[0035]模组上壳2为四个侧壁和一个顶壁形成的无底腔体，在模组上壳2的顶部设置有向下延伸的固定筋10，用于固定扬声器单体1，振膜、固定筋10以及模组上壳的顶壁组成的空间为前声腔5，在模组上壳2的一个侧壁上开设有侧出声孔4，前声腔5与侧出声孔4相连通，形成前声腔出声通道，扬声器单体振动产生的声音经由前声腔出声通道从侧出声孔4传送到侧出声扬声器模组的外部；模组上壳2四个侧壁的底部设置有去料形成的凹槽，模组下壳3设置在扬声器单体I的下方，并通过模组上壳2的侧壁底部的凹槽与模组上壳2扣合在一起，振膜、固定筋10、模组上壳2的四个侧壁与模组下壳3组成的空间为后声腔6。
[0036]另外，由于侧出声扬声器模组的后声腔6需要密封，也就是说，模组上壳2与模组下壳3结合的位置需要密封，模组上壳2与扬声器单体I结合的位置也需要密封，本实用新型的一个【具体实施方式】中，模组上壳2与模组下壳3结合的位置和模组上壳2与扬声器单体I结合的位置均可通过超声焊接或涂胶或压接等方式密封，形成密封的后声腔。
[0037]同样地，为了减弱前声腔出声通道的谐振，在前声腔出声通道对于模组上壳2的位置开设有泄露孔7，泄露孔7的数量和位置可以根据实际需求进行设定，但泄露孔7的位置只能开设在前声腔出声通道内，通过在前声腔出声通道内开设泄露孔7能够减弱前声腔出声通道的谐振，有效降低频响曲线在前声腔出声通道部分谐振峰的Q值(品质因数的值)，还能够在一定程度上提升频响曲线的高频截止频率，增加产品的有效带宽。
[0038]在组装产品时，为了防止开设的泄露孔7被产品的其它部件封堵，如手机外壳等等部件，在模组上壳2顶壁的外侧对应泄露孔7的位置开设有避让结构8，在本实用新型一个【具体实施方式】中，避让结构为凹槽，凹槽的深度小于模组上壳2顶壁的厚度，避让结构8不只限于图3中所示的形状，可以根据实际产品的需求设定为不同的形状。
[0039]实施例二与实施例一的不同之处在于，实施例二中在避让结构8的上方铺设有阻尼网9，阻尼网9的形状与避让结构8相同，通过铺设阻尼网9能够更有效地降低因前声腔出声通道谐振引起的谐波失真曲线的峰值。实施例二是实施例一的一种衍变形式，实施例二中铺设的阻尼网起到改变扬声器失真的辅助作用，实施例一和实施例二的实质是通过在前声腔出声通道上开设泄露孔，从而降低扬声器的失真，具体选择铺设阻尼网的扬声器模组(实施例二提供的侧出声扬声器模组)还是未铺设阻尼网的扬声器模组(实施例一所提供的侧出声扬声器模组)根据产品的实际情况而定。
[0040]上述两个实施例分别说明了侧出声扬声器模组的结构，通过在前声腔出声通道内开设泄露孔，从而减弱前声腔出声通道的谐振，提升侧出声扬声器模组的性能，影响侧出声扬声器模组性能的两个主要因素为SPL(声压级，表示某一频率的灵敏度)和THD(谐波失真
[0041]图5示出了开设泄露孔前和开设泄露孔后的频响曲线的变化。
[0042]如图5所示，图5中横坐标表示频率，纵坐标表示声压级，蓝色曲线为开设泄露孔前的频响曲线，红色曲线为开设泄露孔后的频响曲线，图5中第一个峰值(声压级在90dB-100dB之间)对应的是低频截止频率(频率为1000Hz)，可以看出在开设泄露孔后，对低频截止频率灵敏度的影响微乎其微，而图5中第二个峰值(声压级在110dB-120dB之间)对应的是高频截止频率(频率为5000Hz)，在开设泄露孔后，高频截止频率的灵敏度有明显的降低。
[0043]图6示出了开设泄露孔前和开设泄露孔后的谐波失真曲线的变化。
[0044]如图6所示，在图6中，横坐标代表频率，纵坐标代表失真值(值越大失真越大)，蓝色曲线为开设泄露孔前的失真曲线，红色为开设泄露孔后的失真曲线，结合图5，在图5中高频截止频率所对应的横坐标为5000Hz，同样在图6中高频截止频率所对应的横坐标为5000Hz，而图6中横坐标5000Hz所对应的纵坐标为失真值，明显看出开设泄露孔后的失真值要小于开设泄露孔前的失真值。
[0045]上述内容详细说明了本实用新型提供的侧出声扬声器模组，通过在前声腔出声通道内开设泄露孔，从而减弱前声腔出声通道的谐振，能够有效降低高频截止频率的灵敏度峰值，改善扬声器的失真(对应高频截止频率下的THD尖峰会同步衰减)，从而更方便后续音频调整，实现更高音质效果。
[0046]以上所述，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种侧出声扬声器模组，包括扬声器单体、收容固定所述扬声器单体的模组外壳和在所述模组外壳的侧壁上开设的侧出声孔，所述扬声器单体包括振膜；所述模组外壳包括模组上壳；所述振膜、所述模组上壳与所述侧出声孔之间形成的空间为前声腔出声通道，其特征在于: 所述模组上壳上对应所述前声腔出声通道的位置开设有与外部连通的泄露孔。
2.如权利要求1所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 在所述模组上壳对应所述泄露孔的周围开设有避让结构。
3.如权利要求2所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 所述避让结构为凹槽，所述凹槽的深度小于所述模组上壳的厚度。
4.如权利要求3所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 在所述避让结构的上方粘结有与所述避让结构形状相同的阻尼网。
5.如权利要求4所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 所述阻尼网粘结在所述避让结构的上方。
6.如权利要求1所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 还包括设置在所述扬声器单体下方的模组下壳，所述模组下壳扣合在所述模组上壳的侧壁的底部，所述振膜、所述模组上壳与所述模组下壳之间形成的空间为后声腔。
7.如权利要求6所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 模组上壳与模组下壳接触的部分以及扬声器单体与模组上壳接触的部分均通过超声焊接或涂胶或压接的方式密封。
8.如权利要求1所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 在所述模组上壳的侧壁上开设所述侧出声孔。
9.如权利要求1所述的侧出声扬声器模组，其特征在于， 所述扬声器单体还包括结合于所述振膜下侧的音圈、中心磁铁、结合在所述中心磁铁上方的中心华司、设置在所述中心磁铁两侧的边磁铁和结合在所述边磁铁上方的边华司；其中，所述中心磁铁和所述中心华司之间的空隙形成磁间隙，所述音圈设置在所述磁间隙中。
【专利摘要】本实用新型提供一种侧出声扬声器模组，包括扬声器单体、收容固定扬声器单体的模组外壳和在模组外壳的侧壁上开设的侧出声孔，扬声器单体包括振膜；模组外壳包括模组上壳；振膜、模组上壳与侧出声孔之间形成的空间为前声腔出声通道；其中，在前声腔出声通道对应模组上壳的位置开设有与外部连通的泄露孔。利用上述本实用新型的侧出声扬声器模组，能够有效降低高频截止频率的灵敏度峰值，改善扬声器的失真(对应高频截止频率下的THD尖峰会同步衰减)，从而更方便后续音频调整，实现更高音质效果。
【IPC分类】H04R9-06
【公开号】CN204442667
【申请号】CN201520122373
【发明人】刘磊, 徐同雁
【申请人】歌尔声学股份有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年3月2日