平面振膜单体的改良结构的制作方法

本实用新型是关于一种振模结构，特别是关于可以减少盆分裂现象的平面振膜单体的改良结构。

背景技术：

根据结构以及发声的原理不同，发声装置的种类可以分为动圈式喇叭、压电喇叭、陶瓷压电喇叭以及纸喇叭等许多种类，其中，最常见即为传统的动圈式喇叭。动圈式喇叭的结构，主要是将一漆包线圈缠绕于圆型管柱的外周围构成一音圈后，再将音圈的一端胶合于一振膜的一侧后置放于磁铁的一侧，以形成动圈式喇叭的单体。在利用此种单体发声时，是使对应的音频电流通过漆包线圈，使得线圈的磁场透过电磁感应发生变化而带动振膜振动，借此振动空气而发声。

图1A中显示了一种现有的单体结构。如图1A所示，现有的单体结构9的振膜91上一般仅设置一个单一的线圈92。在这种现有的单体结构9上将音频电流通过线圈92时，在线圈92中心线95两侧与中心线95距离相同处的电流流动方向会不相同，因此容易产生盆分裂的情形。进一步来说，如图1A所示，若线圈92在中心线95右侧部分的点a位置的电流是往图中的下方流动，则线圈92在另一侧与中心线95与点a之间距离相同处的点a’位置的电流会往图中的上方方向流动。图1B为振膜91的侧视图，图中的箭头标示了振膜在微观的点上的振动方向。如图1B所示，由于这种现有的线圈配置使得电流在点a与点a’的流动方向相反，因而会导致振膜91在微观的点，即点a与点a’上的振动方向不相同，进而造成现有的单体结构9容易发生盆分裂的现象，并且造成单体的音质失真。

技术实现要素：

基于上述理由，本实用新型的目的在于提供一种平面振膜单体的改良结构，其是将振膜结构上的线圈配置，使得线圈在中心线两侧与中心线距离相同的位置处的电流方向相同，借此减少盆分裂发生的情形。

为达成前述目的，本实用新型提供一种平面振膜单体的改良结构，包括：一薄膜层，具有一第一面以及一第二面，且该薄膜层以其一中心线为基准具有彼此相对的一第一侧以及一第二侧；一第一线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第一侧，且该第一线圈具有一第一接触点；一第二线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第一侧，且该第二线圈是透过一第一连接点与该第一线圈电性连接；一第三线圈，设置在该薄膜层的该第一面上的该第二侧，且该第三线圈是透过一第二连接点与该第二线圈电性连接；以及一第四线圈，设置在该薄膜层的该第二面上的该第二侧，该第四线圈是透过一第三连接点与该第三线圈电性连接，且该第四线圈具有一第二接触点；其中，该第一线圈与该第三线圈是被配置为两者在与中心线距离相同处的电流方向相同，且该第二线圈与该第四线圈是被配置为两者在与该中心线距离相同处的电流方向相同。

根据本实用新型的一实施例，该第一线圈与该第三线圈相对于该中心线具有对称的配置，且该第二线圈与该第四线圈相对于该中心线具有对称的配置。

根据本实用新型的一实施例，该第二线圈是与该第一线圈重迭，该第四线圈是与该第三线圈重迭，该第二线圈与该第一线圈重迭的部分电流方向相同，且该第四线圈与该第三线圈重迭的部分电流方向相同。此外，该第二线圈与该第四线圈是以最小绕圈数的方式设置于该薄膜层的第二面上。

附图说明

图1A为现有单体结构的示意图；

图1B为现有单体结构的侧视图；

图2A为显示根据本实用新型一实施例的平面振膜单体的改良结构的第一面的平面示意图；

图2B为显示根据本实用新型一实施例的平面振膜单体的改良结构的第二面的平面示意图；以及

图3为显示根据本实用新型一实施例的平面振膜单体的改良结构中线圈的电流流动方向的平面示意图。

符号说明：

10 薄膜层

11 第一面

111 第一侧

112 第二侧

12 第二面

121 第一侧

122 第二侧

201 第一接触点

202 第二接触点

211 第一连接点

212 第二连接点

213 第三连接点

31 第一线圈

32 第二线圈

33 第三线圈

34 第四线圈

9 单体结构

91 振膜

92 线圈

95 中心线

A 中心线

a、a’、b、b’ 点

具体实施方式

以下配合图式及组件符号对本实用新型的实施方式做更详细的说明，俾使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。

图2A为显示本实用新型的平面振膜单体的改良结构的第一面的平面图；图2B为显示本实用新型的平面振膜单体的改良结构的第二面的平面图。如图2A以及图2B所示，本实用新型的平面振膜单体的改良结构主要是包括了一薄膜层10、一第一线圈31、一第二线圈32、一第三线圈33以及一第四线圈34。以下，将同时参照图2A以及图2B针对本实用新型的平面振膜单体的改良结构进行说明。

薄膜层10为单体振膜的主要结构，其具有一第一面11以及一第二面12。为了方便说明本实用新型中的线圈配置，以下是以薄膜层10的一中心线A为基准，将薄膜层10的第一面11定义为彼此相对的第一侧111与第二侧112，并且将薄膜层10的第二面12定义为彼此相对的第一侧121以及第二侧122。在此实施例中，薄膜层10是具有四边形的形状，且中心线A的位置是贯穿于四边形其中两边的中间点；然而，薄膜层10的形状与中心线的位置并不限于此，薄膜层10可以为任何适合作为振膜的形状，且中心线可以被定义在其他将薄膜层分为两个对称部分的位置。

如图2A所示，第一线圈31是设置在薄膜层10的第一面11上的第一侧111，且第一线圈具有一第一接触点201。在此实施例中，第一接触点201是设置在薄膜层10第一面11的第一侧111的上方。第一线圈31是从第一接触点201开始环绕数圈后，透过薄膜层10第一面11的第一侧111中间下方的第一连接点211穿过薄膜层10与设置在薄膜层10第二面12第一侧121的第二线圈32电性连接。

如图2B所示，第二线圈32在薄膜层10第二面12第一侧121上是以与第一线圈31大致重迭并且以最小绕圈数的方式配置。在本实施例中，第二线圈32是在薄膜层10的第二面12绕了一圈半之后，透过位于第二面12上方的第二连接点212穿过薄膜层10与设置在薄膜层10第一面11第二侧112上的第三线圈33电性连接。

请再次参照图2A，在此实施例中，第三线圈33在薄膜层10第一面11第二侧112上是从第二连接点212开始，以相对于中心线A与第一线圈31对称的方式配置；换言之，第三线圈33与第一线圈11具有相对于中间线A对称的形状与圈数。上述的第三线圈33在第二侧112中间下方处透过第三连接点213穿过薄膜层10与设置在薄膜层第二面12第二侧122的第四线圈电性连接。

再次参照图2B，第四线圈34在薄膜层10第二面12第二侧122上是以与第三线圈33大致重迭并且以最小绕圈数的方式配置。此外，第四线圈34与第二线圈32在薄膜层10的第二面12上具有相对于中间线A对称的配置。

透过上述线圈配置，本实用新型的平面振膜单体的改良结构可以降低现有单体结构中盆分裂情形发生的机率。以下，将参照图3来说明本实用新型的改良结构降低盆分裂情形发生的原理。图3为显示本实用新型的平面振膜单体的改良结构中线圈的电流流动方向的示意图。如图3所示，若电流从第一接触点201开始在靠近中心线的位置沿着第一线圈31向下流动，则在第一线圈31点b的位置处的电流流动方向会是往图3中的上方流动。当电流经由第一线圈31、第二线圈32流动到第三线圈33中相对于中间线A与第一线圈31的点b对称的点b’的位置，电流的流动方向也与在点b位置时同样是往图3中的上方流动。换言之，透过本实用新型的线圈配置，第一线圈31与第三线圈33在两者分别与中心线A距离相同处的电流方向会相同，且第二线圈32与第四线圈34在与中心线A距离相同处的电流方向也会相同。如此一来，平面振膜单体在微观点上的振动方向可以保持一致，借此达到减少现有单体结构中的盆分裂情形发生的目的，并且提高单体的高音性能。

此外，由于薄膜层10第二面12的第二线圈32与第四线圈34是以最小绕圈数的方式配置，且第二线圈32与第四线圈34分别与第一面11的第一线圈31与第三线圈33重迭，使得第二线圈32、第四线圈34对于第一线圈31、第三线圈33的干扰得以降到最小，进一步减少盆分裂情形发生的机率。

值得一提的是，本实用新型图2A与图2B中所显示的线圈配置仅为本实用新型的其中一种范例，任何符合申请专利范围中所限制的条件的线圈配置都属于本实用新型所保护的范畴之中。

由以上实施例可知，本实用新型所提供的平面振膜单体的改良结构确具产业上的利用价值，惟以上的叙述仅为本实用新型的较佳实施例说明，凡精于此项技艺者可依据上述的说明而作其它种种的改良，惟这些改变仍属于本实用新型的精神及以下所界定的专利范围中。