六氟丙烯被离子化并且然后 反应以在电上形成连续且共形的涂层。在期望的涂层厚度已经形成后，关闭RF发生器并且 停止单体的流动。
[0103] 维持室中的真空并且然后使用质量流量控制器将1，4-二甲苯气体以约19SCCm的 流量引入至室。在300W的功率下打开RF发生器并且形成等离子体。1，4-二甲苯被离子化 并且然后与其自身反应以在之前的涂层上形成连续且共形的涂层。在期望的涂层厚度已经 形成后，关闭RF发生器并且停止1，4-二甲苯的流动。
[0104] 在维持真空的同时，将上文的程序重复三次，随后最终施用如上文描述的等离子 体聚合的六氟丙烯气体的层。室被带至大气压并且被打开，并且除去具有共形涂层的电组 件。
[0105] 多层涂层的结构被描述在下文的表2中。使用面形测定器来测量每层的厚度。
[0106]
[0107] 表 2
[0108] 实施例2
[0109] 利用标准胶带测试来测试在实施例1和比较实施例1中形成的涂层的坚固性。苏 格兰透明胶带600 (1/2英寸）被应用于根据实施例1或比较实施例1涂覆的Au-滑块，然 后用胶带卷（tape roll)以均匀的压力翻滚两次并且在从左至右的一次完全的剥离中被除 去。
[0110] 然后使用傅里叶变换红外光谱（FTIR)以确定涂层是否保持完整。实施例1的涂 层保持完整（在胶带测试之前和之后的FTIR追踪中没有差异）。比较实施例1的涂层的大 部分被除去（在测试之后的FTIR追踪指示剩下极少的涂层）。这证明实施例1的涂层比比 较实施例1的涂层更坚固。
[0111] 实施例3
[0112] 通过跨越被浸没在10g/L盐溶液中的被涂覆的组件应用IOV电势来测试实施例1 和比较实施例1的涂层。当跨越涂层的电流泄漏在48小时（2880分钟）测试内达到100 μ A 时，记录了失效。还测试了涂覆有900nm单层的等离子体聚合的1，4-二甲苯（在表3中表 示为PDMB)或涂覆有50nm单层的等离子体聚合的六氟丙烯（在表3中表示为PHFP)的组 件。记录关于涂覆的组件的平均失效时间。结果在下文的表3中被陈述。
[0113]
[0114] 轰1
[0115] 这些结果示出，实施例1的涂层作为共形涂层实现与比较实施例1的涂层相似的 保护水平。实施例1和比较实施例1二者的涂层均提供比单层涂层单独提供的保护水平高 得多的保护水平。
【主权项】
1. 一种电组件，所述电组件具有共形涂层，其中所述共形涂层通过包括以下的方法是 可获得的： (a) 使式（I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中，所述式（I)的化合物与所述 氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至所述电组件的至少一个表面 上： 其中：R1代表C K3烷基或C 2-C3烯基； R2代表氢、C ^C3烷基或C 2-C3烯基； R3代表氢、C ^C3烷基或C 2-C3烯基； R4代表氢、C i-C3烷基或C 2-C3烯基； R5代表氢、C ^C3烷基或C 2-C3烯基；并且 R6代表氢、C ^C3烷基或C 2-C3烯基，以及 (b) 使式（I)的化合物进行等离子体聚合，并且将所得聚合物沉积至在步骤（a)中形成 的聚合物上。2. 根据权利要求1所述的电组件，其中所述共形涂层通过包括以下的方法是可获得 的： (a) 使式（I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中所述式（I)的化合物与所述 氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至所述电组件的至少一个表面 上， (b) 使式（I)的化合物进行等离子体聚合，并且将所得聚合物沉积至在步骤（a)中形成 的聚合物上， (c) 使式（I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中所述式（I)的化合物与所述 氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至在步骤（b)中形成的聚合物 上，以及 (d) 使式（I)的化合物进行等离子体聚合，并且将所得聚合物沉积至在步骤（c)中形成 的聚合物上。3. 根据权利要求1或2所述的电组件，其中所述共形涂层通过包括以下的方法是可获 得的： (a)使式（I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中所述式（I)的化合物与所述 氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至所述电组件的至少一个表面 上， (b) 使式（I)的化合物进行等离子体聚合，并且将所得聚合物沉积至在步骤（a)中形成 的聚合物上， (c) 使式（I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中所述式（I)的化合物与所述 氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至在步骤（b)中形成的聚合物 上， (d) 使式（I)的化合物进行等离子体聚合，并且将所得聚合物沉积至在步骤（c)中形成 的聚合物上， (e) 使式（I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中所述式（I)的化合物与所述 氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得聚合物沉积至在步骤（d)中形成的聚合物 上，以及 (f) 使式（I)的化合物进行等离子体聚合，并且将所得聚合物沉积至在步骤（e)中形成 的聚合物上。4. 根据前述权利要求中任一项所述的电组件，其中所述方法还包括使氟代烃进行等离 子体聚合并且将所得聚合物沉积至在前述步骤中形成的聚合物上的最终步骤。5. 根据前述权利要求中任一项所述的电组件，其中所述式（I)的化合物或每种式（I) 的化合物是1，4-二甲苯、1，3-二甲苯、1，2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、 2-甲基苯乙烯、1，4-二乙烯基苯、1，3-二乙烯基苯或1，2-二乙烯基苯。6. 根据前述权利要求中任一项所述的电组件，其中所述氟代烃或每种氟代烃是CF 4、 C2F4、以6、(^6、以8或(：芯。7. 根据前述权利要求中任一项所述的电组件，其中所述式（I)的化合物或每种式（I) 的化合物是1，4-二甲苯并且所述氟代烃是C 3F6。8. 根据前述权利要求中任一项所述的电组件，其中在所述层或每层中所述式（I)的化 合物与所述氟代烃的摩尔比从25:75至35:65。9. 根据前述权利要求中任一项所述的电组件，所述电组件包括包含绝缘材料的基底、 存在于所述基底的至少一个表面上的一个或更多个导电轨道和连接至至少一条导电轨道 的至少一个电部件。10. 根据权利要求9所述的电组件，其中所述共形涂层覆盖所述一个或更多个导电轨 道、所述至少一个电部件以及所述基底的表面，所述一个或更多个导电轨道和所述至少一 个电部件位于所述基底的表面上。11. 一种用于共形地涂覆电组件的方法，所述方法如权利要求1至8中任一项所定义。12. 根据权利要求11所述的方法，其中所述电组件包括包含绝缘材料的基底、存在于 所述基底的至少一个表面上的一个或更多个导电轨道和连接至至少一个导电轨道的至少 一个电部件。13. 根据权利要求12所述的方法，所述方法包括使式（I)的化合物和氟代烃进行等离 子体聚合，其中所述式（I)的化合物与所述氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50,并且将所得 聚合物沉积至所述一个或更多个导电轨道、所述至少一个电部件以及所述基底的表面，所 述一个或更多个导电轨道和所述至少一个电部件位于所述基底的表面上。
【专利摘要】本发明涉及具有共形涂层的电组件，其中所述共形涂层通过包括以下的方法是可获得的：(a)使式(I)的化合物和氟代烃进行等离子体聚合，其中，式(I)的化合物与氟代烃的摩尔比是从5:95至50:50，并且将所得聚合物沉积至电组件的至少一个表面上：其中：R1代表C1-C3烷基或C2-C3烯基；R2代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R3代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R4代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R5代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；并且R6代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基，以及(b)使式(I)的化合物进行等离子体聚合并且将所得聚合物沉积至在步骤(a)中形成的聚合物上。
【IPC分类】H05K3/28
【公开号】CN105075408
【申请号】CN201480017971
【发明人】伊丽莎白·邓肯
【申请人】赛姆布兰特有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2014年3月25日
【公告号】WO2014155099A1