涂覆的电组件的制作方法_2

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当单体的此共混物或混合物被等离子体聚合时,作为式(I)的化合物的单体将与 作为氟代烃的单体和/或其他的作为式(I)的化合物的单体二者反应。类似地,作为氟代 烃的单体将与作为式(I)的化合物的单体和/或与其他的作为氟代烃的单体二者反应。
[0049] 式⑴的化合物与氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,通常从10:90至40:60,优 选地从20:80至40:60,更优选地从25:75至35:65。式(I)的化合物与氟代烃的特别优选 的摩尔比是30:70。
[0050] 式(I)的化合物与氟代烃的摩尔比可以通过例如修改单体化合物进入等离子体 室中的流量来容易地调整。本领域技术人员可以容易地调整等离子体聚合过程,以便实现 式(I)的化合物与氟代烃的期望的比率。
[0051] 本发明涉及通过沉积第一聚合物并且然后沉积第二聚合物来形成共形涂层,所述 第一聚合物通过式(I)的化合物和氟代烃的混合物或共混物的等离子体聚合形成,所述第 二聚合物通过式(I)的化合物的等离子体聚合形成。因此,所得共形涂层将包含两个层,优 选地,所述两个层是离散的。第一层与电组件的表面接触,并且包含通过式(I)的化合物和 氟代烃的等离子体聚合形成的聚合物。此共混层是有利的,因为它良好地粘附至基底。第 二层与第一层接触,并且包含通过式(I)的化合物的等离子体聚合形成的聚合物。共混的 第一层也良好地粘附至第二层,这是有利的。
[0052] 本发明的沉积过程可以按需要经常地重复,以构建包含多个层的共形涂层,优选 地,所述多个层是离散的。
[0053] 在存在通过式(I)的化合物和氟代烃的等离子体聚合形成的聚合物的两个或更 多个层的情况下,所使用的每种式(I)的化合物和每种氟代烃可以是相同的或不同的,并 且优选地是相同的。
[0054] 在存在通过式(I)的化合物的等离子体聚合形成的聚合物的两个或更多个层的 情况下,所使用的每种式(I)的化合物可以是相同的或不同的,并且优选地是相同的。
[0055] 在存在通过氟代烃的等离子体聚合形成的聚合物的两个或更多个层的情况下,所 使用的每种氟代烃可以是相同的或不同的,并且优选地是相同的。
[0056] 通常优选的是,最后沉积的聚合物即形成共形涂层的上表面或环境地暴露的表面 的聚合物通过氟代烃的等离子体聚合是可获得的。
[0057] 本发明的特别优选的共形涂层包含四个层。此共形涂层通过以下是可获得的:(a) 使式(I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合,其中式(I)的化合物与氟代烃的摩尔比是 从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至电组件的至少一个表面上,然后(b)使式(I)的 化合物进行等离子体聚合,并且将所得聚合物沉积至在步骤(a)中形成的聚合物上,然后 (c) 使式⑴的化合物和氟代烃进行等离子体聚合,其中式⑴的化合物与氟代烃的摩尔比 是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至在步骤(b)中形成的聚合物上,以及然后(d) 使式(I)的化合物进行等离子体聚合,并且将所得聚合物沉积至在步骤(c)中形成的聚合 物上。任选地,可以通过使氟代烃进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至在步骤(d) 中形成的聚合物上来添加第五且最终层。式(I)的化合物和氟代烃优选地如下文所定义, 并且更优选地是1,4-二甲苯和六氟丙烯(C 3F6)。
[0058] 本发明的另外特别优选的共形涂层包含六个层。此共形涂层通过以下是可获得 的:(a)使式(I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合,其中式(I)的化合物与氟代烃的摩 尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至电组件的至少一个表面上,然后(b)使式 (I)的化合物进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至在步骤(a)中形成的聚合物上, 然后(c)使式(I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合,其中式(I)的化合物与氟代烃的 摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至在步骤(b)中形成的聚合物上,然后 (d) 使式(I)的化合物进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至在步骤(c)中形成的聚 合物上,然后(e)使式(I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合,其中式(I)的化合物与氟 代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至在步骤(d)中形成的聚合物上, 以及然后(f)使式(I)的化合物进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至在步骤(e)中 形成的聚合物上。任选地,可以通过使氟代烃进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至 在步骤(f)中形成的聚合物上来添加第七且最终层。式(I)的化合物和氟代烃优选地如下 文所定义,并且更优选地是1,4-二甲苯和六氟丙烯(C 3F6)。
[0059] 本发明的共形涂层的厚度将取决于被沉积的每种聚合物的层的数目。
[0060] 通过式(I)的化合物和氟代烃的等离子体聚合可获得的层通常具有IOnm至 100nm、优选地20nm至50nm、例如约30nm的平均厚度。
[0061] 通过式(I)的化合物的等离子体聚合可获得的层通常具有250nm至400nm、优选地 300nm至350nm、例如约325nm或约330nm的平均厚度。
[0062] 通过氟代经的等离子体聚合可获得的层通常具有IOnm至lOOnm、优选地20nm至 60nm、例如约40nm的平均厚度。
[0063] 每层的厚度可以由技术人员容易地控制。等离子体聚合以均匀的速率沉积聚合 物,并且因此,沉积的聚合物的层的厚度与沉积时间成比例。相应地,在沉积速率已经被确 定后,具有特定厚度的层可以通过控制沉积的持续时间来沉积。
[0064] 共形涂层的厚度可以是大体上均匀的或可以从点到点变化。
[0065] 式(I)的前体化合物具有以下结构:
[0066]
[0067] 其中R1代表C「C3烷基或C 2_C3烯基;R 2代表氢、C「C3烷基或C 2_C3烯基;R 3代表 氢、C1-C3烷基或C 2-C3烯基;R 4代表氢、C ^C3烷基或C 2-C3烯基;R 5代表氢、C ^C3烷基或C 2-C3 烯基;并且R6代表氢、C i-C3烷基或C 2-C3烯基。
[0068] 如本文所使用,术语C1-C3烷基包括具有1个至3个、优选地1个至2个碳原子的 直链或支链的烃基。实例包括甲基、乙基、正丙基和异丙基。
[0069] 如本文所使用,术语C2-C3烯基包括具有2个或3个碳原子和碳碳双键的直链或支 链的烃基。优选的实例是乙烯基。
[0070] 通常,R1代表甲基或乙烯基。通常,R2代表氢、甲基或乙烯基。通常,R 3代表氢、甲 基或乙烯基。通常,R4代表氢、甲基或乙烯基。通常,R5代表氢、甲基或乙烯基,优选地氢。 通常,R 6代表氢、甲基或乙烯基,优选地氢。
[0071 ] 优选地,R5和R 6代表氢。
[0072] 更优选地,R1代表甲基或乙烯基,R 2代表氢、甲基或乙烯基,R 3代表氢、甲基或乙烯 基,R4代表氢、甲基或乙烯基,R 5代表氢并且R 6代表氢。
[0073] 通常优选的是,私至R4中的两个代表氢。
[0074] 优选的式⑴的化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯 乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1,2_二乙烯基 苯。1,4-二甲苯是特别优选的。
[0075] 氟代烃是包含氟原子的烃材料。优选的氟代烃是全氟烷烃、全氟烯烃、全氟炔烃、 氟代烷烃、氟代烯烃和氟代炔烃,其中所述化合物优选地包含多达10个碳原子、更优选地 多达五个碳原子。优选的实例包括CF 4、C2F4、C2F6、C 3F6、C3F8和C 4FS。最优选的氟代烃是六 氟丙烯(C3F6)。
[0076] 特别优选的是,式(I)的化合物或每种式(I)的化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲 苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、 1,3-二乙烯基苯或1,2-二乙烯基苯,并且氟代烃或每种氟代烃是CF 4、C2F4、C2F6、C 3F6、C3F8 或C4F8。特别优选的组合是1,4-二甲苯和六氟丙烯(C3F 6)。
[0077] 电组件通常包括包含绝缘材料的基底、存在于基底的至少一个表面上的一个或更 多
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