低于一界限温度时，所述后壳12自动恢复至低温相形状，当温度达到所述界限温度时，所述后壳12自动恢复至高温相形变。
[0036]所述电子器件20设置于所述前壳11和后壳12之间。所述电子器件20可以为发热的任何电子器件，如芯片等。
[0037]所述振动片30设置于所述电子器件20和所述后壳12之间，所述振动片30包括固定部31和自由端32。所述固定部31与所述前壳11相对固定,所述振动片30由能够磁性件吸引的材料制成。
[0038]所述电磁铁40设置于所述前壳11和后壳12之间。具体地，所述电磁铁40可以采用消磁较快的的软铁或硅钢材料制成，如铁、钴、镍及其合金等。所述电磁铁40用于吸引所述振动片30，具体地，在使用时，可以直接通过开关等控制所述电磁铁40通电和断电频率，以使得所述振动片30间断地被所述电磁铁40吸引，从而使得所述振动片30的自由端32相对于所述固定部31摆动，所述自由端32的摆动频率和摆动幅度可以通过所述电磁铁40通入电流的大小以及控制所述电磁铁40的通电和断电频率实现。
[0039]在其他实施方式中，可以采用另一种方式来控制所述电磁铁40的通电和断电。具体地，所述电子设备100还包括模数转换器50，所述电磁铁40通过所述模数转换器50与电源连接。所述数模转换器50可以设置于所述电子设备100内，也可以设置于所述电子设备100外，在所述数模转换器50设置于所述电子设备100内时，所述数模转换器50可以设置于所述电子器件20上，也可以不设置于所述电子器件20上。
[0040]在使用电子设备100时，当所述电子器件20散发的热量使得所述后壳12的温度达到一预设值时(所述预设值由所述记忆金属材料决定)，所述后壳12发生变形，使得所述后壳12与所述前壳11之间的空间增大，所述电磁铁40通电，所述振动片30的自由端32在所述电磁铁40的磁力作用下能够在所述空间内摆动，以加快所述热量的散发；在所述后壳12的温度小于所述预设值时，控制所述电磁铁40断电，所述后壳12恢复至未变形时的形状。
[0041]上述电子设备100通过将所述后壳12设置为由记忆金属材料制成，并且在所述前壳11和所述后壳12之间设置所述振动片30和用于吸引所述振动片30的电磁铁40，在所述后壳12的温度达到所述预设值时，所述后壳12发生变形使得所述前壳11和所述后壳12之间的空间增大，所述电磁铁40通电，所述振动片30的自由端32在所述电磁铁40的磁力作用下能够在所述空间内摆动，以加快所述热量的散发，改善了现有技术中所述电子器件产生的热量不能被及时的传导，从而导致所述电子器件的温度较高，影响电子器件的工作的技术问题，达到提高所述电子设备散热效率的技术效果。
[0042]在本实施方式中，附图中仅画了一个振动片30进行示意说明，在其他实施方式中，振动片30的数目可以根据需要设置，另外，也可以设置为多个振动片30的固定端固定于一轴上，绕轴围绕的一周可以设置多个振动片30，对应地，设置多个电磁铁40，以使得所述多个振动片30能够在多个电磁铁40的引力作用下摆动。
[0043]具体地，所述固定部31为所述震动片30的第一边部，所述自由端32为与所述第一边部相对的第二边部。另外，所述电磁铁40与所述自由端32相对设置，在所述电磁铁40通电时，所述自由端32被所述电磁铁40吸引而产生摆动。通过将所述电磁铁40设置为于所述自由端32相对设置，在所述电磁铁40通电时，所述自由端32被所述电磁铁40吸引而产生摆动的幅度较上所述电磁铁40吸引所述振动片30的其他部分时产生的摆动幅度大。
[0044]在【具体实施方式】中，所述电子设备100还包括温度检测单元60和控制器70，所述温度检测单元60用于检测所述后壳12的温度，并将该检测温度发送给所述控制器70。在所述控制器70收到所述检测温度时，比较所述检测温度是否达到所述预设温度，若是，则所述控制器70控制所述电磁铁40通电；若所述检测温度小于所述预设温度，则所述控制器70控制所述电磁铁40断电。也就是说，在所述后壳12的温度达到所述预设温度时，所述后壳12变化到高温相形状的同时，所述控制器70控制所述电磁铁40通电，使得所述振动片30开始摆动，以散发所述电子器件20产生的热量；而在所述后壳12的温度低于所述预设温度时，所述后壳12恢复值低温相形状的同时，所述控制器70控制所述电磁铁40断电，使得所述振动片30停止摆动。
[0045]通过设置用于检测所述后壳12的温度的所述温度检测单元60和根据所述后壳的温度控制所述电磁铁40通电和断电的控制器70，从而实现根据所述后壳12发生变形时刻，自动控制所述电磁铁40的通电和断电，以实现控制所述振动片30的摆动。
[0046]上述电子设备100通过将所述后壳12设置为由记忆金属材料制成，并且在所述前壳11和所述后壳12之间设置所述振动片30和用于吸引所述振动片30的电磁铁40，在所述后壳12的温度达到所述预设值时，所述后壳12发生变形使得所述前壳11和所述后壳12之间的空间增大，所述电磁铁40通电，所述振动片30的自由端32在所述电磁铁40的磁力作用下能够在所述空间内摆动，以加快所述热量的散发，改善了现有技术中所述电子器件产生的热量不能被及时的传导，从而导致所述电子器件的温度较高，影响电子器件的工作的技术问题，达到提高所述电子设备散热效率的技术效果。
[0047]通过将所述电磁铁40设置为于所述自由端32相对设置，在所述电磁铁40通电时，所述自由端32被所述电磁铁40吸引而产生摆动的幅度较上所述电磁铁40吸引所述振动片30的其他部分时产生的摆动幅度大。
[0048]实施例二
[0049]基于同样的发明构思，本申请还提供一种气流加速装置200。如图3所示，为本申请另一较佳实施方式气流加速装置200的剖面示意图。所述气流加速装置200包括壳体210、振动片220和电磁铁230。
[0050]同时参阅图4,所述壳体210至少第一部分211由记忆金属材料制成。记忆金属又叫形状记忆合金。记忆金属的微观结构有两种相对稳定的状态，在高温下这种合金可以被变成任何你想要的形状，在较低的温度下合金可以被拉伸，但若对它重新加热，它会记起它原来的形状，而变回去。这种材料就叫做记忆金属(memory metal)。它主要是镍钛合金材料。在本实施方式中，所述记忆金属材料可以采用单程记忆金属材料，也可以采用双程记忆金属材料。具体地，在所述记忆金属材料为单程记忆金属材料时，可以设置其他动力元件，在所述记忆金属材料需要回复至原状态时，采用动力元件对所述第一部分211进行拉伸，以使得所述第一部分211回复至原形状。在所述记忆金属材料为双程记忆金属材料时，无需设置所述动力元件，当温度低于一界限温度时，所述第一部分211自动恢复至低温相形状，当温度达到所述界限温度时，所述第一部分211自动恢复至高温相形变。
[0051]在【具体实施方式】中，所述第一部分211可以为气流加速装置200的前壳、后壳、或者为前壳和/或后壳的一部分。另外，所述第一部分211上可以开设有孔，所述壳体210除第一部分211外的其他部分也可以开设有孔，以便于所述气流加速装置200空气能够与外界进行流通。所述孔的大小和数目可以根据需要设置。
[0052]所述振动片220设置于所述壳体210内，所述振动片220包括固定部221和自由端222。所述固定部221固定于所述壳体210上与所述第一部分211不同的第二部分212上,所述振动片220由能够磁性件吸引的材料制成。
[0053]所述电磁铁230设置于所述壳体210内。具体地,所述电磁铁230可以米用消磁较快的的软铁或硅钢材料制成，如铁、钴、镍及其合金等。所述电磁铁230用于吸引所述振动片220，具体地，在使用时，可以直接通过开关等控制所述电磁铁230通电和断电频率，以使得所述振动片22