、512。另外，在该电介质基材20的一个主面上设置具有绝缘性的保护层30。保护层30以露出外部连接用导体511、512、覆盖下文所述的电容耦合用导体图案410的方式设置。
[0080]电介质基材20由沿着高频信号的传输方向伸长的长条状平膜构成，具有规定的厚度。将该伸长的方向作为长度方向，与该长度方向以及厚度方向垂直的方向作为宽度方向。
[0081]如图2、图3、图4所示，电介质基材20由将平膜状(例如厚度为25 μ m?50 μ m)的电介质层201、202沿着厚度方向重叠而成的结构构成。电介质基材20 (电介质层201、202)将介电损耗角正切值(tan δ )较低的电介质作为材料。更优选地，电介质基材20 (电介质层201、202)由介电损耗角正切值小于0.005的材料形成。具体而言，可将液晶高分子作为材料。
[0082]在电介质层201的电介质层202侧的平板面上形成导体图案401、402。导体图案401、402由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。本实施方式中采用厚度为10 μ m?20 μ m的铜箔。
[0083]导体图案401、402由长条状构成。导体图案401、402的长度方向与电介质基材20的长度方向一致。导体图案401是从电介质层201的一端附近伸长至长度方向的中段为止的形状。导体图案402是从电介质层201的另一端附近伸长至长度方向的中段为止的形状。导体图案401、402相互间未连接，在相互方向相对侧的端部之间形成间隙400。确定导体图案401、402的长度(沿着长度方向的长度)，以使得高频滤波器10的电感实现所期望的电感值。
[0084]导体图案401、402的宽度优选地尽可能接近电介质基材20的宽度，换言之，导体图案401、402相对于电介质基材20在可形成的范围中优选地尽可能较宽，但为了使得高频滤波器10的电感实现所期望的电感值，适当设定即可。例如，导体图案401、402的宽度优选地为电介质基材20的宽度的80 %以上，特别是可以为90 %左右。即，导体图案401、402的宽度与电介质基材的宽度20大致相同较好。该结构中，在确保导体图案的耐环境性的同时，使ESR尽可能低。
[0085]在电介质层202中与电介质层201相反侧的平板面上形成电容耦合用导体图案410。电容耦合用导体图案410也由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。本实施方式中采用厚度为10 μπι?20 μπι的铜箔。电容耦合用导体图案410由长方形构成。电容耦合用导体图案410隔着电介质层202，与夹着间隙400而相对的导体图案401、402的端部附近的区域相对。这时，确定电容耦合用导体图案410和导体图案402的相互相对的面积，以使得高频滤波器10的电容实现所期望的电容值。
[0086]电容耦合用导体图案410和导体图案401，以可形成连接导体60的面积相对，连接导体60由贯通电介质层202的导电性过孔构成。并且，电容耦合用导体图案410经由连接导体60与导体图案401连接。
[0087]在电介质层202中与电介质层201相反侧的平板面的一端形成外部连接用导体
511。外部连接用导体511大致为长方形。外部连接用导体511由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。本实施方式中采用厚度为10 μπι?20 μπι的铜箔。外部连接用导体511经由贯通电介质层202的连接导体60，连接在导体图案401中与导体图案402相反侧的端部附近。
[0088]在电介质层202中与电介质层201相反侧的平板面的另一端形成外部连接用导体
512。外部连接用导体512为大致长方形。外部连接用导体512由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。外部连接用导体512经由贯通电介质层202的连接导体60，连接在导体图案402中与导体图案401相反侧的端部附近。
[0089]通过像这样的结构，从外部连接用导体511输入的高频信号经由导体图案401传输至电容耦合用导体图案410。传输的高频信号利用电容耦合用导体图案410与导体图案402的电容耦合，传输至导体图案402，从外部连接用导体512输出。
[0090]进一步地，像这样的结构中，导体图案401以及导体图案402作为电感发挥作用，电容耦合用导体图案410以及导体图案402隔着电介质层202相对的部分作为电容发挥作用。图5(A)是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路图。如图5(A)所示，通过上述的结构，在外部连接用导体511、512之间，实现以电感、电容、电感的顺序串联连接的LC串联谐振电路。这时，如上文所述，通过适当设定导体图案401、402的形状以及电容耦合用导体图案410的形状，能使各电感的电感值以及电容的电容量确定为期望值。由此，能实现将规定的频带作为通频带，将该频带之外的频带作为衰减带的滤波器。
[0091]进一步地，通过采用本实施方式的结构，能使作为电感发挥作用的导体图案401、402形成为比以往的安装型层叠体上形成的电感的导体图案更宽的宽度，能降低电感的等效串联电阻ESR。由此，能使尚频滤波器的Q值提尚，抑制传输损耗。
[0092]另外，同时，能使电容耦合用导体图案410和导体图案402的相对面积变大，在扁平电缆型高频滤波器10的外形形状的范围内，能实现较大的电容量。由此，作为高频滤波器能使所需的电容量的实现范围变宽。由此，容易实现所期望的高频滤波器的特性。
[0093]进一步地，通过采用本实施方式的结构，不需要像以往的安装型层叠体那样连接电感和电容的引出导体。由此，不产生连接电容的不需要的电感成分，能进一步提高高频滤波器的Q值，能进一步抑制传输损耗。
[0094]进一步地，如本实施方式所示，通过将介电损耗角正切值(tan δ )极小的材质(具体为例如tan δ ^ 0.005的材料)用于电介质基材，能进一步提高高频滤波器的Q值，能进一步抑制传输损耗。特别是，通过使电介质基材为液晶高分子，能在得到上述特性的同时，实现具有尚烧性的尚频滤波器。
[0095]进一步地，本实施方式的结构中不使用接地导体。通过像这样的结构，能防止导体图案401、402、电容耦合用导体图案410与地线耦合。由此，不产生寄生电容，能实现所期望的Q值，能以更高精度实现滤波器特性优良的高频滤波器。
[0096]图5(B)是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的滤波器特性图。另外，图5(B)是Sll、S21的模拟结果，表示假设利用W1-Fi，将从2.4GHz附近到5.0GHz附近的频带作为通频带，将比这低的频带(例如700MHz频带)作为截止频带，构成导体图案401、402，电容耦合用导体图案410的情况。
[0097]如图5 (B)所示，通过本实施方式的结构，能使所期望的2.4GHz附近到5.0GHz附近的频带的高频信号低损耗地通过，能使该通频带外的高频信号衰减。特别是，能使低于通频带的低频带的高频信号大幅衰减。
[0098]如上文那样，通过采用本实施方式的结构，能使传输损耗低、具有优良滤波器特性的高频滤波器以薄型并且节省空间的方式实现。
[0099]另外，本实施方式中，电容耦合用导体图案410的宽度WC和导体图案401、402的宽度WL相同。然而，大致相同也可。像这样的结构中，能将作为电感发挥作用的导体图案401,402的宽度设定得较宽，能使电感的ESR较低，能使高频滤波器的Q值较高。电容耦合用导体图案410的宽度WC与导体图案401、402的宽度WL的比优选地例如为1.0 3 WL/WC ^ 0.8。
[0100]上述结构构成的扁平电缆型高频滤波器10能用于下文所述的移动型电子设备。图6(A)是表示本实用新型的第1实施方式涉及的移动电子设备的构件结构的侧面剖面图，图6(B)是说明该移动电子设备的构件结构的平面剖面图。
[0101]电子设备1包括薄型的设备壳体2。在设备壳体2内，设置作为电路要素的安装电路基板3A、3B(相当于本实用新型的“安装电路构件”)。在安装电路基板3A、3B的表面上安装多个1C芯片5以及安装构件6。安装电路基板3A、3B设置在设备壳体2上，使得俯视设备壳体2的情况下两者相邻。安装电路基板3B形成得比安装电路基板3A厚。例如，在安装电路基板3B中多功能地形成内装电路，而在安装电路基板3A中内装电路比较简单等情况下，形成上述的厚度关系。
[0102]由于设备壳体2尽可能地形成薄型，因此设备壳体2的厚度方向中，安装电路基板3B和设备壳体2的间隔极窄。由此，无法为了连接安装电路基板3A、3B而设置同轴电缆。
[0103]然而，通过将本实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10设置成该扁平电缆型高频滤波器10的厚度方向与设备壳体2的厚度方向一致，能使扁平电缆型高频滤波器10通过安装电路基板3A、3B与设备壳体2之间。
[0104]进一步地，需要在连接安装电路基板3A和安装电路基板3B的传输路径上插入高频滤波器的情况下，通过采用本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10，与另外准备作为传输线路的扁平电缆和高频滤波器的情况相比，也能实现省空间化。另外，与用层叠体的安装构件实现相比，能薄型地形成高频滤波器。
[0105]另外，即使在安装电路基板3A、3B的厚度不同的情况下，由于本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10具有挠性，因此通过使扁平电缆型高频滤波器10弯曲或弯折地进行设置，能使扁平电缆型高频滤波器高效地设置在设备壳体2内。由此，能实现扁平电缆型高频滤波器的设置空间的省空间化。
[0106]这时，弯曲位置为除去电容的形成区域、即电容耦合用导体图案410的形成区域以外的位置。由此，能防止由弯曲产生的电容量变化，能实现所期望的滤波器特性。
[0107]进一步地，这时，通过适当设定具有烧性的电介质基材20的电介质层201、202的厚度，以及具有规定刚性的导体图案401、402以及电容耦合用导体图案420的厚度，能保持弯曲的形状。具体而言，例如，使电介质层的厚度为25 μ m?50 μ m，使导体图案以及电容耦合用导体图案的厚度为电介质层的一半左右为好。
[0108]通过像这样的结构，如图6所示，能使扁平电缆型高频滤波器10与安装电路基板3A、3B相互隔开(不接触)而设置。由此，能抑制扁平电缆型高频滤波器10和安装电路基板3A、3B之间的电磁干扰，能使安装电路基板3A、3B之间的传输特性以及高频滤波器特性得到提高。特别是，若间隔100 μπι以上，则能得到充分的电磁干扰抑制效果。
[0109]像这样弯曲的形状能以如图7所示的制法形成。图7是表示扁平电缆型高频滤波器的弯曲部的形成方法的部分侧面图。图7(A)是表示扁平电缆型高频滤波器和弯曲形成夹具的图，图7(B)是表示形成弯曲后的扁平电缆型高频滤波器的图。
[0110]如图7(A)所示，扁平电缆型高频滤波器10被第一夹具901和第二夹具902包夹，第一夹具901具有沿着厚度方向的阶差911，第二夹具902具有沿着厚度方向的阶差912。这时，使第一夹具901以及第二夹具902包夹扁平电缆型高频滤波器10，以使得阶差911、912从两面抵住并咬合扁平电缆型高频滤波器10，并根据需要加热。由此，能使扁平电缆型高频滤波器10在长度方向的规定位置处弯曲。
[0111]这时，在阶差911、912的边缘部进行倒角处理，剖视时呈R倒角的形状。利用像这样的结构，能在不使扁平电缆型高频滤波器10受损伤的情况下，形成弯曲部BelO。
[0112]接着，参照附图，对本实用新型的第2实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图8是本实用新型的第2实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解平面图。本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10A与第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10的不同之处仅在于电容耦合用导体图案410W的形状。由此，仅对不同的地方进行具体说明。
[0113]扁平电缆型高频滤波器10A的电容耦合用导体图案410W的宽度WCA比导体图案401,402的宽度WL宽。这样的结构也能实现LC串联谐振电路，能得到与第1实施方式相同的作用效果。另外，电容耦合用导体图案410W的宽度WC与导体图案401、402的宽度WL的比优选地例如为1.0 ^ WL/WC ^ 0.8。
[0114]进一步地，通过采用本实施方式的结构，电介质层201、202层叠时，即使电介质层201,202的位置关系在宽度方向上发生偏移，在宽度的差分范围内，相对面积也没有变