复合振膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种复合振膜的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一硅基材层，将所述硅基材层进行等离子处理；将所述硅基材层的上表面进行表面活化处理；提供一聚醚醚酮层；将所述硅基材层的上表面与所述聚醚醚酮层热压贴合。该复合振膜有效的提高了产品的声学性能。
【专利说明】复合振膜的制作方法
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种复合振膜，特别涉及一种用于电声器件的复合振膜的制作方法。【【背景技术】】
[0002]随着市场需求的不断提高，电子器件如手机等逐渐向薄型化方向发展，而且要求其声音质量越来越好，这就要求手机中的声学器件向着微型、薄型、高音质的方向发展。振膜是扬声器等声学器件的核心部件，对其声学性能的要求也就随之提高。
[0003]与本发明相关的振膜是用同一材料做成的单层，这种结构使得振膜的强度不高，使得声学性能不好。
[0004]因此，有必要提供一种新的振膜来克服上述缺点。
【
【发明内容】
】
[0005]本发明需解决的技术问题是提供一种声学性能更好的复合振膜。
[0006]本发明提供一种复合振膜的制作方法，该方法包括以下步骤:
[0007]提供一硅基材层，将所述硅基材层进行等离子处理；
[0008]将所述硅基材层的上表面进行表面活化处理；
[0009]提供一聚醚醚酮层；
[0010]将所述硅基材层的上表面与`所述聚醚醚酮层热压贴合。
[0011]本发明具有以下优点:由于将硅基材层与所述聚醚醚酮层贴合，硅基材层与聚醚醚酮层都是耐高温的材料，且两者的热膨胀系数近似，使得硅基材层与聚醚醚酮层比较容易贴合，由此提高了复合振膜的可靠性，增强了复合振膜的声学性能。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0012]图1是本发明提供的复合振膜的剖视图。
【【具体实施方式】】
[0013]下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
[0014]如图1所示，为本发明提供的一种复合振膜I，其包括硅基材层和贴合于所述硅基材层11的上表面的聚醚醚酮层12 (PEEK, polyetheretherketone),所述复合振膜I的制作方法包括如下步骤:
[0015]提供一硅基材层11，将所述硅基材层11进行等离子处理；
[0016]将所述硅基材层11的上表面进行表面活化处理；
[0017]提供一聚醚醚酮层12 ;
[0018]将所述硅基材层11的上表面与所述聚醚醚酮层12热压贴合。
[0019]由于硅与聚醚醚酮都是比较耐高温的材料，且两者的热膨胀系数近似，比较容易热压贴合，因此，采用硅基材层11和聚醚醚酮层12制作的复合振膜I不但耐高温，并且可靠性高，由此增强了所述复合振膜I的声学性能。
[0020]以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种复合振膜的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤:提供一硅基材层，将所述硅基材层进行等离子处理； 将所述硅基材层的上表面进行表面活化处理； 提供一聚醚醚酮层； 将所述硅基材层的上表面与所述聚醚醚酮层热压贴合。
【文档编号】H04R31/00GK103731793SQ201310739464
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2013年12月27日
【发明者】朱秉科 申请人:瑞声声学科技(深圳)有限公司, 瑞声精密制造科技(常州)有限公司