晶闸管驱动装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明晶闸管驱动装置属于电学领域，特别是一种适合在交流电网中驱动晶闸管的晶闸管驱动装置。
【背景技术】
[0002]目前在交流电网中，使用晶闸管对电力电容、电机、发热元件进行控制的应用越来越广泛，其晶闸管驱动装置采用变压器隔离驱动或高压电子开关驱动，其存在以下缺点:
[0003]1.变压器隔离驱动:晶闸管驱动信号由变压器提供，需要脉冲信号发生电路、变压器驱动电路、变压器、整流电路，存在脉冲占空比带来的触发盲区导致的电容负载接通涌流大、高频污染、占用空间大及性价比低等缺点。
[0004]2.高压电子开关驱动:晶闸管驱动信号由晶闸管的主回路通过电阻、高压电子开关(如M0C3083等高压光电耦合器)到晶闸管的触发极，高压电子开关承受较高电压，并且在380V系统中需要多个串联使用，存在可靠性差、容易击穿的缺点，另外由于触发回路的电阻、高压电子开关存在较大的电压降，需偏离零点较大的电压时才能触发，导致电容负载接通涌流大，晶闸管容易损坏。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于针对现有晶闸管驱动装置的不足之处而提供一种无需变压器触发、无需高压电子开关、占用空间小、电路简单、瞬间触发电流大、性价比高、能耗低的晶闸管驱动装置。
[0006]实现本发明的目的是通过以下技术方案来达到的:
[0007]—种晶闸管驱动装置，其包括一非隔离式供电电路、一节流电路，所述非隔离式供电电路的电源输入端的一端用于与所需驱动的晶闸管的第一端连接，所述电源输入端的另一端用于与相对于所述第一端的另一相电源或中性线连接，所述非隔离式供电电路通过所述节流电路、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成触发信号回路，所述节流电路的控制端用于与所述晶闸管的第三端连接。
[0008]—种晶闸管驱动装置，所述节流电路检测到所述第三端与所述第一端之间电位差大于所述晶闸管导通的电压降，接通所述晶闸管的触发信号，所述节流电路检测到所述晶闸管导通，关断所述触发信号。
[0009]—种晶闸管驱动装置，所述非隔离式供电电路包括限流元件、一单向导通器件、一电容、一稳压器件，所述限流元件、所述单向导通器件、所述电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端用于与所述第一端连接，所述第一串联电路的另一端用于与所述另一相电源或所述中性线连接，所述电容与所述稳压器件并联或所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述稳压器件并联。
[0010]—种晶闸管驱动装置，通过所述限流元件的电流小于触发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。
[0011]—种晶闸管驱动装置，所述稳压器件为一稳压二极管，所述单向导通器件为一二极管，所述限流元件为一电阻。
[0012]—种晶闸管驱动装置，还包括第四电阻，所述第四电阻串联在所述电容的放电回路中。
[0013]—种晶闸管驱动装置，所述电容通过所述节流电路、所述第二端、所述第一端形成放电回路。
[0014]一种晶闸管驱动装置，所述晶闸管为单向晶闸管，所述第一端为所述单向晶闸管的阴极，所述第二端为所述单向晶闸管的触发极，所述第三端为所述单向晶闸管的阳极，所述节流电路包括第二电阻、第一半导体开关，所述第一半导体开关的控制端通过所述第二电阻与所述单向晶闸管的阳极连接，所述电容通过所述第一半导体开关、所述触发极、所述阴极形成放电回路。
[0015]一种晶闸管驱动装置，所述节流电路检测到所述单向晶闸管的阳极与所述单向晶闸管的阴极之间正向电位差大于所述单向晶闸管导通的电压降，所述第一半导体开关导通，所述节流电路检测到所述单向晶闸管导通，所述第一半导体开关截止。
[0016]一种晶闸管驱动装置，所述第一半导体开关为一 NPN型三极管、一 NPN型达林顿管或一 NPN型达林顿电路。
[0017]一种晶闸管驱动装置，还包括第三电阻，所述三极管的集电极作为所述单向晶闸管的触发信号输入端，所述三极管的发射极与所述触发极连接，所述三极管的基极与所述第二电阻连接，所述第三电阻的两端分别与所述三极管的发射极、所述三极管的基极连接。
[0018]—种晶闸管驱动装置，所述限流元件与所述单向导通器件连接，所述另一相电源或所述中性线通过所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容正向充电，所述电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述电容的另一端用于与所述单向晶闸管的阴极连接。
[0019]—种晶闸管驱动装置，还包括用于控制所述电容放电的第二半导体开关。
[0020]—种晶闸管驱动装置，所述第二半导体开关为一光电耦合器或一光电耦合驱动晶体管电路。
[0021]—种晶闸管驱动装置，所述单向导通器件的阴极与所述电容的正向充电端连接，所述单向导通器件的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接，所述限流元件的一端与所述电容的另一端连接，所述限流元件的另一端与所述另一相电源或所述中性线连接，所述电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第二半导体开关的输出端并联。
[0022]一种晶闸管驱动装置，所述第二半导体开关的输出端与所述第一半导体开关的控制端连接。
[0023]—种晶闸管驱动装置，还包括第二稳压二极管，所述第二电阻通过所述第二半导体开关的输出端与所述第一半导体开关控制端连接，所述第二稳压二极管的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接，所述第二电阻与所述第二半导体开关连接的共同端与所述第二稳压二极管的阴极连接。
[0024]一种晶闸管驱动装置，所述晶闸管为双向晶闸管，所述第一端为所述双向晶闸管的第一阳极，所述第二端为所述双向晶闸管的触发极，所述第三端为所述双向晶闸管的第二阳极。
[0025]—种晶闸管驱动装置，所述节流电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第二电阻;所述第一晶体管的输出回路串联在所述双向晶闸管的触发回路中，所述第二晶体管的输入端与所述第三晶体管输入端反向并联而成并联电路，所述并联电路的一端通过所述第二电阻与所述第二阳极连接，所述并联电路的另一端与所述第一阳极连接，所述第二晶体管的输出端、所述第三晶体管的输出端与所述第一晶体管的控制端连接。
[0026]一种晶闸管驱动装置，所述第一晶体管的集电极、所述第一晶体管的发射极串联在所述双向晶闸管的触发回路中，所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的基极连接，所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的发射极连接，所述第二晶体管的集电极、所述第三晶体管的集电极与所述第一晶体管基极连接，所述第二晶体管的基极与所述第一阳极连接，所述第二晶体管的发射极通过所述第二电阻与所述第二阳极连接。
[0027]一种晶闸管驱动装置，所述第一晶体管为NPN型三极管，所述第二晶体管、所述第三晶体管为PNP型三极管，所述第一晶体管的集电极与所述触发极连接。
[0028]一种晶闸管驱动装置，还包括第三电阻、第五电阻、第六电阻，所述第三电阻的两端分别与所述第一晶体管的基极、所述第一晶体管的发射极连接，所述第五电阻的两端分别与所述第二晶体管的基极、所述第二晶体管的发射极连接，所述第一晶体管基极通过所述第六电阻与所述第二晶体管的集电极、所述第三晶体管的集电极连接。
[0029]—种晶闸管驱动装置，所述第二电阻串联至少一半导体器件。
[0030]—种晶闸管驱动装置，所述半导体器件为发光二极管。
[0031]—种晶闸管驱动装置，所述限流元件与所述单向导通器件连接，所述另一相电源或所述中性线通过所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容负向充电，所述电容的负向充电端通过所述第一晶体管与所述触发极连接，所述电容的另一端与所述第一阳极连接。
[0032]—种晶闸管驱动装置，还包括用于控制所述电容放电的第二半导体开关。
[0033]—种晶闸管驱动装置，所述第二半导体开关为一光电親合器或一光电親合器驱动晶体管电路。
[0034]—种晶闸管驱动装置，所述第一晶体管的控制端通过所述第二半导体开关的输出端与所述第二晶体管的输出端、所述第三晶体管的输出端连接。
[0035]—种晶闸管驱动装置，所述电容的负向充电端与所述单向导通器件的阳极连接，所述限流元件的一端与所述电容的另一端连接，所述限流元件的另一端与所述另一相电源或所述中性线连接，所述电容的负向充电端通过所述第一晶体管与所述触发极连接，所述单向导通器件的阴极与所述第一阳极连接，所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第二半导体开关的输出端并联。
[0036]本发明设计合理，其利用电网电源提供非隔离式供电电路工作电源，非隔离式供电电路通过节流电路、晶闸管的第二端、晶闸管的第一端形成触发信号回路，节流电路的控制端与晶闸管的第三端连接，通过节流电路对晶闸管的导通状态进行检测，节流电路检测到晶闸管的第三端与晶闸管的第一端之间电位差大于晶闸管导通的电压降，接通晶闸管的触发信号，节流电路检测到晶闸管导通，关断晶闸管的触发信号，仅需极短的时间完成晶闸管的触发过程，具有无需变压器、无需高压电子开关、占用空间小、电路简单、性价比高、瞬间触发电流大、触发能力强、能耗低的优点。
【附图说明】
[0037]图1是本发明晶闸管驱动装置的实施例一电路原理图。
[0038]图2是本发明晶闸管驱动装置的实施例二电路原理图。
[0039]图3是本发明晶闸管驱动装置的实施例三电