一实施例中的步骤S1003?步骤S1010 (图10)中的处理相同。
[0093]如上所述，在本实施例中，根据被摄体亮度改变所允许的像素缺陷值的大小。这使得能够尽可能多地驱动这两个线传感器对，从而根据各个线传感器对上投影的图像进行最佳累积控制。在被摄体是明亮的情况下，由于对两个线传感器对的累积状态进行监视，因此信号将要饱和的风险极小。另外，像素部中的缺陷对累积控制的影响较小。另一方面，在被摄体是暗的情况下，由于在第二累积模式中对具有大的像素缺陷值的线传感器对进行控制，因此能够在不被像素信号中的缺陷影响的情况下累积充分的信号。如上所述，本实施例可以在宽的被摄体亮度范围内通过进行适当的累积控制来实现精确的焦点检测。
[0094]本实施例以被摄体亮度的阈值和像素缺陷值的阈值作为两个值为例进行说明。然而，能够通过设置三个以上的值来针对被摄体亮度进行更精细的累积模式的设置。
[0095]第三实施例
[0096]在第三实施例中，将参考图12?图14来说明与像素部有关的缺陷信息的存储操作和从与像素部有关的缺陷信息读出的像素信号的校正操作。由于照相机和焦点调节设备的结构与第一实施例中说明的结构相同，因此将省略它们的说明。
[0097]首先，将参考图12的流程图来说明与像素部有关的缺陷信息的存储操作。在制造过程中焦点调节设备完全被遮光的情况下，进行与像素部有关的缺陷信息的该存储操作。
[0098]在步骤S1600中，CPU 100将两个线传感器对设置在第一累积模式，并且在接下来的步骤S1601中驱动AF传感器。此时，将焦点调节设备设置在该设备完全被遮光的暗状态，并且像素信号理想地为O。然而，像素信号由于图7中的H)部、电容器CL和FD部中生成的暗电流而微小地增加。在信号达到累积停止水平之前，CPU 100强制停止AF传感器的累积操作。图15示出线传感器102-la的60-U1像素部中的累积时间和基于暗电流的像素信号之间的关系的例子。
[0099]暗电流与累积时间成比例地增加。CPU 100在AF传感器驱动的最大累积时间Tmax处强制停止AF传感器的累积操作。暗电流可以由斜率SD/Tmax来表示。在这种情况下，该斜率是与像素部有关的缺陷信息。在设SD(n)为累积时间Tmax中的第η个像素部的暗电流的情况下，通过以下来表示缺陷信息GD (η)。
[0100]⑶(n)= SD(n)/Tmax...(I)
[0101]在步骤S1602中，CPU 100经由输出电路108从各线传感器对读出像素信号。在步骤S1603中，CPU 100根据作为步骤S1602中读出的暗电流的像素信号以及最大累积时间Tmax，使用等式(I)来计算与像素部有关的缺陷信息，并将计算出的信息作为第一缺陷信息存储到CPU 100中的存储电路209内。
[0102]在步骤S1604中，CPU 100将两个线传感器对设置在第二累积模式，并且在接下来的步骤S1605中驱动AF传感器。在第二累积模式中，由于在累积期间复位电容器CL和FD部，因此去除相同的电路部中生成的暗电流，并且仅累积H)部中所生成的暗电流作为像素信号。因此，该像素信号不同于第一累积模式中所获得的像素信号。
[0103]在步骤S1606中，CPU 100经由输出电路108从各线传感器对读出像素信号。在步骤S1607中，CPU 100根据作为步骤S1606中读出的暗电流的像素信号以及最大累积时间Tmax，使用等式(I)来计算与像素部有关的缺陷信息，并将计算出的信息作为第二缺陷信息存储到CPU 100中的存储电路209内。接着，CPU 100终止一系列的与像素部有关的缺陷信息的存储操作。
[0104]接着，将参考图13和图14的流程图来详细说明焦点调节设备的操作中的像素信号校正。
[0105]图13是根据第三实施例的焦点调节操作的流程图。与图11中的步骤编号相同的步骤编号表示图11中的相同操作，因此将省略它们的详细说明。
[0106]在步骤S1700中，CPU 100从存储电路209读出制造过程等(图12的流程图)中预先存储的与像素部有关的缺陷信息。在这种情况下，缺陷信息是各像素部中的暗电流的斜率GD(n)。步骤S1102?步骤S1109中的操作与第二实施例中的操作相同。在要将缺陷信息与阈值进行比较的情况下，使用与各个线传感器对相对应的GD (η)的最大值。
[0107]在步骤S1710中，CPU 100驱动AF传感器。在这种情况下，CPU 100测量各个线传感器对中的累积时间，以进行(稍后将说明的)像素信号校正。在步骤S1711中，CPU 100经由输出电路108从各线传感器对读出像素信号，并且基于步骤S1700中获取到的与像素部有关的缺陷信息来校正所读出的像素信号。将基于图14的子例程流程图来详细说明校正方法。
[0108]在图14的步骤S1800中，CPU 100选择要读取的线，并在接下来的步骤S1801中经由输出电路108从线传感器对读出信号。在步骤S1802中，CPU 100判断所读取的线的累积模式设置。在该设置是第一累积模式的情况下，处理转移到步骤S1803。在该设置是第二累积模式的情况下，处理转移到步骤S1804。
[0109]在步骤S1803中，CPU 100根据与第一累积模式相对应的第一缺陷信息来进行像素信号校正。CPU 100根据步骤S1700中获取到的与像素部有关的缺陷信息GD (η)和步骤S1710的操作中测量到的累积时间Tint来计算暗电流。然后，CPU 100通过从所读出的像素信号S(n)中减去该暗电流部分来进行像素信号校正。在设S’ (η)为校正后的像素信号的情况下，按照如下给出校正公式。
[0110]S，(n) = S (η)-(⑶(η) X Tint)...(2)
[0111]在步骤S1804中，CPU 100根据与第二累积模式相对应的第二缺陷信息来进行像素信号校正。要使用的校正公式与步骤S1803中的相同。S卩，使用等式(2)。
[0112]在步骤S1805中，CPU 100判断是否完成来自所有线传感器对的读出操作。在存在没有读出信号的任意线传感器对的情况下，处理返回到步骤S1800，以读出来自下一线传感器对的信号并重复像素信号校正操作。在完成来自所有线传感器对的读出操作的情况下，处理返回到主流程图。
[0113]在步骤SI 112?步骤SI 114中，CPU 100基于校正后的像素信号S’ (η)来进行与第二实施例中相同的操作，并结束一系列焦点调节操作。
[0114]如上所述，在制造过程中预先存储第一累积模式中的与像素部有关的缺陷信息和第二累积模式中的与像素部有关的缺陷信息。另外，在进行实际的焦点调节操作的情况下，基于与所设置的累积模式相对应的缺陷信息进行像素信号校正能够适当地校正像素信号，从而实现更精确的焦点调节操作。
[0115]第四实施例
[0116]第四实施例将以用于分离“ro部”和“电容器CL和FD部”(除光电转换元件以外的部)中所生成的暗电流、存储各暗电流并且校正像素信号的方法为例，并且将参考图16来说明该第四实施例。由于照相机和焦点调节设备的结构与第一实施例中说明的结构相同，因此将省略它们的说明。
[0117]将参考图16的流程图来说明根据第四实施例的与像素部有关的缺陷信息的存储操作。如第三实施例那样，在制造过程中焦点调节设备完全被遮光的情况下，进行与该像素部有关的缺陷信息的存储操作。
[0118]在步骤S2000中，CPU 100将两个线传感器对设置在第二累积模式。在接下来的步骤S2001中，CPU 100驱动AF传感器。在达到最大累积时间Tmax的情况下，CPU 100强制停止AF传感器的累积操作。
[0119]在步骤S2002中，CPU 100经由输出电路108从各线传感器对读出信号。在这种情况下，将所读出的像素信号作为第二像素信号S2 (η)临时存储在存储电路209中。在这种情况下，由于在累积期间复位电容器CL和FD部，因而从第二累积模式所获得的像素信号中去除相同的电路部中所生成的暗电流，在像素信号中仅保留ro部中所生成的暗电流。
[0120]在步骤S2003中，CPU 100根据步骤S2002中读出的像素信号和最大累积时间Tmax，使用等式(I)来计算与像素部有关的缺陷信息，并将计算出的信息作为与H)部有关的缺陷信息⑶Η)(η)存储到CPU 100中的存储电路209内。
[0121]在步骤S2004中，CPU 100将两个线传感器对设置在第一累积模式。在接下来的步骤S2005中，CPU 100驱动AF传感器。在达到最大累积时间Tmax的情况下，CPU 100强制停止AF传感器的累积操作。
[0122]在步骤S2006中，CPU 100经由输出电路108