一种用于元器件的防潮结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于元器件的防潮结构，属于电子元件保护技术领域。
【背景技术】
[0002]随着现代电子技术的飞速发展，电子装备对电子元器件的可靠性不断提出新的要求。电子元器件的可靠性如何，能否从根本上保证装备可靠稳定的运行，一直是各管理部门和研制、生产、使用部门十分关心的问题。
[0003]当前，很多产品需要在一个比较潮湿的环境下运行，如洗衣机，加湿器，冰箱等，这些产品的电子元器件由于其所处的环境很容易受潮。而当空气相对湿度大于80%时，电子设备中的材料构件会受潮变形，金属构件也会腐蚀加速，绝缘材料的绝缘电阴下降，以致绝缘击穿。因此，元器件受潮很容易造成器件受损，以致影响整个设备的正常运行。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种用于元器件的防潮结构，可以防止元器件因受潮而损坏。
[0005]本实用新型采取的技术方案是:一种用于元器件的防潮结构，其包括覆在元器件四周的由凝胶组成的氧化硅层、以及覆在所述氧化硅层四周的碳化硅层，所述碳化硅层的上表面呈斜面状，在所述斜面上设有弓I流槽。
[0006]进一步的，所述碳化硅层的四个侧面均呈斜面状，且四个侧面上均设有引流槽。
[0007]进一步的，所述碳化硅层的上表面相对水平面倾斜5-30度;其中优选角度为10度。
[0008]进一步的，所述碳化硅层的四周侧面相对竖直面倾斜5-30度;其中优选角度5度。
[0009]本实用新型的有益效果是:可以使元器件具备防潮功能，对元器件的表面及管脚做到了全方位的保护，大大提高元器件可靠性和稳定性;同时由于其表面的形状结构，使元器件的表面不会存在露珠，积水会迅速流下，不会因为露珠的存在而影响元器件的性能。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的主视图。
[0011]图2是碳化硅层及其引流槽结构示意图。
[0012]图中:1_元器件，2-氧化硅层，3-碳化硅层，4-引流槽。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
[0014]如图1和图2所示，一种用于元器件的防潮结构，其包括覆在元器件I四周的由凝胶组成的氧化硅层2、以及覆在所述氧化硅层2四周的碳化硅层3，所述碳化硅层3的上表面呈斜面状，在所述斜面上设有弓I流槽4。
[0015]本实用新型中，碳化硅层3的四个侧面均呈斜面状，且四个侧面上均设有引流槽4。另外，碳化硅层3的上表面相对水平面倾斜5-30度，通常优先选择10度角。碳化硅层3的上表面相对水平面倾斜10度，通常优先选择5度角。
[0016]本实用新型中，氧化硅层2利用溶胶一凝胶方法生成的平坦化层。该可以有效地填充芯片表面各种由金属化、引线等工序产生的三维结构，生成一个较为平坦平面；同时，由于溶胶的流动性好，可以填充芯片原始钝化层中的针孔、裂纹等缺陷。第二层是碳化硅层3，其具有良好的耐腐蚀性和机械强度，可以有效地阻挡外界的水汽和移动离子。
[0017]本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
【主权项】
1.一种用于元器件的防潮结构，其特征在于:包括覆在元器件(I)四周的由凝胶组成的氧化硅层(2)、以及覆在所述氧化硅层(2)四周的碳化硅层(3)，所述碳化硅层(3)的上表面呈斜面状，在所述斜面上设有引流槽(4)。2.根据权利要求1所述的一种用于元器件的防潮结构，其特征在于:所述碳化硅层(3)的四个侧面均呈斜面状，且四个侧面上均设有引流槽(4)。3.根据权利要求1所述的一种用于元器件的防潮结构，其特征在于:所述碳化硅层(3)的上表面相对水平面倾斜5-30度。4.根据权利要求3所述的一种用于元器件的防潮结构，其特征在于:所述碳化硅层(3)的上表面相对水平面倾斜10度。5.根据权利要求1所述的一种用于元器件的防潮结构，其特征在于:所述碳化硅层(3)的四周侧面相对竖直面倾斜5-30度。6.根据权利要求5所述的一种用于元器件的防潮结构，其特征在于:所述碳化硅层(3)的四周侧面相对竖直面倾斜5度。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于元器件的防潮结构，其包括覆在元器件四周的由凝胶组成的氧化硅层、以及覆在所述氧化硅层四周的碳化硅层，所述碳化硅层的上表面以及四个侧面呈斜面状，在所述斜面上设有引流槽，其中碳化硅层的上表面相对水平面倾斜5-30度，碳化硅层的四周侧面相对竖直面倾斜5-30度。本实用新型对元器件的表面及管脚做到了全方位的保护，大大提高元器件可靠性和稳定性；同时由于其表面的形状结构，使元器件的表面不会存在露珠，积水会迅速流下，不会因为受潮而影响元器件的性能。
【IPC分类】H05K5/02
【公开号】CN205213199
【申请号】CN201521066401
【发明人】周佳铭
【申请人】利德英可电子科技（苏州）有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月21日