主动隔离开关的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种隔离开关，特别指一种运用在电源供应器上的主动隔离开关。
【背景技术】
[0002]在一个由很多电源产品并联输出到一个输出母线的电源系统中，OR-1ng电路一般会放在单个模块和输出母线之间，其目的在于防止因为电源系统中的某台电源产品发生异常而导致整个电源系统发生异常。
[0003]但目前常用的OR-1ng电路，有以下缺点:比较器的输入会存在偏移量，这些偏移量会影响对场效晶体管通断点的控制；当偏移是正向时，会导致输出电流比较小，使场效晶体管打不开，所以一般需要将比较器的开通阈值设计的比较靠近负压，但是这样的话，就不可避免的使得当母线电压高于模块电压时，有反向电流从母线灌回模块，且反向电流没有达到某个阈值时FET管无法关断。同时，现有ORing电路需要设置比较器，使得电路成本较高。
[0004]有鉴于此，如何将上述缺点加以摒除，即为本实用新型发明人所欲解决的技术难点所在；因此，本实用新型发明人基于多年从事相关行业的经验，经多年苦心孤诣潜心研究，试作改良，终于成功研发完成本申请，并使本实用新型得以诞生，以增进功效。
【实用新型内容】
[0005]有鉴于上述的缺点，本实用新型提供一种主动隔离开关，其包括:一个场效晶体管，其具有一源极、一闸极及一汲极，源极与汲极供与一电源供应器的输出节点及一输入节点电性连接并隔离在该输出节点与输入节点之间。一个第一晶体管，其具有一第一射极、一第一基极及一第一集极，第一射极与源极连接，第一集极与闸极连接。以及一个第二晶体管，其具有一第二射极、一第二基极及一第二集极，第二射极与源极连接，第二基极与第一基极连接，第二集极与汲极连接。一射极偏置电压电阻，其具有一第一端及一第二端，第一端与第二晶体管的第二射极连接，第二端与第一晶体管的第一射极连接。
[0006]其中，该第一晶体管的第一集极和第二晶体管的第二基极与一偏置电压电性连接，偏置电压与第一晶体管的第一集极之间连接有一第一电阻，第一电阻同时作为第一偏置电流。
[0007]其中，该偏置电压与该第一晶体管的第一集极之间设有一第一电阻，且该偏置电压与该第二晶体管的第二基极之间设有一第二电阻。
[0008]其中，该第一晶体管与该第二晶体管设于一封装中。
[0009]本实用新型提供的主动隔离开关的主要目的在于:增加第一晶体管、第二晶体管与场效晶体管的反应速度，使场效晶体管能快速导通或关闭。
【附图说明】
[0010]图1:本实用新型的电路图。
[0011]附图标记说明
[0012]I主动隔离开关
[0013]10场效晶体管
[0014]11源极
[0015]12 闸极
[0016]13 汲极
[0017]20第一晶体管
[0018]21第一射极
[0019]22第一基极
[0020]23第一集极[0021 ]30第二晶体管
[0022]31第二射极
[0023]32第二基极
[0024]33第二集极
[0〇25]40射极偏置电压电阻
[0026]41 第一端
[0027]42 第二端
[0028]60第一电阻
[0029]70 第二电阻。
【具体实施方式】
[0030]为使贵审查员方便了解本实用新型的内容以及所能达成的功效，现配合附图列举具体实施例，详细说明如下:
[0031]请参照图1，本实用新型提供的主动隔离开关I，其包括:一个场效晶体管10、一个第一晶体管20、一个第二晶体管30以及一个射极偏置电压电阻40，各组件分别描述如下:
[0032]场效晶体管(fieldeffect transistor，缩写:FET)10，其具有一源极(source)
11、一闸极(gate) 12及一汲极(drain) 13，源极11与一电源连接。
[0033]第一晶体管(b1-polartransistor)20，其具有一第一射极(emitter)21、一第一基极化386)22及一第一集极((:0116(31:01023，第一射极21与源极11连接，第一集极23与闸极12及一偏置电压连接。
[0034]第二晶体管(b1-polartransistor)30，其具有一第二射极(emitter)31、一第二基极(base)32及一第二集极(c0llect0r)33，第二射极31与源极11连接，第二基极32与第一基极22及偏置电压(bias)连接，第二集极33与汲极13连接。
[0〇35]射极偏置电压电阻40，其具有一第一端41及一第二端42，第一端41与第二晶体管30的第二射极31连接，第二端42与第一晶体管20的第一射极21连接。
[0036]上述第一晶体管20与第二晶体管30为NPN晶体管，并且设置于一封装中。
[0037]上述偏置电压与第一晶体管20的第一集极23之间连接有一第一电阻60，第一电阻60同时作为第一偏置电流。
[0038]偏置电压与第二晶体管30的第二基极32之间设有一第二电阻70。
[0039]本实用新型以场效晶体管10作为主隔离开关。然而，这不是一个简单的通断开关。在操作中，场效晶体管10是选择性地在切断、启动及饱和状态间切换。因此平时只允许电流沿一个方向流动，即从源极11到汲极13。
[0040]第一晶体管20、第二晶体管30和射极偏置电压电阻40被构造为形成一个控制场效应晶体管10的反相放大器，反相放大器的输入电压即场效应晶体管10的汲极13和源极11之间的电压。
[0041]反相放大器的输出端即是与场效应晶体管10的闸极12连接的第一晶体管20的第一集极23，由闸极12来切换电流方向，使电流朝第一晶体管20的第一集极23移动.单机操作期间，完全没有电流流向场效晶体管10时，场效晶体管10的汲极13和源极11之间的电压为零，从而使第一晶体管20几乎或完全饱和，以使场效晶体管10在截止区操作。这是希望的，因为之前的电流可以改变其方向，它将首先成为零。在场效晶体管10将立即关断时，电流变为零，从而防止电流逆流。万一由于动量和一些延迟使电流反转，其反转也是非常有限的。少量反转甚至会使双极晶体管饱和地更快和更深。stor to saturate faster anddeeper.当少量的电流以几毫安每小时的速度开始流动在场效晶体管10，并且场效晶体管10仍处于切断状态的时候，将由场效晶体管10的源极11至汲极13产生一负电压。这个电压被馈送到倒相放大器的输入端。场效应晶体管10的闸极12处的电压即是放大的电压。当电流进一步增大时，该放大的电压在场效晶体管10的闸极12的增加使得的场效晶体管10离开截止区并慢慢进入活动区。当场效晶体管10开始入到活动区时，场效应晶体管10的源极11到汲极13的压降受场效应晶体管10的导通电阻支配。电流增加并流过场效晶体管10时将导致场效晶体管10的闸极12触发电压增加，然而，由于导通电阻在电流变化也起作用，因此由电流变化导致的闸极电压变化并不是线性的。闸极电压增加时，导通电阻降低。从而进一步增加了流入场效晶体管10的电流以使其进入饱和区。这是希望的，因为场效晶体管10越是深入进入饱和状态，导通电阻越低，导通电阻越低，压降越小，压降越小，功率消耗越低。
[0042]上列详细说明为针对本实用新型的一可行实施例的具体说明，但实施例并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所做的等效实施或变更，均应属于本实用新型的专利保护范围。
【主权项】
1.一种主动隔离开关，其特征在于:其包括: 一个场效晶体管，其具有一源极、一闸极及一汲极，该源极与该汲极与一电源供应器的输出节点及一输入节点电性连接并隔离在该输出节点与输入节点之间； 一个第一晶体管，其具有一第一射极、一第一基极及一第一集极，该第一射极与该源极连接，该第一集极与该闸极连接； 一个第二晶体管，其具有一第二射极、一第二基极及一第二集极，该第二基极与该第一基极连接，该第二集极与该汲极连接;以及 一射极偏置电压电阻，其具有一第一端及一第二端，该第一端与该第二晶体管的第二射极连接，该第二端与该第一晶体管的第一射极连接。2.如权利要求1所述的主动隔离开关，其特征在于:该第一晶体管的第一集极、第二晶体管的第二基极与一偏置电压电性连接，偏置电压与第一晶体管的第一集极之间连接有一第一电阻，第一电阻同时作为第一偏置电流。3.如权利要求2所述的主动隔离开关，其特征在于:该偏置电压与该第一晶体管的第一集极之间设有一第一电阻，且该偏置电压与该第二晶体管的第二基极之间设有一第二电阻。4.如权利要求1、2或3所述的主动隔离开关，其特征在于:该第一晶体管与该第二晶体管设于一封装中。
【专利摘要】本实用新型提供一种主动隔离开关，其包括：一个场效晶体管，其具有一源极、一闸极及一汲极，源极与一电源连接。一个第一晶体管，其具有一第一射极、一第一基极及一第一集极，第一射极与源极连接，第一集极与闸极连接。以及一个第二晶体管，其具有一第二射极、一第二基极及一第二集极，第二射极与源极连接，第二基极与第一基极及电源连接，第二集极与汲极连接。一射极偏置电压电阻，其具有一第一端及一第二端，第一端与第二晶体管的第二射极连接，第二端与第一晶体管的第一射极连接。
【IPC分类】H03K17/04, H03K17/687
【公开号】CN205320052
【申请号】CN201520982448
【发明人】梁见达, 李无名
【申请人】肯微科技股份有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月1日