等而进行的过热检测，由此实现过热检测的检测精度、检测速度的提高。
[0155]5、DM0S
[0156]在本实施方式中，作为构成桥接电路10的晶体管Q1?Q4而使用了DMOS (Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)结构的晶体管。另外，作为构成逻辑电路20、模拟电路28等的晶体管而使用了 CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor，互补型金属氧化物半导体)结构的晶体管。
[0157]图17中图示了低侧的晶体管(Q2、Q4)的截面结构的示例。在该示例中，在P型的娃基板上，作为低侧的晶体管而形成有DM0S结构的N型晶体管。
[0158]具体而言，在P型基板(Psub)中形成N型埋入层(NBLA)，并在该埋入层之上形成P型外延层，在该外延层中形成N型阱(NWLC)。在N型阱之上形成N型扩散层，从而形成DM0S结构的N型晶体管的漏极。此外，在N型阱之上形成P型阱(PBDA)，在该P型阱之上形成N型扩散层，从而形成DM0S结构的N型晶体管的源极。在此，P型阱(PBDA)通过连接于源极的P型扩散层而被设定为与源极电压相同的电位。
[0159]另外，P型基板(Psub)被设定为VSS的电压(GND)。DM0S结构的N型晶体管的漏极被连接于N型区域(N型扩散层)，并经由其下方的N型层(NWLC、NBLA)而被连接于P型基板，因此，在漏极与P型基板之间产生了寄生二极管Dpi。
[0160]图18中图示了高侧的晶体管(Ql、Q3)的截面结构的例。在该示例中，在P型的硅基板上，作为高侧的晶体管而形成有DM0S结构的P型晶体管。
[0161]具体而言，在P型基板(Psub)中形成N型埋入层(NBLA)，在该埋入层之上形成P型外延层，在该外延层中形成N型阱(NWLC)。在N型阱之上形成P型阱(PDPM)，在该P型阱之上形成P型扩散层，从而形成DM0S结构的P型晶体管的漏极。此外，在N型阱(NWLC)之上进一步形成N型阱(NWLB)，在该N型阱之上形成N型扩散层与P型扩散层，从而形成DM0S结构的P型晶体管的源极。在此，N型阱(NWLB)通过连接于源极的N型扩散层而被设定为与源极电压相同的电位。
[0162]另外，P型基板(Psub)被设定为VSS的电压(GND)。其上方的N型区域(N型层NWLC、NBLA)经由源极的N型阱(NWLB)而被设定为电源电压VBB。漏极被连接于P型区域(P型扩散层)，并经由其下方的P型层(PDPM)而与N型区域连接，因此在漏极与N型区域之间产生了寄生二极管Dp2。
[0163]如上所述，在本实施方式中，如图17、图18所示，作为桥接电路10(12)的高侧的晶体管与低侧的晶体管，使用了 DM0S结构的晶体管。在这种情况下，在本实施方式中，能够通过DM0S结构的晶体管的体二极管来形成温度传感器部TS。S卩，通过DM0S结构的晶体管的体二极管来实现温度传感器部TS的温度检测元件。
[0164]例如，图19与图17相同，相当于DM0S结构的N型的晶体管的剖视图。此外，如图19的A1所示，连接该晶体管TR的栅极与源极，并将形成在晶体管TR的源极与漏极之间的体二极管DB作为温度传感器部TS的温度检测元件而使用。
[0165]S卩，在图19中，通过连接晶体管TR的栅极与源极，从而该晶体管TR的沟道不会被形成，该源极以及栅极成为体二极管DB的阳极(A)。另一方面，晶体管TR的漏极成为体二极管DB的阴极(K)，形成从阳极朝向阴极的方向为正向的体二极管DB。换言之，形成经由P型扩散层而与源极电连接的P型区域(PBDA)成为阳极，经由N型扩散层而与漏极电连接的N型区域(NWLC、NBLA)成为阴极的体二极管DB。
[0166]该体二极管DB与图8相同，具有负的温度特性。因此，通过代替图7的双极型晶体管BP1、BP2而使用DM0S结构的晶体管TR的体二极管DB，从而能够实现用于过热检测的温度传感器部TS的温度检测元件。
[0167]6、电子设备
[0168]图20中图示了应用了本实施方式的电路装置200 (电机驱动器)的电子设备的结构例。电子设备包括处理部300、存储部310、操作部320、输入输出部330、电路装置200、连接上述各部的总线340、电机280。以下，虽然以通过电机驱动来控制头或送纸的打印机为例而进行说明，但本实施方式并不局限于此，能够应用于各种电子设备。
[0169]输入输出部330例如通过USB连接器或无线LAN等接口而被构成，输入图像数据和文书数据。被输入的数据例如被存储在DRAM等作为内部存储装置的存储部310中。当由操作部320受理印刷指示时，处理部300开始进行被存储在存储部310中的数据的印刷动作。处理部300根据数据的印刷布局而向电路装置200 (电机驱动器)发送指示，电路装置200基于该指示而使电机280旋转，从而实施头的移动或送纸。
[0170]此外，虽然如上所述对本实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员应该能够容易理解如下内容，即，能够进行实质上不脱离本发明的新颖事项以及效果的诸多改变。因此，这样的改变例全部应包含在本发明的范围中。例如，在说明书或者附图中，至少一次与更广义或同义的不同用语(第一导电型、第二导电型、驱动对象、温度检测元件、温度检测信号等)一起记载的用语(P型、N型、电机、双极型晶体管、温度检测电压等)，在说明书或者附图的任意位置都能够替换为该不同的用语。另外，本实施方式以及改变例的全部的组合也被包含于本发明的范围中。另外，电路装置的结构、动作以及配置结构等也不局限于在本实施方式中说明的情况，能够实施各种改变。
[0171]符号说明
[0172] Ql、Q3高侧晶体管，Q2、Q4低侧晶体管，PR1?PR4预驱动器，DAC D/A转换电路，CP比较电路，DG1?DG4驱动信号，IN1?IN4控制信号，RS检测电阻，PD1?PD3衬垫，TS、TS1?TS6温度传感器部，0HD过热检测部，SD1?SD4、SB1?SB4、SCI?SC4端边，BP1、BP2、BP11?BP2n双极型晶体管，IS电流源，CPB比较电路，TS1?TSn温度传感器部，SW1?Sffn, SWB、SWC、SW0F开关元件，TBUTR晶体管，DB体二极管，10、12桥接电路，18驱动电路，20控制电路，28模拟电路，30检测电路，32基准电压生成电路，40过热保护电路，50基准电压生成电路，52恒定电压源，60开关控制电路，100电机，200电路装置，300处理部，310存储部，320操作部，330输入输出部。
【主权项】
1.一种电路装置，其特征在于，包括: 桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管； 至少一个温度传感器部； 过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测， 所述温度传感器部与所述过热检测部相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于， 所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。3.一种电路装置，其特征在于，包括: 桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管； 至少一个温度传感器部； 过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测， 所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。4.如权利要求2或3所述的电路装置，其特征在于， 在将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较远的第一端边的区域设为第一端边侧区域，并将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较近的第二端边的区域设为第二端边侧区域的情况下， 所述温度传感器部被配置在所述第二端边侧区域中。5.如权利要求1至4中任一项所述的电路装置，其特征在于， 包括被供给低电位侧电源的低电位侧电源衬垫， 所述温度传感器部与所述桥接电路的所述低侧的晶体管相比，被配置在距所述低电位侧电源衬垫较近的位置处。6.如权利要求1至5中任一项所述的电路装置，其特征在于， 包括驱动电路，所述驱动电路向所述桥接电路的所述高侧的晶体管、所述低侧的晶体管输出驱动信号， 所述温度传感器部与所述驱动电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。7.如权利要求1至6中任一项所述的电路装置，其特征在于， 包括控制电路，所述控制电路实施所述桥接电路的所述高侧的晶体管以及所述低侧的晶体管的导通、断开控制， 所述温度传感器部与所述控制电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。8.如权利要求1至7中任一项所述的电路装置，其特征在于， 作为至少一个所述温度传感器部，配置有多个温度传感器部。9.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于， 所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述高侧的晶体管的配置区域中， 所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述低侧的晶体管的配置区域中。10.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于， 所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中， 所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域的外侧区域中。11.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于， 包括第二桥接电路，所述第二桥接电路具有高侧的晶体管与低侧的晶体管， 所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在作为所述桥接电路的第一桥接电路的配置区域中， 所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述第二桥接电路的配置区域中。12.如权利要求11所述的电路装置，其特征在于， 所述多个温度传感器部中的第三温度传感器部被配置在所述第一桥接电路与所述第二桥接电路之间。13.如权利要求8至12中任一项所述的电路装置，其特征在于， 所述过热检测部基于来自所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部的第二温度检测信号，而实施过热检测。14.如权利要求13所述的电路装置，其特征在于， 所述过热检测部基于所述第一温度检测信号与所述第二温度检测信号的比较结果，而实施过热检测。15.如权利要求8至14中任一项所述的电路装置，其特征在于， 所述过热检测部基于从所述多个温度传感器部分时输入的温度检测信号，而实施过热检测。16.如权利要求1至15中任一项所述的电路装置，其特征在于， 所述高侧的晶体管与所述低侧的晶体管为DMOS结构的晶体管， 所述温度传感器部通过DMOS结构的晶体管的体二极管而被形成。17.—种电子设备，其特征在于， 包括权利要求1至16中任一项所述的电路装置。
【专利摘要】本发明涉及一种电路装置以及电子设备，在具有对大电流进行驱动的驱动器的IC中，存在由于因大电流所引起的发热而致使特性恶化或遭到损坏的情况。具有多个传感器，通过将其中几个传感器以接近成为发热源的流通大电流的输出驱动器的方式进行配置，从而迅速地检测出IC的温度上升，并根据该检测结果而使过热保护功能高精度地动作，从而防止IC的特性的恶化。或者抑制IC的过热而防止损坏。
【IPC分类】H03K17/08
【公开号】CN105490668
【申请号】CN201510633426
【发明人】山田敦史, 井上胜己
【申请人】精工爱普生株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月29日
【公告号】US20160099560