0068]在单相交流供电系统中使用时，与本发明晶闸管驱动装置连接的相对于晶闸管的第一端(即晶闸管的主回路端)的另一端电源也定义为中性线，在三相电使用时可以采用第一本发明晶闸管驱动装置通过另一相的第二本发明晶闸管驱动装置与相对于第一本发明晶闸管驱动装置的另一相电源连接。
[0069]综上所述，本发明具晶闸管驱动装置有以下优点:
[0070]1.晶闸管的触发信号直接由交流电网通过限流元件提供，无需变压器、无需高压电子开关、可靠性尚、电路简单、占用空间小、性价比尚。
[0071]2.采用电容储能触发方式，通过节流电路对晶闸管的导通状态进行检测，检测晶闸管导通，马上关闭电容放电，仅需极短的时间完成晶闸管的触发过程，具有瞬间输出电流大、触发能力强的特点，同时限流元件工作电流远小于触发晶闸管导通的最小触发电流、工作能耗低。
[0072]3.当用于电容负载时，不存在变压器驱动由于脉冲占空比和高压电子开关电路的本身电压降带来的过零触发盲区，接通涌流极小。
【主权项】
1.一种晶闸管驱动装置，其包括一非隔离式供电电路、一节流电路，所述非隔离式供电电路的电源输入端的一端用于与所需驱动的晶闸管的第一端连接，所述电源输入端的另一端用于与相对于所述第一端的另一相电源或中性线连接，所述非隔离式供电电路通过所述节流电路、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成触发信号回路，所述节流电路的控制端用于与所述晶闸管的第三端连接。2.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述节流电路检测到所述第三端与所述第一端之间电位差大于所述晶闸管导通的电压降，接通所述晶闸管的触发信号，所述节流电路检测到所述晶闸管导通，关断所述触发信号。3.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述非隔离式供电电路包括限流元件、一单向导通器件、一电容、一稳压器件，所述限流元件、所述单向导通器件、所述电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端用于与所述第一端连接，所述第一串联电路的另一端用于与所述另一相电源或所述中性线连接，所述电容与所述稳压器件并联或所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述稳压器件并联。4.根据权利要求3所述的晶闸管驱动装置，其特征是:通过所述限流元件的电流小于触发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。5.根据权利要求3所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述稳压器件为一稳压二极管，所述单向导通器件为一二极管，所述限流元件为一电阻。6.根据权利要求3所述的晶闸管驱动装置，其特征是:还包括第四电阻，所述第四电阻串联在所述电容的放电回路中。7.根据权利要求3所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述电容通过所述节流电路、所述第二端、所述第一端形成放电回路。8.根据权利要求3所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述晶闸管为单向晶闸管，所述第一端为所述单向晶闸管的阴极，所述第二端为所述单向晶闸管的触发极，所述第三端为所述单向晶闸管的阳极，所述节流电路包括第二电阻、第一半导体开关，所述第一半导体开关的控制端通过所述第二电阻与所述单向晶闸管的阳极连接，所述电容通过所述第一半导体开关、所述触发极、所述阴极形成放电回路。9.根据权利要求8所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述节流电路检测到所述单向晶闸管的阳极与所述单向晶闸管的阴极之间正向电位差大于所述单向晶闸管导通的电压降，所述第一半导体开关导通，所述节流电路检测到所述单向晶闸管导通，所述第一半导体开关截止。10.根据权利要求8所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第一半导体开关为一NPN型三极管、一 NPN型达林顿管或一 NPN型达林顿电路。11.根据权利要求10所述的晶闸管驱动装置，其特征是:还包括第三电阻，所述三极管的集电极作为所述单向晶闸管的触发信号输入端，所述三极管的发射极与所述触发极连接，所述三极管的基极与所述第二电阻连接，所述第三电阻的两端分别与所述三极管的发射极、所述三极管的基极连接。12.根据权利要求8所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述限流元件与所述单向导通器件连接，所述另一相电源或所述中性线通过所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容正向充电，所述电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述电容的另一端用于与所述单向晶闸管的阴极连接。13.根据权利要求8所述的晶闸管驱动装置，其特征是:还包括用于控制所述电容放电的第二半导体开关。14.根据权利要求13所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第二半导体开关为一光电親合器或一光电親合驱动晶体管电路。15.根据权利要求13所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述单向导通器件的阴极与所述电容的正向充电端连接，所述单向导通器件的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接，所述限流元件的一端与所述电容的另一端连接，所述限流元件的另一端与所述另一相电源或所述中性线连接，所述电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第二半导体开关的输出端并联。16.根据权利要求13所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第二半导体开关的输出端与所述第一半导体开关的控制端连接。17.根据权利要求16所述的晶闸管驱动装置，其特征是:还包括第二稳压二极管，所述第二电阻通过所述第二半导体开关的输出端与所述第一半导体开关控制端连接，所述第二稳压二极管的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接，所述第二电阻与所述第二半导体开关连接的共同端与所述第二稳压二极管的阴极连接。18.根据权利要求3所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述晶闸管为双向晶闸管，所述第一端为所述双向晶闸管的第一阳极，所述第二端为所述双向晶闸管的触发极，所述第三端为所述双向晶闸管的第二阳极。19.根据权利要求18所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述节流电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第二电阻:所述第一晶体管的输出回路串联在所述双向晶闸管的触发回路中，所述第二晶体管的输入端与所述第三晶体管输入端反向并联而成并联电路，所述并联电路的一端通过所述第二电阻与所述第二阳极连接，所述并联电路的另一端与所述第一阳极连接，所述第二晶体管的输出端、所述第三晶体管的输出端与所述第一晶体管的控制端连接。20.根据权利要求19所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第一晶体管的集电极、所述第一晶体管的发射极串联在所述双向晶闸管的触发回路中，所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的基极连接，所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的发射极连接，所述第二晶体管的集电极、所述第三晶体管的集电极与所述第一晶体管基极连接，所述第二晶体管的基极与所述第一阳极连接，所述第二晶体管的发射极通过所述第二电阻与所述第二阳极连接。21.根据权利要求20所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第一晶体管为NPN型三极管，所述第二晶体管、所述第三晶体管为PNP型三极管，所述第一晶体管的集电极与所述触发极连接。22.根据权利要求21所述的晶闸管驱动装置，其特征是:还包括第三电阻、第五电阻、第六电阻，所述第三电阻的两端分别与所述第一晶体管的基极、所述第一晶体管的发射极连接，所述第五电阻的两端分别与所述第二晶体管的基极、所述第二晶体管的发射极连接，所述第一晶体管基极通过所述第六电阻与所述第二晶体管的集电极、所述第三晶体管的集电极连接。23.根据权利要求21所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第二电阻串联至少一半导体器件。24.根据权利要求23所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述半导体器件为发光二极管。25.根据权利要求19所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述限流元件与所述单向导通器件连接，所述另一相电源或所述中性线通过所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容负向充电，所述电容的负向充电端通过所述第一晶体管与所述触发极连接，所述电容的另一端与所述第一阳极连接。26.根据权利要求19所述的晶闸管驱动装置，其特征是:还包括用于控制所述电容放电的第二半导体开关。27.根据权利要求26所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第二半导体开关为一光电耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路。28.根据权利要求26所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述第一晶体管的控制端通过所述第二半导体开关的输出端与所述第二晶体管的输出端、所述第三晶体管的输出端连接。29.根据权利要求26所述的晶闸管驱动装置，其特征是:所述电容的负向充电端与所述单向导通器件的阳极连接，所述限流元件的一端与所述电容的另一端连接，所述限流元件的另一端与所述另一相电源或所述中性线连接，所述电容的负向充电端通过所述第一晶体管与所述触发极连接，所述单向导通器件的阴极与所述第一阳极连接，所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第二半导体开关的输出端并联。
【专利摘要】本发明晶闸管驱动装置属于电学领域，特别是一种适合在交流电网中驱动晶闸管的晶闸管驱动装置，其包括一非隔离式供电电路、一节流电路，所述非隔离式供电电路的电源输入端的一端用于与所需驱动的晶闸管的第一端连接，所述电源输入端的另一端用于与相对于所述第一端的另一相电源或中性线连接，所述非隔离式供电电路通过所述节流电路、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成触发信号回路，所述节流电路的控制端用于与所述晶闸管的第三端连接，本发明晶闸管驱动装置具有占用空间小、电路简单、瞬间触发电流大、性价比高、能耗低的优点。
【IPC分类】H03K19/01, H03K17/78
【公开号】CN105634457
【申请号】CN201610117432
【发明人】郭桥石
【申请人】广州市金矢电子有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年2月26日