具有寄生电容抵消的麦克风的制作方法
【专利摘要】公开了微机电麦克风及其制造方法。该麦克风具有可移动膜和固定的背板，其生成可变电容。电耦接到该膜的固定的锚具有电极，其测量所述可变电容，而且也测量不希望的加性的寄生电容。多种实施例包括参考电极，在与膜或锚相同的沉积层中制造，其仅仅测量所述寄生电容。在芯片上或芯片外提供电路，其从锚处测量的电容减去参考电极处测量的电容，从而仅产生期望的可变电容作为输出。由于参考电极与膜或锚同时沉积，因此对于现有制造技术仅仅需要最少的变化。
【专利说明】具有寄生电容抵消的麦克风
【技术领域】
[0001]本发明涉及麦克风，尤其涉及控制MEMS麦克风中的寄生电容。
【背景技术】
[0002]微机电系统(MEMS)麦克风广泛用在语音通信、助听装置以及噪声和振动控制应用中。已经使用多种微加工技术来设计及制造多种MEMS麦克风。由于其高灵敏度、高信噪比(SNR)以及长期稳定性性能，电容性麦克风是一种非常合乎期望并且广泛使用的麦克风类型。
[0003]然而，对于MEMS麦克风的灵敏度的一个显著的限制因素是，麦克风的背板和隔膜之间的寄生电容。在解决此问题上的研究和开发大多聚焦在软件校准方法(包括噪声降低算法)和二阶定向麦克风(second-order directional microphone)上。然而，这些方法需要显著的复杂性和电力，这是不合期望的。因此，这些解决方案常常增加最终装置的总体成本。当在具有有限的电力供应的应用(例如，在常常具有非常小的电池的听力器械中)使用时，这些解决方案减少了电池寿命。
【发明内容】
[0004]示例性的实施例通过基本从最终输出信号消除了寄生电容，而显著改善了 MEMS麦克风性能。对此，多种实施例在MEMS麦克风内形成第二电容器。该第二电容器形成参考电容，其基本上等于所预期的寄生电容。因此，电路使用该参考电容来移除寄生电容，从而产生具有不超过可忽略量的噪声的期望的信号。下面讨论示例性实施例的细节。
[0005]根据本发明第一实施例，MEMS麦克风具有膜、背板、传感器、参考电极和电路。膜与锚可移动地耦接，并且所述膜被固定地耦接到基板。通过电介质流体将背板与膜分开，并且通过电介质固体将背板固定地耦接到锚。在背板和膜之间存在第一电容，并且在背板和锚之间存在第二电容。传感器测量背板和膜之间的电容。该电容基本上等于第一电容和第二电容的和。参考电极嵌入在电介质固体内。在参考电极和背板之间存在第三电容，其基本上与第二电容相同。电路从通过所述传感器测量的电容减去所述第三电容，以产生输出电容，所述输出电容基本上与所述第一电容相同。
[0006]基板可以是体硅晶片。膜可以是多晶硅。背板可以是结晶硅。麦克风本身可以由绝缘体上硅(SOI)晶片形成。电介质流体可以是空气。膜和参考电极可以由单个沉积层制造。
[0007]根据本发明第二实施例，MEMS麦克风具有背板、锚、膜、参考电容器和电路。背板和锚产生寄生电容。膜可移动地固着到所述锚，并与所述背板间隔开，从而使得所述隔膜和所述背板形成可变电容器，所述可变电容器具有主电容。参考电容器具有基本上等于所述寄生电容的参考电容。所述电路具有接收主电容、寄生电容和参考电容的输入。所述电路被配置来将所述主电容和寄生电容与寄生电容相减，以产生输出电容，所述输出电容基本上等于所述主电容。[0008]第二实施例的MEMS麦克风系统可以具有第一管芯和第二管芯,所述第一管芯包括所述可变电容器和参考电容器，所述第二管芯包括所述电路，所述第一和第二管芯电通信。或者，其可以包括封装件，所述封装件包含所述可变电容器、所述参考电容器和所述电路。所述可变电容器、参考电容器和电路可以在单个管芯上。参考电容器可以包括参考电极，所述参考电极在分层结构内与所述背板间隔开，所述锚和参考电极由相同材料形成，并且在所述分层结构内相同的层中。
[0009]所述电路可以具有减法器。第一减法器输入与所述可变电容器和所述寄生电容电连接，以用于接收所述主电容和所述寄生电容的和。第二减法器输入与参考电容器电连接以用于接收参考电容。所述减法器被配置来将所述主电容和寄生电容的和与所述参考电容相减。
[0010]所述锚可以由给定的材料形成，所述参考电容器包括与所述背板间隔开的参考电极，所述参考电极由所述给定的材料形成，并且与所述锚是至少部分共面。如果如此，所述给定的材料可以是多晶硅。
[0011]提供了一种产生MEMS麦克风系统的方法。所述方法通过在基底层集上形成膜和参考电极开始，其中所述膜和参考电极由给定的材料在基本上相同的时间形成。接着，在所述给定的材料上形成牺牲层。然后，形成背板和锚，并且所述背板和锚通过所述牺牲层与所述膜和所述参考电极间隔开。接着所述方法要求去除背板和膜之间的牺牲层。参考电极和背板形成固定的参考电容，背板和膜形成可变电容，并且背板在锚内产生寄生电容。所述方法包括提供一种电路，其具有接收所述可变电容、所述寄生电容和所述参考电容的输入，所述电路被配置为从所述可变电容和所述寄生电容的和减去所述参考电容以产生输出电容，所述输出电容基本上等于所述可变电容。
[0012]所述方法可以包括将所形成的部件和所述电路安装在封装件中。形成参考电极和形成锚可以包括沉积给定的材料到基底层集上。如果如此，则相关方法还包括对给定的层进行微加工以将参考电极与锚物理地分离。在第二种相关方法中，形成膜和形成背板包括在第一管芯上形成膜和形成背板，另外其中提供电路包括在第二管芯上提供电路。第二种相关方法还包括将所述电路与所述背板电连接。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]通过参考附图参照下面的详细说明，将更容易地理解实施例的前述特征，在附图中:
[0014]图1A示意性地示出了可以根据本发明的示例性实施例配置的封装的麦克风的透视图。
[0015]图1B示意性地示出了附图1A中示出的封装的麦克风的底视图。
[0016]图1C是根据本发明一实施例的MEMS麦克风结构的三维视图；
[0017]图2A是其中背板在膜上方的MEMS麦克风的示意性截面视图；
[0018]图2B是其中背板在膜下方的替代的MEMS麦克风的示意性截面视图；
[0019]图3A是根据本发明一个实施例的增加了参考电极的图2A的麦克风的示意性截面图；
[0020]图3B是根据本发明一个实施例的增加了参考电极的图2B的麦克风的示意性截面图；
[0021]图4示出了根据图3A的MEMS麦克风的图像；
[0022]图5示出了可以结合本发明一实施例使用的差分读出电路拓扑的示意图；以及
[0023]图6示出了根据本发明示例性实施例的形成麦克风的工艺。
【具体实施方式】
[0024]示例性的实施例通过基本从最终输出信号消除了寄生电容的影响，而显著改善了MEMS麦克风性能。对此，多种实施例在MEMS麦克风内形成第二电容器。该第二电容器形成参考电容，其基本上等于所预期的寄生电容。因此，电路使用该参考电容来移除寄生电容，从而产生具有不超过可忽略量的噪声的期望的信号。下面讨论示例性的实施例的细节。
[0025]附图1A示意性地示出了可以根据本发明的示例性实施例配置的封装的麦克风I的顶部透视图。以相应的方式，附图1B示意性地示出了同一封装的麦克风I的底部透视图。
[0026]这些图中示出的麦克风I具有封装基底2，其与对应的盖3 —起形成内腔，所述内腔包含MEMS麦克风管芯或芯片10 (下面讨论，见图1C和2-4)以及用以实现下面功能性的其它部件(例如，专用集成电路)。在该实施例中，盖3是空腔类型的盖，其具有从顶部内部面大体正交地延伸的四壁，以形成空腔。盖3固着到基本上平的封装基底2的顶面，以形成所述内腔。在示例性的实施例中，盖由导电材料形成并与基底2电连接，以形成对电磁干扰(“EMI”)的屏蔽。因此，盖可以由金属、具有金属层的塑料涂层、或浸有导电粒子的塑料等形成。
[0027]盖3还具有音频输入端口 5，其使得声音信号能够进入到所述腔中。然而，在替代实施例中，音频端口 5处于另一位置，诸如穿过封装基底2，或者，穿过过盖3的侧壁中的一个。进入内腔的音频信号与麦克风芯片10相互作用产生电信号，所述电信号与另外的(夕卜部)部件(例如，扬声器和伴随的电路)一起产生与输入的可听信号对应的输出可听信号。
[0028]图1B示出了封装基底2的底面6，其具有用于将麦克风与大的基板(诸如，印刷电路板)电(在许多构思的用途中，并且物理地)连接的多个触点7或其它电互连装置。封装的麦克风I可以用在种类广泛的应用中任何的应用中。例如，封装的麦克风I可以与移动电话、陆地线路电话、计算机装置、视频游戏机、生物测定安全系统、双向无线电、公告系统、听力器械以及对信号换能的其它装置一起使用。实际上，构思了封装的麦克风I可以用作根据电子信号产生可听信号的扬声器。在示例性的实施例中，封装基底2是预模制的引线框型封装件(也称作“预模制封装件”)。替代地，基底2可以包括基板材料，诸如印刷电路板材料(例如，诸如BT或FR-4的层压材料)，或者陶瓷基板等。
[0029]图1C是可以根据本发明的多种实施例配置的MEMS麦克风系统10的三维视图。对此，MEMS麦克风系统10具有由体硅晶片(诸如，单晶硅体晶片)形成的基板11。当然，其它实施例可以使用其它晶片，诸如，绝缘体上硅(SOI)晶片。在基板11上沉积、蚀刻并微加工的多种材料形成实现麦克风系统的最终功能的微结构。
[0030]更具体地，如图1和2中所示，麦克风系统10具有由多晶硅形成的背板13。为了促进操作，背板13具有多个贯穿孔孔径25 (“背板孔”)，其引导到背侧空腔24。在背板13之下是可移动的膜21，其也通过多晶硅沉积制成，以用于提供相对于背板13的可变电容。因而，麦克风系统10包括静态背板13，其支撑并与可移动的膜21形成可变电容器。图1中还可见四个金属读出触点14，以用于将麦克风电连接到封装或芯片载体上的触点7。应当注意，对于不同的应用，这些元件的形状和组成可以是不同的。
[0031]图2A是可以被修改来实现本发明的示例性实施例的MEMS麦克风系统IOa的示意性截面图。该类型的麦克风系统IOa将其背板13a放置在膜21a上方，也如图1C中所示的。更具体地，在该图中背板13a被考虑为在膜21a “上方”，主要由于图的取向，以及由于背板13a未与背侧空腔24a (下面讨论)直接相邻的事实。在麦克风系统IOa中，典型地，背板13a和膜21a两者由体硅基板Ila上的沉积材料形成。在背侧空腔24a上方，膜21a经由弹簧23a可移动地耦接到锚22a。锚22a本身固定地耦接到基板11a，从而提供机械稳定性。通过电介质流体(诸如，空气)将背板13a与膜21a分开，所述电介质流体填充所述背侧空腔24a和背板孔25a。背板13a通过电介质固体26a固定地耦接到锚22a。背板13a和膜21a还形成上面所述的可变电容，其与膜21a的移动成比例地变化。由于膜21a与电介质流体中存在的压力成比例地移动，因此背板13a和膜21a之间的可变电容与流体中的压力成比例。该压力可以是由声信号(诸如，穿过音频输入端口 5进入的人的语音)导致的。不希望地，在背板13a和锚22a之间通过电介质固体26a还存在寄生电容。下面详细讨论根据本发明不同实施例的用于解决该不希望的电容的手段。
[0032]图2B是可以被修改来实现本发明示例性实施例的另一 MEMS麦克风IOb的示意性截面图。不同于图2A中的MEMS麦克风10a，MEMS麦克风IOb将其背板13b放置在膜21b下方。具体地，该实施例中的背板13b由单晶硅的层(例如，绝缘体上硅晶片Ilb的顶层)形成，而膜21b由沉积材料(诸如，沉积的多晶硅)形成。在背板13b上方，膜21b经由弹簧23b可移动地耦接到锚22b。在这样的配置中，背侧空腔24b直接在背板13b下方。为了促进操作，背板13b具有背板孔25b以降低其与膜21b之间的压力差。锚22b通过电介质固体26b经由背板13b固定地耦接到基板lib。本发明的不同实施例可以使用其它类型的材料和其它微加工工艺及配置，以形成所述背板和膜。
[0033]如本领域技术人员所知道，膜21和背板13构成可变电容器的板，可变电容器的电容在声波击中膜21时变化。这样的波可以从任何方向接触麦克风10。芯片上的或芯片外的电路例如利用图1C的触点14或图1B的触点7接收该变化的电容，并将其转换成电信号，该电信号可以被进一步处理。下面结合图5更详细地讨论这样的读出电路。
[0034]对于测量麦克风电容，难以将可靠的电传感器直接附接到移动的膜21。代替地，示例性实施例将传感器电连接到锚22和背板13，以测量膜21和背板13之间的电容。然而，如上所述的，由于电介质固体26的存在，在锚22和背板13之间存在第二的寄生的电容。该寄生电容可以被建模为寄生电容器。因而，上述的传感器实际上测量两个电容:膜21和背板13之间的可变电容，以及，锚22和背板13之间的电容(即，所述寄生电容)。
[0035]对于寄生电容的敏感是现有技术麦克风的电压读出电路一个显著的缺点，这是因为来自背板和膜的交迭的几何结构的寄生电容降低了读出的灵敏度。在具有可变电容Cm(其是膜21和固定的背板13之间的电容)以及固定的寄生电容Cp (其是锚22和背板13之间的电容)的麦克风10中，总电容等于CM+CP。灵敏度与Cm/ (CM+CP)成比例。为了增强灵敏度，必须降低或消除CP。
[0036]因此，本发明的多种实施例形成参考电容器，其具有基本上等于所述寄生电容的电容。图3A和3B是麦克风30的示意性截面图，麦克风30与图2A和2B的麦克风类似，但是具有参考电容器，所述参考电容器的电容基本上等于所述寄生电容。如现有技术系统中那样，图3A的实施例具有膜31a、锚32a、背板33a和弹簧34a。然而,根据示例性实施例，参考电容器部分地由参考电极35a形成。更具体地，图3A的实施例在参考电极35a和背板33a之间形成参考电容器。
[0037]根据示例性实施例，参考电极和锚被制造为使得在每一个和背板之间的电容是相同的。例如，参考电极35a可以具有与锚32a相同的材料组成和几何尺寸，并且两者可以形成在相同的层中，以确保其相应电极之间的基本相同的间隔。这可以通过由单个沉积的多晶硅层形成锚32a和参考电极35a来实现。以这样的方式，其厚度将是相同的。简单地，通过知道锚32a的物理组成和结构，而知道寄生电容。因此，可以通过适当地对稍后沉积的牺牲层进行光图案化，设计参考电极35a的侧面积(lateral area)以实现Cp的电容。换而言之，微加工工艺可以蚀刻多晶硅的单层以确保两电极(寄生电容器的锚电极32a和参考电容器的参考电极35a)关于背板33a产生基本上相同的电容。
[0038]在替代实施例中，这些工艺可以产生不同类型的电容器，并且仍保持其基本相等的电容。例如，对于这两个电容器，相应电极32a、35a的宽度可以是不同的。在这样的情况下，可以适当地放大或减小参考电极35a的表面面积，以确保基本上相同的电容。因此，不同实施例可以产生基本上相同的两个电极32a、35a，或者基本上不同但是相对于背板33a仍产生相同的电容的两个电极32a、35a。
[0039]实际上，多种实施例适用于其它配置的MEMS麦克风。例如，图3B是根据本发明一个实施例的具有增加的参考电极35b的麦克风30b的示意性截面图。以与图3A类似的方式，该图示出了膜31b、锚32b、背板33b和弹簧34b。根据该实施例的几何结构，参考电极35b被示出在背板之上，而不是在其下方。
[0040]图4示出了背板33a在膜31a之上的MEMS麦克风30a的示意性三维截面图。参考电极35a可见，并且由与膜31a、锚32a和弹簧34a相同的多晶硅层制成。参考电极35a可以形成在与锚32a相同的平面中。如下面所讨论的，稍后沉积背板33a，并移除牺牲层以引起膜31a和背板33a之间的缝隙。突出显示了三个电节点以用于索引目的:在形成膜31a和锚32a的材料中的传感器节点41、在形成背板33a的材料中的背板节点42、以及在形成参考电极35a的材料中的参考节点43。现有技术麦克风测量传感器节点41和背板节点42之间的电容，其在在一定程度上等于膜31a和背板33a之间的可变电容。然而，如上面解释的，这些测量还包括锚32a和背板33a之间(B卩，来自节点41和42)经过电介质固体44的寄生电容。根据本发明的多种实施例，该寄生电容基本上与背板33a和参考电极35a之间的电容一致，如在背板节点42和参考节点43之间测量的。通过从读数中减去该相同的电容，可以比现有技术中的精确得多地确定Cm (即，没有寄生电容的期望的输出电容)。
[0041]上面讨论的利用参考电容的差分电路读出拓扑结构可以制造在围绕MEMS麦克风30的区域上。图5示出了差分读出电路拓扑结构的示意图。在该图中标记了电节点41、42、43，Cm被示出为可变电容，Cp被示出为固定电容。参考电极具有C’P的电容，其与Cp—致。如本领域中已知的，偏置电压Vbias施加到背板。读出电路从传感器接收两个电压信号SjPS2,以得到输出电压Vtjut，其与CM+CP - C’ P=Cm成比例。提供电阻器R以使输出电压标准化。
[0042]在示例性实施例中，图5的积分和减法(integration and subtraction)模块51形成在与麦克风本身相同的管芯上。然而，替代实施例可以在另一芯片上形成该模块的一些或全部。例如，该功能可以通过分立部件、集成电路(例如，在专用集成电路内)或两者来实现。
[0043]应当注意，图5的电路仅仅是可以用来利用参考电极移除寄生电容的大量的不同电路中的一种。本领域技术人员可以开发任何的不同的电路来完成该去除处理。因此，该电路的讨论仅仅用于示例性目的。
[0044]图6示出了根据本发明示例性实施例的形成图3B的麦克风的工艺。该工艺可以应用到其它麦克风实施例，并因此，图3B的具体实施例的讨论仅仅用于示例性目的。应当注意，该工艺过程并未说明形成麦克风所需的全部步骤。而是，其示出了用于形成麦克风的不同相关步骤。因此，出于简明，并未讨论某些步骤。对于关于类似制造方法的更多信息，可以见例如美国专利N0.7，449，356，通过引用将其公开全体并入在此。本领域技术人员可以将该并入的专利中的工艺的原理并入到图6的工艺中。
[0045]该工艺开始于步骤60，其形成背板33b。对此，该工艺对绝缘体上硅(“SOI”)晶片的顶层应用常规的微加工工艺。例如，该工艺可以使用光致抗蚀剂掩模，以在SOI晶片的顶层内蚀刻背板孔和其它沟槽。接着，该工艺向背板增加一个或多个牺牲层(步骤62)。所述牺牲层可以包括生长或沉积的氧化物等。该牺牲层将填充背板中的通孔，并提供对于下一层的支撑。此外，如所述并入专利中所述的，这牺牲层还可以包括氮化物衬垫层、牺牲多晶硅以及一个或多个氧化物层。
[0046]在形成所述牺牲层(一个或多个)之后，工艺继续到步骤64，其沉积最终形成膜31b、锚32b、弹簧34b和参考电极35b的层。在不例性实施例中，该层由多晶娃形成,但是，如同其它层一样，其可以由适于期望的应用的其它材料形成。工艺然后继续到步骤66，其形成上述的元件。再次地，如同其它步骤那样，该工艺可以实现常规的微加工技术，诸如利用加性和减性步骤的掩模和蚀刻。
[0047]最终，该工艺通过释放微结构，即，释放膜3 Ib，结束于步骤68。这基本上去除了弹簧34b/膜31b与背板33b之间的牺牲材料中的大多数或全部。如果该牺牲层由例如氧化物单独形成，则可以将结构暴露于酸，诸如，氢氟酸。如果该微结构还包括多晶硅，则可以使用其它去除组分，诸如二氟化氙。
[0048]如上所述，预期另外的步骤来产生功能麦克风管芯。例如，可以有电路制造步骤、测试、划片/锯切步骤、等等。电路制造步骤可以在同一管芯上或者在另一管芯上形成图5的减法模块51。在它们形成之后，常规的封装工艺可以将每一麦克风固着在封装件内，如图1A和IB中所示。如所述的，这些封装工艺还可以将其它部件(诸如，ASIC)包括到封装件内部。
[0049]因此，示例性实施例产生基本上避免了寄生电容的输出麦克风信号，而无需制造工艺中的显著的另外步骤的增加。换而言之，由于参考电容器在与锚相同的步骤中形成，因此参考电容器应当向工艺增加很少(如果有的话)另外的时间和费用。因此，使用参考电容器改善了输出性能，而对最终麦克风具有可忽略的或者没有净成本。
[0050]本发明上述的实施例意图仅仅是示例性的；许多变化和修改对于本领域技术人员将是明显的。意图将所有这些变化和修改涵盖在如所附权利要求限定的本发明的范围内。
【权利要求】
1.一种微机电麦克风，包括: 膜，与锚可移动地耦接，所述锚被固定地耦接到基板； 背板，通过电介质流体与所述膜分开，所述背板被通过电介质固体固定地耦接到所述锚，存在在所述背板和所述膜之间的第一电容以及在所述背板和所述锚之间的第二电容； 传感器，用于测量所述背板和所述膜之间的电容，所测量的电容基本上等于所述第一电容和所述第二电容的和； 参考电极，嵌入在所述电介质固体内，在所述参考电极和所述背板之间存在第三电容，所述第三电容基本上与所述第二电容相同；以及 电路，其将通过所述传感器测量的电容减去所述第三电容，以产生输出电容，所述输出电容基本上与所述第一电容相同。
2.根据权利要求1的麦克风，其中所述基板是体硅晶片。
3.根据权利要求1的麦克风，其中所述膜包括多晶硅。
4.根据权利要求1的麦克风，其中所述背板包括单晶硅。
5.根据权利要求 1的麦克风，其由SOI晶片形成。
6.根据权利要求1的麦克风,其中所述电介质流体是空气。
7.根据权利要求1的麦克风，其中所述膜和所述参考电极包括单个沉积层。
8.一种MEMS麦克风系统，包括: 背板； 锚，所述背板和锚产生寄生电容； 膜，可移动地固着到所述锚，并与所述背板间隔开，所述膜和所述背板形成可变电容器，所述可变电容器具有主电容； 参考电容器，其具有基本上等于所述寄生电容的参考电容；以及 电路，其具有接收所述主电容、寄生电容和所述参考电容的输入，所述电路被配置为将所述主电容和所述寄生电容与所述参考电容相减以产生输出电容，所述输出电容基本上等于所述主电容。
9.如权利要求8的MEMS麦克风系统,还包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括所述可变电容器和参考电容器，所述第二管芯包括所述电路，所述第一和第二管芯电通信。
10.如权利要求8的MEMS麦克风系统，还包括封装件，其包含所述可变电容器、所述参考电容器和所述电路。
11.如权利要求8的MEMS麦克风系统，其中所述可变电容器、参考电容器和电路在单个管芯上。
12.如权利要求8的MEMS麦克风系统，其中所述电路包括减法器，其具有与所述可变电容器和所述寄生电容电连接的第一输入，用于接收所述主电容和所述寄生电容的和，所述减法器具有与所述参考电容器电连接的第二输入，用于接收所述参考电容，所述减法器被配置来将所述参考电容与所述主电容和寄生电容的和相减。
13.如权利要求8的MEMS麦克风系统，其中所述锚由给定的材料形成，所述参考电容器包括与所述背板间隔开的参考电极，所述参考电极由所述给定的材料形成，并且与所述锚是至少部分共面的。
14.如权利要求13的MEMS麦克风系统，其中所述给定的材料包括多晶硅。
15.如权利要求8的MEMS麦克风系统，其中所述参考电容器包括在分层结构内与所述背板间隔开的参考电极，所述锚和参考电极由相同的材料形成，并且在所述分层结构内的相同层中。
16.一种产生MEMS麦克风系统的方法，所述方法包括: 在基底层集上形成膜和参考电极，其中所述膜和参考电极由给定的材料在基本上相同的时间形成； 在所述给定的材料上形成牺牲层； 形成通过所述牺牲层与所述膜和所述参考电极间隔开的背板和锚； 去除所述背板和膜之间的牺牲层，其中所述参考电极和背板形成固定的参考电容，所述背板和膜形成可变电容，所述背板还在所述锚内产生寄生电容；以及 提供电路，其具有接收所述可变电容、所述寄生电容和所述参考电容的输入，所述电路被配置为将所述可变电容和所述寄生电容的和与所述参考电容相减以产生输出电容，所述输出电容基本上等于所述可变电容。
17.如权利要求16的产生方法，其中形成参考电极和形成锚包括将所述给定的材料沉积到所述基底层集上。
18.如权利要求17的产生方法，还包括:进行微加工以将所述参考电极与所述锚物理地分离。
19.如权利要求17的产生方法，其中形成膜和形成背板包括在第一管芯上形成膜和形成背板，此外其中提供电路包括在第二管芯上提供电路，所述方法还包括将所述电路与所述背板电连接。
20.如权利要求16的产生方法，还包括将所形成的部件和所述电路安装在封装件中。
【文档编号】H04R19/04GK103686567SQ201310404760
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月9日 优先权日:2012年9月11日
【发明者】刘芳, 杨光隆 申请人:应美盛股份有限公司