一种dfn和sot焊盘封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种DFN和SOT焊盘封装结构，包括若干焊盘层，焊盘层上设有阻焊层，且阻焊层的上下两端超出焊盘层的上下两端，阻焊层的左右两侧设于焊盘层的左右两侧边缘的内部。本实用新型焊盘尺寸更大，防止焊接连锡，有利于PCB生产时品质控制。
【专利说明】
一种DFN和SOT焊盘封装结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种DFN和SOT焊盘封装结构，具体的说，是涉及一种适用于间距为0.35mm的器件的焊盘封装结构。
【背景技术】
[0002]随着电子业的飞速发展，特别是高密度PCB板的急速膨胀，元器件越来越小，焊接面积相应的也在逐渐减小，相反各方面的品质越来越高。以DFN和SOT封装为例，现有的焊盘封装结构有两种:
[0003]1、如图1所示，pitch为0.35mm DFN/S0T的焊盘层尺寸为6*20mil，阻焊层外圈比焊盘层的外圈大，其长短两边均比焊盘层大2mil，尺寸为10*24mil，钢网大小等于焊盘层的大小，尺寸为6*20miI。其缺点是:因为焊盘层的宽度6miI太小，PCB制板时公差不好管控，如果PCB工厂成品控制在负公差范围内，那么焊盘层尺寸小于6mil，焊盘层与基材的附着力不够，容易脱落。PCBA由于焊接面积太小，焊接时，由于焊接面积小，器件与PCB板连接面积过小，容易造成焊接不良。
[0004]2、如图2所示，pitch为0.35mm DFN/SOT的焊盘尺寸为8*20miI，阻焊层设于整个焊盘层的外围，其每条边分别比焊盘层的最外围大2mil，那么阻焊层与阻焊层的间距只有0.178mil，目前业内一般PCB工厂需要3mil才能做出阻焊桥，所以开一个整窗，尺寸为39.6*51.6mil，钢网大小等于焊盘层大小，尺寸为8*20mil。其缺点是:相比较传统做法一，尺寸有加大带来的好处，但是阻焊层开的整窗，即焊盘层与焊盘层之间没有阻焊油墨，焊接时由于缺少中间的绝缘阻焊油墨，锡丝容易把2个PIN连接起来造成短路。
[0005]所以对PCB制造和PCBA的焊接越来越苛刻，PCB的设计时怎么样在不增加成本和生产周期的情况下，提高生产良率，保证焊接的可靠性，是一个亟待解决的事情。
【发明内容】
[0006]为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种DFN和SOT焊盘封装结构。
[0007]本实用新型技术方案如下所述:
[0008]一种DFN和SOT焊盘封装结构，包括若干焊盘层，其特征在于，所述焊盘层上设有阻焊层，且所述阻焊层的上下两端超出所述焊盘层的上下两端，所述阻焊层的左右两侧设于所述焊盘层的左右两侧边缘的内部。
[0009]进一步的，所述阻焊层和所述焊盘层的上下方向为长边，其左右方向为短边。
[0010]更进一步的，所述焊盘层的尺寸为9.5*20mil。
[0011]更进一步的，所述阻焊层的上下两端分别超出所述焊盘层的上下两端2mil。
[0012]更进一步的，所述阻焊层的左右两侧分别短于所述焊盘层的左右两侧边缘0.75milo
[0013]进一步的，上下两个相邻的所述焊盘层的中心间距为27.6miI。
[0014]进一步的，左右两个相邻的所述焊盘层的中心间距为13.8mil。
[0015]根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，
[0016]1、本实用新型焊盘尺寸更大，有利于PCB生产时品质控制；
[0017]2、焊盘尺寸大小合适，有利于PCBA生产时品质控制；
[0018]3、本实用新型确保了焊盘与焊盘之间可以做阻焊桥，防止焊接连锡；
[0019]4、焊盘尺寸已最大化，相对增加了附着力，器件、焊盘、基材基材三者间生产时，它的附着力很容易需要满足IPC标准。
【附图说明】
[0020]图1为传统技术中6*20mil尺寸焊盘层的封装结构示意图；
[0021 ]图2为传统技术中8*20mil尺寸焊盘层的封装结构示意图；
[0022]图3为本实用新型的结构示意图。
[0023 ] 在图中，1、阻焊层;2、焊盘层。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述:
[0025]如图3所示，一种DFN和SOT焊盘封装结构，包括若干焊盘层2，焊盘层2的尺寸为
9.5*20miI，上下两个相邻的焊盘层2的中心间距为27.6miI，左右两个相邻的焊盘层2的中心间距为13.811^1。
[0026]在图中，焊盘层2的上下方向为长边，其左右方向为短边。
[0027]焊盘层2上设有阻焊层I，且阻焊层I的上下两端超出焊盘层2的上下两端，阻焊层I的左右两侧设于焊盘层2的左右两侧边缘的内部。优选的，阻焊层I的上下两端分别超出焊盘层2的上下两端2mil，阻焊层I的左右两侧分别短于焊盘层2的左右两侧边缘0.75mil，阻焊层I的大小为8*24mil。
[0028]进而得到钢网大小等于焊盘层2和阻焊层I的交叉大小，尺寸为8*20mil。
[0029]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
[0030]上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种DFN和SOT焊盘封装结构，包括若干焊盘层，其特征在于，所述焊盘层上设有阻焊层，且所述阻焊层的上下两端超出所述焊盘层的上下两端，所述阻焊层的左右两侧设于所述焊盘层的左右两侧边缘的内部。2.根据权利要求1所述的DFN和SOT焊盘封装结构，其特征在于，所述阻焊层和所述焊盘层的上下方向为长边，其左右方向为短边。3.根据权利要求2所述的DFN和SOT焊盘封装结构，其特征在于，所述焊盘层的尺寸为9.5^201111104.根据权利要求3所述的DFN和SOT焊盘封装结构，其特征在于，所述阻焊层的上下两端分别超出所述焊盘层的上下两端2mil。5.根据权利要求3所述的DFN和SOT焊盘封装结构，其特征在于，所述阻焊层的左右两侧分别短于所述焊盘层的左右两侧边缘0.75mi I。6.根据权利要求1所述的DFN和SOT焊盘封装结构，其特征在于，上下两个相邻的所述焊盘层的中心间距为27.6mi I。7.根据权利要求1所述的DFN和SOT焊盘封装结构，其特征在于，左右两个相邻的所述焊盘层的中心间距为13.8mi I。
【文档编号】H05K1/11GK205566808SQ201620238873
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年3月28日
【发明人】方和仁, 王灿钟
【申请人】深圳市博科技有限公司, 深圳市一博科技有限公司